25细分。在3卦限用|ctg|
ctg Acos u2 1.33 Asin u1 2.56
因 此 对 应 的 =26.65° ， 由 于 26.65°/1.8°=14.81 ， 所 以
k=15。
7-4 在图7-9所示只读存储器256细分电路中，请计算 第A000(十六进制)单元的存储值。
A000( 十 六 进 制 ) 对 应 的 二 进 制 为 1010000000000000 ， 即 X=10100000 、 Y=00000000 ， 对 应 十 进 制 X=160 、 Y=0 ， 由下式
2π arctg Y 128 X 128
(X 128, Y 128)
可得θ=284°，284°×（256/360°）=201.96，取整为202， 对应的二进制为11001010。
因此，A000(十六进制)单元的存储值为11001010，对应 十进制为202。
7-5 在图7-14a所示的鉴相电路中为什么要设置门槛， 门槛电路是如何工作的？
图7-31为一单稳辨向电路，输入信号 A、B为相位差90的方波信号，分析其 辨向原理，并分别就A导前B 90、B导
前A 90的情况，画出A、Uo1、Uo2的波
形。
A
A
B
B
A
A
B
B
A'
A'
Uo1
Uo1
Uo2
Uo2
当A导前B 90时，Uo1有输出，Uo2无输出，当 B导前A 90时，Uo1无输出，Uo2有输出，实现 辨向。
7-3 若测得待细分的正余弦信号某时刻值为u1=2.65V, u2=-1.33V，采用微机对信号进行200细分，请判别其所属
卦限，并求出对应的值和k值。
某时刻正弦信号值为u1=2.65V, 余弦信号值为 u2=-1.33V， 根据两信 号的极性 （u1为+、u2为-）和绝对值大小 （|u1|〉|u2|），可判别出信号在3卦限。 由于对信号进行200细分，因此在一个卦限内，需实现
①在触发之后是双向导通的；
②触发电压不分极性，只要绝对值 达到触发门限值即可使双向晶闸管 导通。
ZL
IL
+E
P1
R5
R1 Ui
VD
VLC V1
4N25
R2
R3
b2
VS
V2
e b1
C
R4
P2
~u
A V3 K
G
图8-4 交流半波导通功率驱动电路
按照电路所控制的负载电源类型分类， 常见的有直流电源负载驱动电路和交流 电源负载驱动电路等类型
（一）晶体管直流负载功率驱动电路
负载所需的电流不太大
+Ec
VD ZL 驱动电路
设计要点:
合理确定Ui、R与V的电流放大系数 值之间的数值关系，充分满足
I b I L / ，可确保V导通时工作于 饱和区，以降低V的导通电阻及减小 功耗。
阳极 A 门极 G
阴极 K 图8-3a 单向晶闸管图形符号
单向晶闸管的工作状况：
一、导通条件 二、关断条件
晶闸管导通条件：
在阳极A与阴极K之间加正向电 压，同时在门极G与阴极K之间 加正向电压（触发），这样阳 极A与阴极K之间即进入导通状 态。晶闸管一旦导通，只要阳 极A与阴极K之间的电流不小于 其维持电流IH，门极G与阴极K 之间是否还存在正向电压，对
第八章 逻辑控制电路
二值可控元件驱动电路 可编程逻辑器件
第一节 二值可控元件驱动电路
一、功率开关驱动电路 二、继电器与电磁阀驱动电路 三、步进电动机驱动电路
一、功率开关驱动电路
分类：
按照电路中所采用的功率器件类型分类， 常见的有晶体管驱动电路、场效应管驱 动电路和晶闸管驱动电路等类型。
按照电路所驱动的负载类型分类，常见 的有电阻性负载驱动电路和电感性负载 驱动电路等类型。
已经导通的晶闸管完全没有影 响。
阳极 A
门极 G 阴极 K
晶闸管关断条件：
主电极阳极A与阴极K之间的电流小 于其维持电流IH，晶闸管即进入关 断状态。
双向晶闸管亦称双向半导体开关元件（TRIAC）
电极 MT2
电极 MT1
门极 G
图8-3b 双向晶闸管图形符号
与单向晶闸管相比较，双向晶闸管 的主要区别是：
鉴相电路若没有设置门槛，会有在平衡点附近 振摆跟踪的问题。鉴相电路设置门槛（见图714a），只是在鉴相电路中加有两个RC延时回 路 只 于 达 高 1延4c开U有时起电）j的门D信门平，G上电号槛的1只有升平，的相有可。前也作位D能若，G可用差2输U有U起。信jd出与可已门在号低U能经槛Ud，电的输上j作超当平相出跳用前U、位低，。时j 滞U差电就调（j后很平的不节见U小,上会电图dU，升发时阻d7在是生要-（R1U4UU和滞图bjdx）后到 为电的7-， 容C可改变门槛的大小。
（二）场效应晶体管直流负载功率驱动电路
用于功率驱动电路的场效应晶体管称为 功率场效应晶体管。功率场效应晶体管 是电压控制器件，具有很高的输入阻抗， 所需的驱动功率很小，对驱动电路要求 较低。功率场效应晶体管具有较高的开 启阈值电压，有较高的噪声容限和抗干 扰能力。
场效应晶体管大多数为绝缘栅型场效应 管，亦称MOS场效应管。功率场效应 晶体管在制造中多采用V沟槽工艺，简 称为VMOS场效应管。其改进型则称为 TMOS场效应管
漏极 D
+Ec
栅极 G
V DS
源极 S
VD ZL IL
R Ui
V
VS
a)
b)
图8-2 场效应晶体管功率驱动电路 a)VMOS场效应管电极 b)场效应管驱动电路
（三）晶闸管交流负载功率驱动电路
交流负载的功率驱动电路，通常采用晶 闸管来构成。晶闸管有单向晶闸管和双 向晶闸管两种类型。
单向晶闸管亦称单向可控硅（SCR）
控制电路
开环控制 闭环控制
(一) 开环控制
测量电路
传感器 扰动量
给定 机构
设定 电路
放大 电路
变换 电路
控制电路
执行 机构
被控 输出 对象
图1-8 开环控制系统的基本组成
精度不高:
一、对扰动的测量误差影响控制精度。 二、扰动模型的不精确性影响控制精度。
加校正电路
主要考虑从发现输出量发生变化到执行控制需 要一段时间，为了提高响应速度常引入微分环 节。 另外，当输出量在扰动影响下作周期变化时， 由于控制作用的滞后，可能产生振荡。为了防 止振荡，需要引入适当的积分环节。在实际电 路中，往往比较电路的输出先经放大再送入校 正电路，视需要可能再次放大