FPD复习要求
一、基本概念
1、发光及几种形式；
发光：是物体内部以某种方式吸收能量转化为光辐射的过程。
主动型发光（发光型）非主动发光型（受光型）
按物质形态：气态，固态，液态等。
按物质性质：有机和无机。
按激发方式：光致发光（PL）电致发光（EL）阴极射线发光（CL）X射线发光
2、显示和显示技术及显示技术发展、趋势、应用；平板显示；
显示：将各种信息转化为视觉信息再传递给他人的过程。
显示技术：显示的转化、转达技术
应用十分广泛：日常生活，体育比赛，监控，医疗，科学实验等。
显示技术发展迅速：信息时代需要各种显示技术，电子工业和材料工业的发展是技术保障。
总体发展趋势：大信息量、平板化、彩色化、低压、微功耗、实时显示。
平板显示(液晶显示、发光二极管、等离子体显示、荧光显示器件、有机电致发光、场发射、电子纸和表面电子发射器件等)日新月异，前途无量
3、灰度、亮度、对比度、显示色、存储功能及作用、寿命、像素、分辨率、响应时间、VGA、CIF等；
亮度：垂直于光线传播方向上，单位面积的发光强度。
单位：cd/m2。
灰度：画面上亮度的等级差别。
灰度越高，图像层次越分明，图像越柔和。
灰度分为8级(3位-23)，256级等(8位-28) 。
存储功能：切断施加电压后仍然保持显示状态的功能称为存储功能。
存储功能的作用：减少功耗，简化驱动电路。
寿命：与显示原理、使用材料的化学稳定性、耐湿性和耐光性等环境状态及副反应和杂质的形成等条件有关。
像素：显示的最小单位(通常用于矩阵显示屏)。
分辨率：单位距离内显示最小单位的个数。
如15个像素/mm、pixel per inch(ppi)、线对数值lp/mm 。
对比度CR：表示显示部位的亮度B与非显示部位的亮度Bb之比。
CRMAX = (BMAX-BMIM)/BMIM
响应时间：上升时间tr：一般用从开始施加电压到出现显示所需要的时间，下降时间tf：从切断电压到显示消失所需要的时间来表示。
发光型器件：
1-100μs，受光型器件：10-500ms。
VGA：Video Graphic array，显示视频绘图阵列。
标准为640⨯480(长: 宽=4: 3)。
CIF：Common Intermediate Format，是常用的标准化图像格式。
在视频采集设备的标准采集分辨率中，CIF = 352×288像素
4、激发光谱和发射光谱；
发射光谱：是指发光强度随波长或者频率的变化。
激发光谱：某一谱线或谱带的强度随激发光波长或频率的变化。
激发谱反映不同
波长的光激发材料的效果对激发光谱的研究对分析方法是很有意义的。
5、发光效率三种表示；
6、敏化作用、浓度猝灭和交叉驰豫；
敏化作用：S将激发能传递给A，即S吸收的全部或部分激发能由A产生发射而释放出来，这种现象称为“敏化发光”，A称为激活剂，S通常被称为A
的敏化剂。
浓度猝灭：在发光材料中，当发光中心浓度增加时, 常常可以看到发光亮度反而下降的现象。
交叉驰豫：也是一种能量传递引起的现象
7、三价稀土离子基态光谱项；
光谱项2s+1LJ ：电子处于不同的状态，具有不同的能量。
基态光谱项由以下三个原则确定：
A泡利不相容原理：指在原子中不能容纳运动状态完全相同的电子。
一个原子中不可能有电子层、电子亚层、电子云伸展方向和自旋方向完全相同的两个电子能量最低原理：就是在不违背泡利不相容原理的前提下，核外电子总是尽先占有B能量最低的轨道，只有当能量最低的轨道占满后，电子才依次进入能量较高的轨道，也就是尽可能使体系能量最低。
C洪特规则：洪特规则是在等价轨道(相同电子层、电子亚层上的各个轨道)上排布的电子将尽可能分占不同的轨道，且自旋方向相同
8、CIE 色坐标图、RG.B的色坐标范围、色域；
显示器3基色所包围的色空间，与1953 NTSC定义的三基色所包围色空间比较，所占百分比，即是该设备的色域(Color Gamut)。
9、能量传递的类型和两个基本条件、传递与距离和浓度的关系、能量施主的寿命变化；
能量传递的类型：（1）载流子迁移引起的能量传递（2）借助激子的能量传递（3）无辐射能量的传递
两个必要的条件：（1）能量施主的发射光谱和能量受主的的吸收光谱有重叠
（2）两个中心之间存在某种相互作用
a.当两个发光中心相距较远时，它们之间的多极子相互作用是主要的，如电偶极子—电偶极子相互作用(dd)，电偶极子—电四极子相互作用(dq)，电四极子—电四极子相互作用(qq) 。
能量传递几率P随中心间的距离R增大而变小, 对各种不同相互作用有如下关系:
P(dd)∝1 / R6, P(dq)∝1 / R8, P(qq) ∝1 / R10
b.当两个中心近一步靠近时, 波函数发生重叠, 量子力学的交换相互作用会变得更重要，传递几率将随中心间距离的增大而指数下降：P∝exp(-2R/L) 。
10、发光过程的三个阶段；
常把发光过程分成三个阶段：激发、能量传递和复合发光。
（1）没有外界作用时，电子出于基态
（2）原子受到外界激发时基态电子吸收能量跃迁到激发态
（3）激发态是不稳定的，电子自然要回到基态，如这部分能量以光的形式放出，则形成发光。
11、发光型和受主型显示；按显示原理：发光型和非发光型
12、晶体场的两个作用；
晶体场使离子的能级劈裂，使跃迁几率发生变化。
13、冷阴极和热阴极；
14、液晶材料的特点（与液体和晶体相比）、分类、制备工艺；
15、FED的技术特点；
16、OLED发光的五个步骤；
17、ACTFEL发光的两个必要条件，对绝缘层的的要求，绝缘层的品质因素，击穿特性，交流驱动特性；
18、潘宁效应的原理和作用、帕邢定律、气体放电的三种过程、
19、分立发光中心及驰豫、复合发光及分类、杂质中心复合；
20、液晶的物理各向异性和光学特性；
21、LCD基本特性参数；
22、负像显示和正像显示；
23、激子的概念；
24、LCD的驱动特点和方式；
25、PM矩阵TN-LCD驱动存在的问题及解决办法；
26、PM-LCD和AM-LCD驱动方式和特点；
27、LCD的材料和部件；
28、液晶分子排列和分子取向技巧；
29、液晶盒厚度控制和液晶灌注；
30、有机物发光的荧光和磷光；
31、无机发光的衰减和余辉；
32、OLED的材料及分类—电极材料和有机功能材料；
33、OLED对电极材料的要求；
34、全彩OELD像素显示的器件结构；
34、ITO表面处理工艺；
35、隔离柱技术；
二、发光原理
1、Schon-Klasens模型（复合发光）；
2、分立中心发光特点；
3、D-A对复合特点；
4、等电子中心复合的原理和特点；
5、能带结构对跃迁几率和发光几率的影响；
三、FPD器件
1、ELD—ACTFEL和PC分散型。
ACTFEL的结构和发光机理、特性，介质厚度di和介电常数 i对阈值工作电压的影响；分散型交流ELD发光机制：Fischer 模型；分散型直流ELD：包铜处理和定形化处理过程。
2、陶瓷厚膜为绝缘介质的电致发光器件(TDELD)结构、性能和制备、彩色实现方案。
3、VFD的结构、工作原理及特性。
4、FED的结构、工作原理及特性；FED对阴极微尖材料的要求，FED对材料的
要求。
5、VFD和FED的比较。
6、AC-PDP的激发原理、负载特性、工作电压与哪些因素有关、MgO的作用、驱动特性。
结构：对向放电型和面放电型AC-PDP，透射型和反射型AC-PDP，AC-PDP与荧光灯效率比较FED的工艺特性、阴极材料特性和器件结构。
7、LCD的显示基础、电场效应：TN；GH；ECB—DAP、沿面排列和HAN 及比较；PC和PD型。
结构、制备、矩阵结构分类及驱动。
8、OLED的结构和发光步骤、发光颜色和实现方法、制备工艺(小分子材料：蒸发；聚合物：旋涂、浸涂、喷墨打印)、OLED的稳定性、寿命和封装：隔绝O2和H2O。
重点：实用性器件—LCD、VFD、PDP。
器件：结构、材料、原理、特性(点)、制备上加以分析。