集成电路工艺基础
氧化
1、SiO 2的特性和作用
2、SiO 2 的结构分为哪两种
3、什么是桥键氧和非桥键氧
4、在无定形的SiO2中，Si 、O 那个运动能力强，为什么？
5、热氧化法生长SiO2过程中，氧化生长的方向是什么？
6、SiO 2只与什么酸、碱发生反应？
7、杂质在S iO 2中的存在形式。

8、水汽对SiO 2网络的影响。

9、选用SiO 2作为掩蔽的原因。

是否可以作为任何杂质的掩蔽材料？为什么？
10、制备SiO 2有哪几种方法？
11、什么是Si 的热氧化法？热生长SiO 2的特点。

12、生长一个单位厚度的SiO 2需要消耗多少单位的S i ？
13、热氧化分为哪几种方法？各自的特点是什么？
14、实际生产中选用哪种生长方法制备较厚的SiO 2层？
15、分析Si 的热氧化的两种极限情况。

16、热氧化速率受氧化剂在SiO 2的扩散系数和与Si 的反应速度中较快还是较慢的影响？
17、SiO 2生长厚度与时间的关系
18、氧化剂分压、温度对氧化速度的影响。

19、Si 表面晶向对氧化速率的影响。

20、什么是硅氧化时杂质的分凝现象？
21、纳和氯对氧化的影响 当氧化层中如果含有高浓度钠时，则线性和抛物型氧化速率都明显变大；在干氧氧化的气氛中加氯，氧化速率常数明显变大。

22、SiO 2和Si-SiO 2界面中的四种类型电荷，解释可动离子电荷的主要存在形式和危害。

扩散
1、什么是扩散？扩散有哪几种形式？
2、什么是间隙式杂质？什么是替位式杂质？
3、为什么替位式杂质的运动相比间隙式杂质运动更为困难？
4、菲克第一定律、菲克第二定律、扩散系数
) 1 4 / 1 ( 2 2 - + = B A x o t + τ A )
/exp(kT E D D o
∆-=
5、扩散的两种经典模型，各自的边界条件和初始条件
6、恒定源扩散的杂质浓度服从什么分布，其缺点？
7、有限表面源扩散杂质浓度服从什么分布？任何时刻的表面浓度是什么？
8、为什么要用两步扩散法？
9、解释为什么在氧化层下方扩散能力得到加强？
10、什么是发射区推进效应？
11、什么是二维扩散？对器件有何影响？
离子注入
1、离子注入的主要特点。

2、什么是LSS理论？
3、核阻止和电子阻止分别可视为哪两种模型？
4、什么是投影射程？什么是平均投影射程？
5、注入离子的能量可分为几个区域？分别作出解释
6、什么是沟道效应？怎么避免？
7、离子注入怎样形成浅结？
8、注入离子与靶原子碰撞时出现几种情况？
9、什么是级联碰撞？
10、注入离子在Si衬底产生哪三种损伤？
11、以B和AS为例计算80kev的轻离子与重离子对Si衬底产生的损伤百分比
12、什么是热退火？退火的目的是什么？
13、解释硼的退火特性。

14
PVD（物理气相淀积）
1、PVD的工艺特点？基本方法有哪些？各有何特点？
2、简述真空蒸发的基本过程。

3、什么是辉光放电？
4、什么是等离子体？
5、什么是溅射？简述溅射法的基本过程。

CVD（化学气相淀积）
1、CVD的工艺特点及基本步骤。

2、CVD必须满足的几个条件。

3、边界层理论中描述了两个梯度，分别是什么？怎么产生的？
4、CVD过程主要受到那两步工艺过程控制?
5、简述CVD过程中存在的两种极限情况。

6、温度和气体流速对淀积速率的影响是怎样的？为什么？
7、CVD系统的分类。

8、Si3N4的主要特点是什么？在ULSI中主要有哪些应用？
外延
1、外延的定义和分类。

2、生长速率与温度的关系。

3、生长速率与反应剂浓度的关系。

4、什么是扩散效应？
5、什么是自掺杂效应？
6、如何衡量外延层的质量？
光刻
1、什么是光刻？为什么说光刻是半导体工艺中最为重要的一个环节？
2、ULSI中对光刻的要求。

3、简述光刻工艺流程。

4、一般采用哪种方式涂胶？转速对涂胶有什么影响？
5、前烘的作用。

6、前烘时间和温度控制不合适对光刻的影响。

7、影响显影效果的主要因素。

8、坚膜的主要作用。

9、分别描述去胶的几种方法。

10、列出光刻胶的基本属性。

11、干法和湿法腐蚀的各自优缺点。

金属化与多层互连
1、金属化的用途。

2、集成电路中金属材料的基本要求。

3、Al-Si接触中谁向对方扩散？
4、Al-Si接触中的尖楔现象。

5、为什么厚SiO2膜的尖楔现象较为突出？
6、解决尖楔现象的方法。

7、什么是电迁移现象？
8、列出引入铜金属化的优点。

（1、电阻率小；2、可以减小功耗；3、更高的集
成密度；4、良好的抗电迁移性能和尖楔；5、大马土革方法有效减少工艺20%-30%。

）
9、多层互联技术的引入有何优点（延迟，电容，集成度）？（P.300）。