7．Cb’c 是集电结电容。它随c、b间反向电压
的增大而减小，它的数值是10pF上下；
8． Cce 是集－射极电容。这个电容通常很小。 一般在210pF之间。
在实际应用中，考虑到高频时，Cb的'c 容抗较小，
和它并联的基－集电阻 rb可'c 忽略；此外，
集－射极电容 C可ce 以合并到集电极回路之中，
图2-6 对谐振曲线的影响
二、工作原理
1. 电路组成
2. 电压放大倍数K
K U0 U0 U AB N 2 Ib Z AB Z AB N 2
U i U AB U i N 0 Ibri
ri N 0
因为：
Z AB
Z
AC
(
N0 N1
)2
所以： K Z AC ( N 0 )2 N 2
ri N1 N 0
K
ri
Z
AC
(
N N
0 1
)
(N2 ) N1
图2-20 单调谐放大器
图2-21 调谐放大器集电极回路的等效电路
3. 谐振电压放大倍数K0
谐振时， Z AC R QL0L
谐振电压放大倍数
问题：
K0
ri
QL
0
L(
N0 N1
)(
N2 N1
)
以前讲的信号源内阻如何反映在单调谐电路中？
三、选频性能
K0
1 QL2 (
f f0
f0 )2 f
代入得 K--f 特性
K
K0
1
1 QL2 (
f f0
f0 )2 f
K/K0--f 特性
K K0
1
1 QL2 (
f f0
f0 )2 f
QL (
Hale Waihona Puke f f0f0 ) f
广义失谐量
在谐振点附近
&QL
2f f0
f 0
=0
K 1
K0
12
ξ 1 α
1 0.707 11
4.rce 是集－射极电阻。它表示集电极电压对电流的影
响。它的数值一般在几十千欧以上，典型值为 3050kΩ。 5.电流源 gmUb’e 代表晶体管的电流放大作用，它与加 到发射结上的实际电压Ub’e 成正比，比例系数 gm 称为晶体管的互导。
6．Cb’e是发射结电容。它随工作点电流增大
而增大。它的数值范围为20pF0.01µF；
在低频情况下， I&b1 ，I&则b 。 0
高频时，I&b1 ，I&b 故 ，即o高频的 值低于低频值 。
0 f ，高频放大能力
计算 的等效电路
2. 晶体管的频率参数
(1) 截止频率 f（ 共射截止频率）：
下 降到0.707 时0的频率。
(2) 特征频率 fT 下降到1时的频率。
(3)截止频率 f（共基截止频率）：
下 降到0.707 时0的频率。
(4）最高振荡频率 fmax 晶体管的共射极接法功率放大倍数Kp
下降到1时的频率 。
图2-28 和 随 频率变化的示意图
3. 三个频率参数之间关系
f 、f 、 fT 三个频率的关系
f fT f ,
fT 0 f 0 f
式中 是一个系数，通常在0.60.9之间，
可见 ξ 对1应于通频带的上下边界
仅与有关，所以不管Q 如何变化，均可用
同一条曲线表示----------通用特性曲线。
四、调谐放大器的最大增益、阻抗匹配条件
K0
ri
QL0
L(
N0 N1
)( N2 ) N1
K0 受多种因素影响，一般是采用通过调整匝比的方
法获得高的增益。
是不是 N 0， N1
NN愈21大愈好? 为什么？
2.3 单调谐放大器
按调谐回路分----单调谐放大器 双调谐放大器 参差调谐放大器
按晶体管连接方法分----
共b、共e、共c 放大器 • 重点讲共发射极（共e ）单调谐放大器
图2-20 单调谐放大器
一、技术指标
1.放大能力 用谐振时的放大倍数 K0 表示。
2.选频性能 (1) 通过有用信号的能力 即具有一定的通频带。 放大器能有效放大的频率范围 (2) 抑制无用信号的能力 即有足够的选择性。 放大器对其他频率信号抑制能力的衡量。
Q0
谐振电路的效率
(dB) 20 lg Q0 QL
Q0
谐振电路的插入损耗
2.4 晶体管高频等效电路及频率参数
晶体管在低频工作时，常将晶体管的电流
放大系数（ ）看、成与频率无关的常数。
但晶体管在高频工作时，电流放大系数与 频率则有明显的关系，频率越高，电流放 大系数越小。这直接导致管子的放大能力 下降，限制了晶体管在高频范围的应用。
则得到简化的混合 π型等效电路。
在实际应用中，可用简化的混合 型等
效电路。
rb'e
(1
o )
26 Ie (mA)
gm
0
rbe
Ie 26
图2-24 简化的混合 π型等效电路
从等效电路可以看出，输入电流
分成三部分 , 当c、e短路时， Cb'c与 Cb'e
并联，因 Cb'c Cb'e ，故 I&b3 I&b2 I&b1
随晶体管类型而异。
例如：fT 100MHz 0 100 0 0.99
则可推算出
f
fT
要保证一定的Q ，又要达到尽可能高的增益，
则有一个最佳匝比。
当变换到谐振电路的负载 R等L' 于变换到谐振电路的内 阻 时，rc'e可得到最大的增益。
RL' rc'e
阻抗匹配
最佳匝比： N2 RL
N1 2QL0L
N0
rce
N1 2QL0L
最大增益：
K 0 max
2ri
rce RL
式中： Q0 QL
1. K－f 特性
K
ri
Z
AC
(
N0 N1
)
( N2 ) N1
2. K/K0－f 特性
K K0
1
1 QL2 (
f f0
f0 )2 f
3. 通用谐振曲线
Z AC
QL0 L
1 QL2 (
f f0
f0 )2 f
K ( N0 )( N2 )
QL0 L
ri N1 N1
1 QL2 (
f f0
f0 )2 f
，故在此情况下 Cb可'c 忽略不计。
I&c
gmU&b'e
o
U b'e rb'e
oI&b1
I&c I&b U&ce
0
o
I&b1 I&b
二、晶体管的高频放大能力及频率参数
1. 晶体管的高频放大能力
共发射极短路电流放大系数：
I&c
gmU&b'e
0
U b'e rb'e
I&c I&b U&ce
0
0
I&b1 I&b
复习晶体管低频等效电路
一、晶体管混合π 型等效电路
晶体管在高频工作时，常用混合 π型等效
电路来分析。该等效电路共有8个元件。
图2-23 晶体管混合 π型等效电路
1. Rb’e是发射结的结电阻。一般是几百欧。
rb'e
(1
0 )
26 Ie (mA)
2. Rb’c 是集电结电阻。约为10kΩ至10MΩ 。 3.rbb’ 是基极体电阻。高频晶体管在1550Ω之间。