作业1：阅读2011年国际半导体技术发展规划（ITRS）/
题目1－3为必做题，参考“Executive summary”,其余选做。

选做题目需要参考其他文档，见题目后面括号中的文档名。

注：技术节点以“DRAM”为准。

1.最小特征尺寸
a.请说明以下概念的区别：DRAM 1/2线宽、MPU 1/2线宽、光刻栅长以及物理栅长。

b.作图比较DRAM 1/2线宽、光刻栅长和物理栅长三个技术参数随年代的变化。

c.每个技术节点DRAM 1/2线宽减少多少？（以比例表示）
2.四个技术节点（32,22,16,10 nm）的比较：
a.作图说明高性能器件和低功耗器件工作电压的预期值。

b.作图说明四个技术节点高性能器件和低功耗器件阈值电压和工作电压的预期比值。

c.作图说明四个技术节点芯片尺寸的预期值。

d.作图说明四个技术节点最高时钟频率的预期值。

e.作图说明四个技术节点功率耗散的预期值。

假定你同时知道源电压的预期值，则这
些预期暗示着对32 nm技术节点和10 nm技术节点平均工作电流怎样的要求？
3.缺陷的数目及光刻版数目
a.作图对比2005版和2011版关于缺陷数目的规划（CPU和DRAM）。

b.作图表示CPU和DRAM光刻版数目在各个技术节点的变化。

4.驱动电流（I on）和关断电流（I off）（Process Integration, Devices, and Structures）
a.作图说明四个技术节点驱动电流(mA/um)的预期值。

b.作图说明四个技术节点关断电流(nA/um)的预期值。

c.作图说明四个技术节点驱动电流和关断电流的预期比值。

5.本征延时（Process Integration, Devices, and Structures）
a.作图说明四个技术节点CV/I的预期值。

b.作图说明相应CV/I和时钟频率的预期比值。

6.氧化层厚度（Process Integration, Devices, and Structures）
a.作图说明四个技术节点栅氧化层厚度的预期值。

b.作图说明四个技术节点的栅漏电流密度的预期值。

7.硅片表面处理（Front end processes）
a.作图说明随年代硅片表面颗粒大小和数目的要求。

b.作图说明随年代可动离子密度的变化。