exp (
qV1 kT
)
若 q(VD1 V1 ) EC
则
J

Ad
exp(
qVD
EC kt
)[exp(qV kT
)
1]
（4）第四种情况 1 2 , 1 2 Eg2 1 Eg1
Eg1
qVD1
qVD1 EC
ΔEc qVD
2
Eg2
J

Ad
exp(
(
qV kT
)
1
A

qNA2
DP1 LP1
（2）第二种情况
1 2 ,1 2 , 1 Eg1 2 Eg 2
Eg2
Eg1 qVD1
qVD2 ΔEV
（3）第三种情况 1 2 ,1 2 , 1 Eg1 2 Eg 2
第三种情况能带图的伏安特性关系式为：
qVD1 EC
Eg1 qVD1
Eg2 ΔEV qVD2
此种情况与第三种情况能带图qVD1>ΔEc时的伏安特性关系式相同
（4）第四种情况 1 2 ,1 2 , 1 Eg1 2 Eg 2
qVD1 EC
Eg2
Eg1
qVD1
qVD2 ΔEV
此种情况与第三种情况能带图qVD1<ΔEc时的伏安特性关系式相同
第三种情况主要有： pN-PbS/GaAs
第四种情况主要有： pN-GaSbAs/InGaAs
3.1.2 nP异质结能带图
基于Anderson 模型的nP能带图也分为4种情况：
（1）第一种情况 1 2 ,1 2
Eg1 qVD1
Eg2 qVD2 ΔEV
1 2 Eg2
Eg1 qVD1
Eg2
J

Ad
exp(
EC qVD kt
)[exp(qV kT
) 1]
其中，
Ad

qND2
D n1 Ln2
（3）第三种情况 1 2 ,1 2 , 1 Eg1 2 Eg2
Eg1
qVD1
ΔEc qVD2
Eg2
qVD1 EC
J

Ad
exp(
qVD
EC kt
Eg2 ΔEV qVD2
1 2 Eg2
第一种情况能带图的伏安特性关系式为：
J

Aexp(
EV qVD2 kT
)

exp
(
qV2 kT
) exp (
qV1 kT
)
第二种情况能带图的伏安特性关系式为：
J

Aexp(
EV qVD kT
)

exp
Eg2
ΔEV qVD2
qVD1 EC
（3）第三种情况 1 2 ,1 2 , 1 Eg1 2 Eg 2
qVD1 EC
Eg2
Eg1
qVD1
ΔEV qVD2
此种情况伏安特性关系式为：
J

Aexp(

qVD 2 kT
)
exp
(
qV2 kT
)

exp (
3.1 突变反型异质结能带图
3.1.1 pN异质结能带图
根据两种半导体材料的电子亲和能、禁带宽度和功函数的不同，基于 Anderson模型的pN异质结能带图通常分为4种情况：
qVD1 Eg1
ΔEc qVD2
Eg2
qVD1 Eg1
ΔEc qVD2
Eg2
1 2 ,1 2 , 2 1 Eg1 1 2 ,1 2 , 2 1 Eg1
J

Aexp(
EV qVD kT
)

exp
(
qV kT
) 1
当正向偏压使能带图中的
负尖峰势垒（对空穴而言）
即q(VD1-V1)<ΔEV时，相应
Eg1
的伏安特性关系式为：
qVD1
J

Aexp(

qVD 2 kT
)
exp
(
qV2 kT
)
exp (
qV1 kT
)
qVD
EC kt
)[exp(qV kT
)
1]
与第三种情况qVD1>ΔEC时,伏安特性关系式相同
qVD1 Eg1
qVD1 EC
ΔEc qVD
2
Eg2
J

Ad
exp(


qVD 2 kT
)

exp
(
qV2 kT
)
exp (
qV1 kT
)
与第三种情况qVD1<ΔEC时,伏安特性关系式相同
qV1 kT
)
当反向偏压使能带图中的负尖峰势垒（对空穴而言）即q(VD1+︱V1︱) <ΔEV时， 相应的伏安特性关系式为：
J

A exp(
qVD EV kT
) exp(

qV kT
) 1

（4）第四种情况 1 2 ,1 2 , 1 Eg1 2 Eg 2
文献报道中的nP异质结能带图大多数都属于第三种情况， 例如： nP-Ge/GaAs, nP-Si/GaP, nP-InSb/Si, nP-InAs/ZnTe, nPGaAs/GaP
第二种情况主要有： nP-CdSe/ZnTe, nP-CdSe/Se
第一种情况和第四种情况很少在文献中出现
3. 2 突变同型异质结能带图
)[exp(qV kT
)
1]
J

Ad
exp(

qVD 2 kT
)

exp
(
qV2 kT
)
exp (
qV1 kT
)
q(VD1 V1) EC
qVD1 Eg1
qVD1 EC
ΔEc qVD2 Eg2
J

Ad
exp(
qVD2 kT
)

exp
(
qV2 kT
)
（1）第一种情况
第一种情况能带图的伏安特性关系式为：
J

Ad
exp(
EC qVD2 kT
)

exp
(
qV2 kT
) exp (
qV1 kT
)
其中，Ad

qND2
D n1 Ln2
（2）第二种情况 1 2 1 Eg1,1 2
qVD1 Eg1
ΔEc qVD2
根据两种半导体材料的电子亲和能、禁带宽度和功函数的不同，基于 Anderson模型的nN异质结能带图通常分为4种情况：
（1）第一种情况 1 2 ,1 2 , 1 Eg1 2 Eg 2
文献报道中的pN异质结能带图大多数都属于第三种情况， 例如： pN-Ge/Si, pN-Ge/GaAs, pN-Ge/ZnSe, pN-Si/GaAs, pNSi/ZnS, pN-GaAs/GaP, pN-PbS/Ge, pN-PbS/Cds
第二种情况主要有： pN-Si/CdSe, pN-Si/CdS, pN-GaAs/ZnSe, pN-ZnTe/ZnSe, pN-ZnTe/Cd