作业3：光刻1
1. 对于NA ＝0.6的曝光系统，设k 1＝0.6，k 2＝0.5。

考虑100 nm
到1000 nm 之间的波长（DUV 至可见光），计算其在不同的曝光波长下的理论分辨率和焦深，并作图。

在图中标示出常用的光刻波长（i 线，g 线，KrF 和ArF ）。

根据计算和图，请说明ArF 对于0.13 μm 和0.1 μm 技术是否足够？
2、 计算有9块掩模工艺的的最终成品率。

掩膜中有4块平均致命
缺陷密度为0.1cm -2， 4块为0.25 cm -2，还有一块为1.0 cm -2，芯片面积为50mm 2.
3、 一个X 光接近式曝光系统，使用的光子能量为1 keV ，如果版
和硅片的间距为20 μm ，估算该系统所能达到的理论衍射分辨率。

（注：λ/hC E =）。

4、 假定某种光刻胶可以MTF ＝0.3分辨图形，如果曝光系统的
NA ＝0.4，S ＝0.5。

则采用i 线光源时光刻分辨的最小尺寸为多少？（选做）。