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VT更小，晶体 管容易导通
饱和区漏场感应势垒下降 (DIBL，Drain Induced Barrier Lowering ） VD很大，短沟道时，源和漏的耗尽层宽度之和约等于沟道长 度，穿通，结果在源和漏之间产生很大的漏电流。 原因是DIBL效应，即源漏之间势垒下降，短沟道时更明显。
短沟道MOSFET， 表现出DIBL效应 半导体表面源到漏的能带图 长沟道器件,漏偏压改变有效沟道长度,但源端势垒是常数。 短沟道器件,源端势垒不固定,其降低引起额外的载流子注入。 长沟道MOSFET
VG A n+ D D’ L Wm L’ C’ C P 衬底 B n+ VS VD
短沟道，在沟道两端要进 VB 行比较详细的二维分析， 部分耗尽区的电荷由源和 电荷共享模型示意图 漏来平衡。 --电荷共享。 与栅电荷抵消的是ABC’D’中的电荷
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在沟道的源端和漏 端，有些电荷的电力 线终止在源和漏上而 不是栅上。 电荷守恒模型 由于电荷共享，QSC下降，VT下降
MOS
MOSFET示意图
若栅极未加电压，从源到漏的电流是反向漏电流，沟道关断。 若栅极加足够大的正电压，MOS结构反型，表面反型层（沟 道层），将源和漏连接，可通过大电流。 改变栅压，可调制沟道电导。 衬底是参考电压还是反偏，可影响沟道电导。
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平带零偏压
栅加正偏压， VD=0，平衡 电子的准费米能级 EFn与空穴的准费 米能级EFp是分开 的。
4）MOSFET种类
零栅压下， 沟道电导很 小，栅极必 须加正偏才 形成n沟道
零偏下，n 沟道存在， 栅极外加负 电压，降低 沟道电导
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沟道类型
表面反型沟道
体内埋沟
MISFET既可以是表面沟道，也可以是埋沟，主要是表面 沟道 耗尽型通常是采用埋沟，理论上，选择合适的功函数，调 节阈值电压，也可实现。
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根据以上公式,可采用以下的方法调制阈值电压 a) 离子注入沟道区控制掺杂浓度，可调整阈值电压 进行硼离子注入， 控制剂量峰值在 SiO2-Si界面，使VT 增加。 b) 改变氧化层厚度，可调整阈值电压 氧化层厚度增加，n沟MOSFET 的阈值电压更大，p沟更负。 c) 衬底偏压会影响阈值电压 衬源之间反偏，耗尽区加宽， 必须提高阈值电压达到反型。 d) 选择适当的栅极材料调整功函数差 用衬底偏压调整阈值电压 21
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亚阈值摆幅S，对应亚阈 值电流减小一个量级对应 的栅电压的变化。S越小 （亚阈值斜率越尖锐）， 次开启特性越好。
S [ (lg I D ) / VG ]1
典型值：
70 mV ~ 100 mV / decade
VG VT 0.5V
MOSFET的亚阈值特性 亚阈值电流可忽略
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为了在同一芯片上集成越来越多的晶体管，器件尺寸要缩小．
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短沟道效应 1。线性区阈值电压下跌，绝对值降低 用电荷共享模型解释 2。饱和区漏场感应势垒下降 3。本体穿通： 随着沟道长度的缩短，源 结和漏结的耗尽层宽度与 沟道长度相当，贯通时， 两个耗尽层连在一起。栅 极无法控制电流。 4。迁移率的变化（高场 效应，表面散射）
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下面讨论 ID~VD关系。
首先给出反型层中用于传导电流的沟道电荷: 工作于线 性区的 MOSFET 薄层电荷模型 在x方向，强反型时的反型层 厚度为零。在x方向无压降。 当漏电压VD=0时，VG=Vi+ψs 沟道漏极压降 沟道区 放大 漏极加电压时，有电流通过反 型层，则有电压降，从源 漏，电压0VD，逐渐增加。 漏端表面势： 沟道漏 极压降
Z VD 2 2SqNA ID nC0{[ VG 2 B ]VD [(VD 2 B )3/ 2 (2 B )3/ 2]} L 2 3 C0 12
根据以上关系，得到理想ID~VD特性： 线性区，VD很小
Z I D nC 0 [VG VT ]VD L
VT
4-2 场效应晶体管
主要内容： • MOSFET的基本工作原理 • 结型场效应晶体管 • 金属-半导体场效应晶体管
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场效应晶体管,FET, field effect transistor 利用垂直于导电沟道的输入电压的电场作用，控制导电沟 道输出电流的一种半导体器件. FET与双极晶体管（势效应晶体管PET的典型代表）的比较：
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(QSC )
s VD 2 B
反型层中的表面势：
s ( y ) V y 2 B
半导体中距源y处单位面积感生的总电荷：
QS ( y ) Vi Ci [VG S ( y )]Ci
Y处表 面势 栅电 容i/d
反型层内的电荷：
2 B V ( y )
Qn ( y ) QS ( y ) Q SC ( y ) [VG S ( y )]Ci QSC ( y )
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N沟MOSFET的两维能带图
始 饱和 饱和 之后
半导体表面反型的情况---VG>VT 沟道的作用 相当于电阻 反型层宽度 减小到零
夹断点的电 压保持不变
MOSFET的工作状态和输出特性
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根据理想条件，可得到MOSFET的基本特性。 1。栅结构为理想MOS电容，无界面陷阱，无氧化层电荷和 功函数差。如果有氧化层固定电荷和功函数差，只要考虑平 带电压 VFB， 2。只考虑漂移电流。 3。载流子在反型层中的迁移率是常数 4。沟道掺杂均匀 5。反向漏电流很小，可忽略 6。沟道内的横向电场（垂直于电流）比纵向电场（平行于 电流）大得多，即长沟道近似。
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大于阈值 在整个漏偏压范围，器件处于 穿通状态 电流强烈依赖于漏电压
小于阈值 7um, 长沟，亚阈值电流与VD无关 3um,短沟，亚阈值电流依赖于VD 1.5um,长沟道特性丧失，器件不能 关闭。
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5) 阈值电压 VT：强反型时对应的外加电压 理想阈值电压：
VT 2 S qN A ( 2 B ) 2 B C0
固定氧化层电荷，功函数差， 衬底偏压影响理想阈值电压
2 S qN A ( 2 B VBS ) VT VFB 2 B C0
平带 电压
衬底源 极偏压 MOSFET阈值电压与衬底掺 杂浓度的关系
xi
Z g L
xi
dy dy dy的沟道电阻： dR gL Z n | Q n ( y ) |
dy上的电压降： dV I D dR
Z n qn ( x ) dx ( x ) dx L 0 0 Z n | Qn | L
I D dy 从源到漏积分， Z n | Q n ( y ) | 考虑边界条件：
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FET JFET (p-n结栅) IGFET (绝缘栅)
MESFET (肖特基栅) MOSFET/ MISFET
(氧化物/电介质）
HFET (宽带隙）
MODFET
场效应晶体管家族谱系
(掺杂宽带隙）
HIGFET
(不掺杂宽带隙） 5
1. MOS 场效应晶体管,MOSFET
1) 基本工作原理 四端器件 沟道长度:L 沟道宽度:Z 氧化层厚度:d 结深:rj ,衬底掺杂NA 以源接触为电压参考点
VT下降值，通过确定电荷量得到
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线性区： VDS小， 例如VDS<0.1V 此时，可以假定漏极， 源极，MOS结构的耗尽 区宽度相同。
WS WD WDm

电荷守恒模型
L L ) 梯形内总的体耗尽层电荷： QB qN A ZWDm ( 2
长沟道近似下，总的体耗尽层电荷： QB 0 qN A ZWDm L 关键是求出L’
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DIBL也是一种二维效应，在表面下结深附近影响最大 VD 对源漏间势垒的影响通过结区电荷实现
x rj ri + ++ xj ++++++++ +
正负电荷对x点处势垒的影响
qj qi V ( ) 4 s 0 ri rj 1
前一项为主，造成势垒降低，在结深附近影响最大 后一项为次，造成势垒上升，rj大且分散，影响小 VD很大，造成源漏穿通，穿通路径主要在表面下结深附近
6）MOSFET按比例缩小-集成电路中的应用 源和漏结的耗尽层宽度变得与沟道长度可比拟容易造成源 漏穿通，要提高沟道掺杂浓度。 高的沟道掺杂阈值电压增加，为了控制得到合适的值，要 降低氧化层厚度。 器件参数相互关联。 为了保持最佳性能，要按照一定的比例缩小，包括尺寸、掺 杂情况等－－按比例缩小的法则。 但是随着沟道长度的减少，对长沟道特性的偏离是不可避 免的。要考虑沟道边缘扰动，器件特性不再遵守长沟道近 似。短沟道效应
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n
n沟MOSFET沟道反型层内 迁移率和纵向电场的关系
电荷共享模型
QSC VT VFB 2 B Ci
长沟道，沟道电荷可作一 维分析，只考虑垂直于表 面方向的电场，即，由栅 电荷完全平衡反型层电荷 和耗尽层内的电荷。 ABCD方框内的电荷
QB 为了屏蔽栅压VG, 半导体
表面耗尽区的电荷.
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3）亚阈值区 VG<VT 也叫次开启特性：Subthreshold 一般认为当VGS<VT时，即当栅压低于阈值电压，半导体表面 仅为弱反型时，MOSFET不导通，实际上并非绝对不通。 但电流ID随着VGS的减小而急剧下降，称为亚阈值特性。相应 的漏电流为亚阈值电流。 在小电压小功率应用下的开关电路中很重要。 弱反型时，认为表面电势(S<2B) 沿沟道分布是平的， 即在源和漏之间不存在电场，沟道内电场Ey=0。 在亚阈值区内， 漏极电流由扩散而不是漂移主导。 将MOSFET视为n-p-n双极晶体管，漏极电流相当于反偏 时的集电极的电流。
阈值 电压
沟道电导
2 S qN A ( 2 B ) 2 B C0