度d的关系：
VH
RH
IB d
式中RH为霍尔系数，它与载流子浓度n和载流子电
量q的关系：
1
RH nq
若令霍尔灵敏度KH=RH/d，则 U H K H IB
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霍尔元件中的附加效应
在霍尔效应建立的同时还会伴有其它附加效应 的产生，在霍尔元件上测得的电压是各种附加电 压叠加的结果。
附加电压 1.不等势电压Uo （不等势效应 ）＝Is . R
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注意事项
1.Is, Im的正确调零； 2.Is, Im的正确组合切换； 3.读数应以小数点的正确位置； 4.采取开关切换次数最少的测法； 5.B=K .Im ,K为常数，记录在线圈上。
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基本要求
• 数据记录 • 思考与作业
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思考与作业
1.根据测得的UH~Im与UH~Is的关系，绘 制UH~Im与UБайду номын сангаас~Is的关系;
通过该实验可以了解霍尔效应的物理原理以及把物理 原理应用到测量技术中的基本过程。
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预备知识
•霍尔效应 •霍尔元件中的附加效应
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霍尔效应
当电流垂直于外磁场方向通过导体时，在垂直于磁场 和电流方向的导体的两个端面之间出现电势差的现象 称为霍尔效应，该电势差称为霍尔电势差（霍尔电 压）。
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霍尔效应
霍尔电压UH与电流I和磁感应强度B及元件的厚
大学物理实验
实验九 霍尔效应及应用
物理教研室
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主要内容
实验简介 预备知识
设计思路 操作指南
基本要求
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实验简介
霍尔效应是一种磁电效应，是美国研究生霍尔1879 年研究载流导体在磁场中受力的性质时发现的。
根据霍尔效应，人们用半导体材料制成霍尔元件，它 具有对磁场敏感、结构简单、体积小、输出电压变化大 和使用寿命长等优点，因此，在检测、自动化、信息处 理等领域得到广泛的应用。
2.用逐差法处理数据 ，求出UH/Is以及UH/ Im ,从而求得RH ，并正确表示结果；
3.根据求得的RH,计算样品的载流子浓度， 电导率以及迁移率。
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霍尔元件中的附加效应
2.温差电效应引起的附加电压UE （厄廷好森效应） 3.热磁效应直接引起的附加电压UN （能斯特效应） 4. 热磁效应产生温差引起的附加电压UR（里纪－
勒杜克效应 ）
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消除附加电压
为了减小附加效应对测量霍耳电压UH的影响， 我们采用对称测量法，即将I和B正反两个方向 组合出四种情况： U1(+I, +B) 、U2(+I ,-B)、 U3(-I ,-B) 和U4(-I ,B) 霍尔电压的测量结果为：
1 U H 4 (U1 U 2 U3 U 4 )
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操作指南
• 实验装置 • 操作要点
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霍尔件实元 验装置
KH值
励磁线 圈
工作电 路
测量电 路
励磁电 路
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操作要点
1. 按装置连接电路，然后对Is, I m调零，此时UH应显 示为零；
2. 测量UH ～Is关系（保持Im＝0.6A）; 3. 测量UH ～Im关系（保持Is＝3.00mA）; 4. 测量Uσ值; 5. 确定样品的导电类型。