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三相整流桥模块 Diode Module
MFS500A
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三相整流桥模块 Diode Module
VDRM=VRRM
Tj=25℃ Tj=125℃ Tj=125℃ Tj=25℃ Tj=125℃
MAX. MAX. MAX.
MAX.
Value
1.2 0.75 2.0 50 3.0
Unit V V
mΩ
uA mA
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三相整流桥模块 Diode Module
MFS500A
matters needing attention: 1、模块实际负载电流大于 5A 时务必要加装散热器，需提供良好的通风条件。 2、模块管芯工作结温：二极管和可控硅为-40℃∽150℃；工作环境温度高于 40℃时，
MAX. MAX. MAX.
MAX.
Value
1.55 0.85 2.0 50 3.0
Unit V V
mΩ
uA mA
DIODE STATIC CHARACTERISTICS
Symbol
Test Conditions
VFM VFO Rd
IDRM IRRM
ITM=600A tp=380us Threshold voltage Dynamlc resistance
150
600
150 150 150源自150IFM=500A
25
180°正弦半波，单面散热
180°正弦半波，单面散热
50HZ ， R.M.S ， t=1min
Iiso:1mA(max)
与散热器固定
2500 -40
M384
参数值 典型
最大 500
单位 A
1600
1800 V
15
mA
4.8 KA
115 103A2S
0.80
V
2.8 mΩ
1.15
1.35
V
0.09 ℃/W
0.07 ℃/W
V
4.0±15%
N·m
5.0±15%
N·m
125
℃
1300
g
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三相整流桥模块 Diode Module
Viso
绝缘电压
Fm
Tsbg Wt Outline
安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 储存温度 质量（约）
测试条件
三相全波整流电路，Tc=100℃ VRRM tp=10ms VRsM=VRRM+200V VRM= VRRM 10ms 底宽，正弦半波 VR=0.6 VRRM
结温 Tj（℃） 最小
150
三相整流桥模块 Diode Module
attribute data
■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的温
度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻
typical application
■变频器 ■交直流电机控制 ■各种整流电源
MFS500A
IO VRRM IFSM I2t
应优化散热通风条件。 3、模块工作后会发热，在设备未断电及模块未完全冷却降温之前，严禁用手触摸模块
的任何部位。
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MFS500A
THYRISTOR STATIC CHARACTERISTICS
Symbol
Test Conditions
VTM VTO Rd
IDRM IRRM
ITM=600A tp=380us Threshold voltage Dynamlc resistance
VDRM=VRRM
Tj=25℃ Tj=125℃ Tj=125℃ Tj=25℃ Tj=125℃
500A 600~1800V
4.8 KA 115 103A2S
符号
参数
IO
直流输出电流
VRRM 反向重复峰值电压
IRRM IFSM I2t VFO rF VFM Rth(j-c) Rth(c-h)
反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平均时间积 门槛电压 斜率电阻 正向峰值电压 热阻抗（结至壳） 热阻抗（结至散）