1-1 原子結構(c) 1. 每一個已知的元素都有 (a)相同型態的原子 (b)相同數目的原子 (c)唯一型態的原子 (d)幾種不同型態的原子。
(d) 2. 原子是由哪些組成 (a)一個原子核和唯一的電子 (b)一個原子核和一個以上的電子 (c)質子、中子和電子 (d)答案(b)和(c)均是。
(a) 3. 原子的原子核是由哪些基本粒子組成 (a)質子和中子 (b)電子 (c)電子和質子 (d)電子和中子。
(b) 4. 價電子是位於 (a)最接近原子核的軌道 (b)距離原子核最遠的軌道 (c)繞著原子核的不同軌道 (d)與任何原子無關。
(a) 5. 下面哪一種狀況會產生正離子 (a)價電子脫離原子 (b)在原子的外層軌道中，電洞的數目比電子多 (c)兩個原子鍵結在一起 (d)原子獲得一個額外的價電子。
1-2 絕緣體、導體和半導體(d) 6. 目前在電子元件中最常使用的半導體材料是 (a)鍺 (b)碳 (c)銅 (d)矽。
(d) 7. 絕緣體和半導體的差別在 (a)價電帶和導電帶之間的能隙較寬 (b)自由電子的數目 (c)原子的結構 (d)以上皆對。
(c) 8. 自由電子位於哪一個能量帶？ (a)第一層能量帶 (b)第二層能量帶 (c)2▍電子學(上冊) —教師手冊▍導電帶(d)價電帶。
(d) 9. 在半導體晶體中，原子是由於下列何種原因而結合在一起(a)價電子之間的作用力(b)原子間的吸引力(c)共價鍵(d)答案(a)、(b)和(c)均是。
(d) 10. 矽的原子序是(a)8(b)2(c)4(d)14。
(d) 11. 鍺的原子序是(a)8(b)2(c)4(d)32。
(d) 12. 矽原子的價能階層的編號是(a)0(b)1(c)2(d)3。
(c) 13. 矽晶體中的每一個原子都有(a)四個價電子(b)四個傳導電子(c)八個價電子，其中四個自有，另外四個與其他原子共有(d)沒有價電子，因為所有的電子都已被共用。
1-3半導體的電流(b) 14. 電子-電洞對是在下述哪種狀況產生(a)重新結合(b)熱擾動(c)離子化(d)摻雜。
(a) 15. 重新結合是發生於(a)電子落回電洞中(b)正離子和負離子鍵結在一起時(c)價電子成為傳導電子時(d)晶體形成時。
(d) 16. 半導體中的電流是由什麼形成的？(a)只由電子形成(b)只由電洞形成(c)負離子(d)電子和電洞。
1-4N型與P型半導體(e) 17. 在純質半導體中(a)沒有自由電子(b)自由電子是由熱擾動產生(c)只有電洞存在(d)電子的數目和電洞一樣(e)答案(b)和(d)均是。
(a) 18. 在純質半導體材料中加入雜質的過程，我們稱為(a)摻雜(b)重新結合(c)原子變異(d)離子化。
(b) 19. 將三價的雜質加入矽材料中，就會形成(a)鍺(b)p型半導體(c)n型半導體(d)空乏區。
(c) 20. 在半導體材料中加入五價雜質的目的是(a)降低矽晶體的導電性(b)增▍第1章半導體簡介▍3加電洞的數目(c)增加自由電子的數目(d)產生少數載子。
(c) 21. n型半導體材料中的多數載子是(a)電洞(b)價電子(c)傳導電子(d)質子。
(a) 22. n型半導體材料中的電洞屬於(a)熱擾動所產生的少數載子(b)摻雜過程中產生的少數載子(c)熱擾動所產生的多數載子(d)摻雜過程中產生的多數載子。
1-5二極體(c) 23. pn接面是由下列何種原因產生(a)電子和電洞的重新結合(b)離子化(c) p型材料和n型材料結合所形成的邊界區(d)質子和中子的碰撞。
(d) 24. 空乏區是由下列何種原因造成(a)離子化(b)擴散作用(c)重新結合(d)以上皆對。
(d) 25. 空乏區包含有(a)除了少數載子外，不含其他粒子(b)正離子和負離子(c)沒有多數載子存在(d)答案(b)和(c)均是。
1-6二極體的偏壓(c) 26. 名詞偏壓意指(a)多數載子和少數載子的比率(b)通過二極體的電流大小(c)控制元件操作所需施加的直流電壓(d)以上皆非。
(d) 27. 要對二極體施加順向偏壓，必須(a)外加電壓的正極接到二極體的陽極，負極接到二極體的陰極(b)外加電壓的負極接到二極體的陽極，正極接到二極體的陰極(c)外加電壓的正極接到二極體的p型區，負極接到二極體的n型區(d)答案(a)和(c)均是。
(d) 28. 當二極體施加順向偏壓時，(a)唯一產生的電流是電洞流(b)唯一產生的電流是電子流(c)唯一產生的電流是由多數載子所產生(d)電流是由電洞和電子共同產生。
(b) 29. 雖然逆向偏壓截斷了電流(a)仍有多數載子所產生的一些電流(b)仍有4▍電子學(上冊) —教師手冊▍少數載子所產生的很小電流(c)產生了累增崩潰電流。
(b) 30. 對於矽二極體，一般標準順向偏壓的電壓值為(a)必須大於0.3V(b)必須大於0.7V(c)依照空乏區的寬度而定(d)依照多數載子的濃度而定。
(b) 31. 在順向偏壓下，二極體會(a)截斷電流(b)傳導電流(c)存在高的阻抗(d)產生很大的電壓降。
1-7二極體的電壓-電流特性(d) 32. 二極體在何種情況下可正常運作(a)逆向崩潰電壓(b)順向偏壓區(c)逆向偏壓區(d)答案(b)或(c)皆可。
(b) 33. 二極體處於下列何種狀態時，必須將動態阻抗列入考慮(a)逆向偏壓(b)順向偏壓(c)逆向崩潰電壓(d)未偏壓。
(a) 34. 由二極體的電壓-電流曲線可得知(a)任一電流所對應的二極體兩端電壓(b)任一偏壓對應之電流大小(c)消耗功率(d)以上皆非。
1-8二極體的各種模型(c) 35. 理想上，二極體可視為(a)電壓源(b)阻抗(c)開關(d)以上皆是。
(a) 36. 在實際二極體模型中(a)須將障壁電壓列入考慮(b)須將動態順向阻抗列入考慮(c)以上皆非(d)(a)和(b)均是。
(d) 37. 在完整二極體模型中(a)須將障壁電壓列入考慮(b)須將動態順向阻抗列入考慮(c)須將逆向阻抗列入考慮(d)以上皆是。
1-9二極體的測試(c) 38. 當矽二極體正常操作於順向偏壓時，數位三用電表中的讀數為(a)0V(b)OL(c)約0.7V(d)約0.3V。
(b) 39. 當矽二極體斷路時，數位三用電表中的讀數為(a)0V(b)OL(c)約0.7V▍第1章半導體簡介▍5(d)約0.3V。
1-1原子結構1. 如果某個不帶電的原子，其原子序為6，則該原子有多少個電子？多少個質子？答：An atom with an atomic number of 6 has 6 electrons and 6 protons.2. 在第3層的能階層中最多可以容納多少個電子？答：The third shell of an atom can have 2n2 = 2(3)2 = 18 electrons.1-2絕緣體、導體和半導體3. 對於圖1-39中的每一個能階圖，請按照能階相對的高低，判斷出各是何種材料？(半導體、導體和絕緣體)圖1-396▍電子學(上冊) —教師手冊▍答：The materials represented in Figure 1-39 in the textbook are(a)insulator(b)semiconductor(c)conductor4. 某一個原子有四個價電子。
請問該原子屬於何種材料？答：An atom with four valene electrons is semiconductor.5. 在矽(Si)晶體中，一個原子會形成多少個共價鍵？答：In a silicon crystal, each atom forms four covalent bonds.1-3半導體的電流6. 將矽晶體加熱後，會產生何種現象？答：When heat is added to silicon, more free electrons and holes are produced.7. 請舉出矽晶體中會產生電流的兩個能階帶。
答：Current is produced in silicon at the conduction band and the valence band.1-4N型與P型半導體8. 說明摻雜的製造過程並且解釋它是如何改變矽晶體的原子結構。
答：Doping is the carefully controlled addition of trivalent or pentavalent atoms to pure (intrinsic) semiconductor material for the purpose of increasing the number of majority carriers (free electrons or holes).9. 說明銻(antimony) 在半導體製程中的作用?也請說明硼(boron) 的作用?答：Antimony is a pentavalent (donor) material used for doping to increase free electrons.Boron is a trivalent (acceptor) material used for doping to increase the holes.▍第1章半導體簡介▍73-4光學二極體(c) 7. LED會(a)在逆向偏壓時發光(b)在逆向偏壓時感光(c)在順向偏壓時發光(d)當成可變電阻。
(d) 8. 和可見紅光LED比較，紅外線LED可以(a)產生波長較短的光(b)產生所有波長的光(c)只產生一種顏色的光(d)產生波長較長的光。
(d) 9. 與白熾燈比較，高亮度LED(a)較亮的(b)有較長的使用壽命(c)使用功率較小(d)以上皆是。
(d) 10. OLED不同於傳統LED的是(a)不需在偏壓下操作(b)在pn接面上為有機材料層(c)可用噴墨印刷技術來製造(d)(b)和(c)都是。
(b) 11. 紅外線LED是藉著光耦合至光二極體。
當LED關閉，和逆向偏壓光二極體串接的安培計讀數會(a)不會改變(b)減少(c)增加(d)呈現波動。
(b) 12. 光二極體的內部阻抗(a)在逆向偏壓時，隨著光的強度增強而增加(b)在逆向偏壓時，隨著光的強度增強而減少(c)在順向偏壓時，隨著光的強度增強而增加(d)在順向偏壓時，隨著光的強度增強而減少。
(d) 13. 雷射二極體產生(a)非同調光(b)同調光(c)單色光(d)(b)和(c)都是。
(b) 14. 具有負阻抗特性的二極體是(a)肖特基二極體(b)透納二極體(c)雷射二極體(d)熱載子二極體。
(d) 15. 為了讓系統可以正確地動作，組成系統的各種不同電路必須要(a)正確地偏壓(b)正確地連接(c)正確地介面溝通(d)以上皆是(e)答案(a)和(b)均正確。