SVD4N60D/F(G)/T 说明书4A、600V N沟道增强型场效应管描述SVD4N60D/F(G)/T N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体 管采用士兰微电子的S-RinTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。

先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电 阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。

特点∗ ∗ ∗ ∗ ∗4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0 Ω@VGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力命名规则产品规格分类产 品 名 称 SVD4N60T SVD4N60F SVD4N60FG SVD4N60D SVD4N60DTR 封装形式 TO-220-3L TO-220F-3L TO-220F-3L TO-252-2L TO-252-2L 打印名称 SVD4N60T SVD4N60F SVD4N60FG SVD4N60D SVD4N60D 材料 无铅 无铅 无卤 无铅 无铅 包装 料管 料管 料管 料管 编带版本号：1.42011.09.01 共9页 第1页SVD4N60D/F(G)/T 说明书极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)参数名称 漏源电压 栅源电压 漏极电流 漏极脉冲电流 耗散功率（TC=25°C） - 大于 25°C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） 工作结温范围 贮存温度范围 TC=25°C TC=100°C 符号 VDS VGS ID IDM PD EAS TJ Tstg 100 0.8 参数范围 SVD4N60T SVD4N60F(G) 600 ±30 4.0 2.5 16 33 0.26 276 -55～+150 -55～+150 77 0.62 SVD4N60D 单位 V V A A W W/°C mJ °C °C热阻特性参数名称 芯片对管壳热阻 芯片对环境的热阻 符号 RθJC RθJA 参数范围 SVD4N60T 1.25 62.5 SVD4N60F(G) 3.85 120 SVD4N60D 1.61 110 单位 °C/W °C/W关键特性参数(除非特殊说明，TC=25°C)参 数 漏源击穿电压 漏源漏电流 栅源漏电流 栅极开启电压 导通电阻 输入电容 输出电容 反向传输电容 开启延迟时间 开启上升时间 关断延迟时间 关断下降时间 栅极电荷量 栅极-源极电荷量 栅极-漏极电荷量 符号 BVDSSB测试条件 VGS=0V，ID=250µA VDS=600V，VGS=0V VGS=±30V，VDS=0V VGS= VDS，ID=250µA VGS=10V， ID=2A VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHZ VDD=300V，ID=4A， RG=25Ω (注 2，3) VDS=480V，ID=4A， VGS=10V (注 2，3)最小值 600 --2.0 ------------典型值 ----2.0 672 66 4.7 27 19 160 22 19.8 4 7.2最大值 -10 ±100 4.0 2.4 -----------单位 V µA nA V ΩIDSS IGSS VGS(th) RDS(on) Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Qgs QgdpFnsnC版本号：1.42011.09.01 共9页 第2页SVD4N60D/F(G)/T 说明书源-漏二极管特性参数参 源极电流 源极脉冲电流 源-漏二极管压降 反向恢复时间 反向恢复电荷 注： 1. 2. 3. L=30mH，IAS=3.81A，VDD=175V，RG=25Ω，开始温度 TJ=25°C； 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 基本上不受工作温度的影响。

数 符 号 IS ISM VSD Trr Qrr 测试条件 MOS 管中源极、漏极构成的 反偏 P-N 结 IS=4.0A，VGS=0V IS=4.0A，VGS=0V， dIF/dt=100A/µs (Note 2) 最小值 -----典型值 ---300 2.2 最大值 4.0 16 1.4 --单位 A V ns µC版本号：1.42011.09.01 共9页 第3页SVD4N60D/F(G)/T 说明书典型特性曲线ID 漏电流[A]VGS 栅-源电压 [V]电容 [pF]IDR 反向漏电流 [A]RDS(on)[ ] 漏-源导通电阻ID 漏电流[A]版本号：1.42011.09.01 共9页 第4页SVD4N60D/F(G)/T 说明书典型特性曲线（续）图7、击穿电压vs.温度1.22.8 2.4图8、导通电阻vs.温度RDS(on) (标准化) 漏-源导通电阻1.1BVDSS(标准化) 漏-源击穿电压2 1.6 1.2 0.8 0.4 0 注： 1. VGS = 10 V 2. ID = 2 A1 注： 1. VGS = 0 V 2. ID = 250µA0.90.8 -100 -50 0 50 100 150 200-100-50050100150200TJ, 结温[ CTJ, 结温[ C图 9-1. 最大安全工作区域(SVD4N60T)102 此区域工作受限于RDS(ON) 101图 9-2. 最大安全工作区域(SVD4N60F(G))102 此区域工作受限于RDS(ON) 100µs 101 100µs 1ms 100 DC 10-1 10msID,漏电流[A]100DC10-1注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 101 102 103ID,漏电流[A]1ms 10ms10-210010-2注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 100 101 102 103VDS,漏源电压[V]VDS,漏源电压[V]图 9-3. 最大安全工作区域(SVD4N60D)102 此区域工作受限于RDS(ON) 101图10. 最大漏电流vs. 壳温54 100µsID,漏电流[A]ID,漏电流[A]1ms 10ms 1003DC210-1注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 100 101 102 103110-20 25 50 75 100 125150VDS,漏源电压[V]TC, 壳温[°C]版本号：1.42011.09.01 共9页 第5页SVD4N60D/F(G)/T 说明书典型测试电路栅极电荷量测试电路及波形图与待测器件 参数一致 50KΩ 12V 200nF 300nFVGS VDS10VQgQgsQgdVGS待测器件 3mA电荷量开关时间测试电路及波形图VDS VGS VDD RG待测器件 10%RLVDS90%10VVGStd(on)tr tontd(off)tf toffEAS测试电路及波形图L EAS =VDS ID RG待测器件BVDSS 1 2 2 LIAS BVDSS - VDDBVDSS IAS10V tpVDD VDDID(t) VDS(t)tp Time版本号：1.42011.09.01 共9页 第6页SVD4N60D/F(G)/T 说明书封装外形图TO-220F-3L(1)3.30±0.25单位: mm9.80±0.5015.80±0.5015.75±0.506.70±0.30TO-220F-3L(2)单位: mm版本号：1.42011.09.01 共9页 第7页SVD4N60D/F(G)/T 说明书封装外形图（续）TO-252-2L 单位: mmTO-220-3L单位: mm版本号：1.42011.09.01 共9页 第8页SVD4N60D/F(G)/T 说明书声明： • • 士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完 整和最新。

任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统 设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情 况的发生！ 产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！•附：修改记录：日 期 2010.05.13 2010.09.20 2010.10.20 2010.12.13 2011.09.01 版本号 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 原版 修改“极限参数”、“热阻特性”、增加SOA和ID-TC曲线 修改“典型特性曲线”、说明书模板 增加TO-220F-3L的无卤封装信息 修改“封装外形图” 描 述 页码版本号：1.42011.09.01 共9页 第9页。