2019/11/25
海南科技职业学院
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电工电子技术
作者： 符庆
第7章 常用半导体器件
1. 半导体 2. PN结 3. 二极管 4. 双极型晶体管BJT 5. 场效应晶体管FET 6. 晶闸管(可控硅)
结构 检测 放大原理 特性曲线 主要参数 三种状态 三大作用
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区的载流子，减少载流子在基区复合的机会。
集电区面积比发射区大——便于收集由发射区来的 载流子和散热。
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基极b(base)
集电极c(collector) 发射极e(emitter)
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7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
（2）外部条件：
发射结加正向电压(也叫正偏置)；Vb>Ve
作者：符庆
掺杂浓度高
三极管的结构并不是对称的，所以发射极和集电极不能对调使用。
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二、三极管的检测
作者：符庆
NPN型三极管的直流测量等效电路如图3-5，
PNP型三极管的直流测量等效电路如图3-6。 将数字多用表置于 档，按图3-3、图3-4的接法测量 三极管（接B极的表笔不变换，而另一支表笔分别接三极管
电工电子技术 11级模具(1)班 共60学时
第1章 直流电路 第2章 交流电路 第3章 磁路和变压器 第4章 直流电机 第5章 交流异步电动机和控制电机 第6章 常用电动机控制电路 第7章 常用半导体器件 第8章 基本放大电路 第9章 集成运算放大器及其应用 第10章 直流稳压电源 第11章 数字电子技术基础 第12章 组合逻辑电路 第13章 时序逻辑电路 2019/11/25 第14章 电工电子技术的计算机辅助分析与设计
c IC
集电结加反向电压(也叫反偏置)。Vc>Vb
ICBO
c
NPN管：Vc>Vb>Ve c
b
PNP管：Vc<Vb<Ve b
IB
b
e
工作过程： e
（3）C区收集B区扩散过来的电子
Rb
（2）电子在B区复合、扩散
U BE
e
IE
作者：符庆
N
Rc
P
N
U CE
（1）E区向B区扩散电子
微小的基极电流 IB，可以控制较大的集电极电流 IC，
ebc ecb c be bce
的另外两脚），表头会有读数（一般为700～900Ω左右）；
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7.2.1 双极型晶体管
作者：符庆
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
三极管的放大作用 电流放大
（1）内部条件（结构特点）：
发射区掺杂浓度高——以便有足够的载流子供“发 基射区”很。薄，掺杂浓度低——控制由发射区运动到集电
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作者：符庆
第7章 常用半导体器件
7.2 双极型晶体管和场效应晶体管
三极管
双极型晶体管 BJT
Bipolar Junction Transistor
场效应晶体管 FET
Field Effect Transistor
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作者：符庆
第7章 常用半导体器件
7.2 双极型晶体管和场效应晶体管
Rb
UBE eIE源自U CCU BB60
UCE1V
40
IB ( A)
20
0 0.2 0.8 UBE(V)
阀值电压VBE
硅 Si：0.5~0.7V 锗Ge：0.2~0.3V
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UCE 0 UCE 1V
U BE (V )
0
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7.2.1 双极型晶体管
作者：符庆
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
＝β
——交流电流放大系数

IC＝β IB IE＝IB+ IC
IE＝ (1+β ) IB
IE=IC+IB
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7.2.1 双极型晶体管
作者：符庆
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
四、特性曲线（输入曲线、输出曲线） c IC
1.输入曲线：
IB b
UCE
Rc
IB(A) 80
四、特性曲线（输入曲线、输出曲线）
1.输入曲线： IB(A)
80
2.输出曲线：
ICM IC(mA ) 20
β
IC Ib
100A
60
UCE1V
饱和区 15
40
20
IC＝β IB 10
0 0.2 0.8 UBE(V)
5
阀值电压VBE
硅 Si：0.5~0.7V 锗Ge：0.2~0.3V
放大区
80A 60A 40A
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作者： 符庆
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电工电子技术
作者： 符庆
第7章 常用半导体器件
7.1 PN结和半导体二极管………………143
7.2 双极型晶体管和场效应晶体管……147 7.2.1 双极型晶体管………………147 7.2.2 场效应晶体管………………151
7.3 晶闸管和单结晶体管………………156 7.3.1 晶闸管………………………156 7.3.2 单结晶体管…………………158
四、特性曲线（输入曲线、输出曲线） c IC
2.输出曲线： IC
IB b
UCE
Rc
Rb
UBE e
IE
U CC
U BB
IB 一定
IB ( A)
0
UCE
饱和
压降
UCE 1V
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U BE (V )
0
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7.2.1 双极型晶体管
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三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
VBE≥ 0.7V
所以三极管是电流控制元件。 IE=IC+IB
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7.2.1 双极型晶体管
作者：符庆
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
（2）外部条件：集发电射结 结加加反正向向电电压压((也也叫叫反正偏偏置置))。；
Vb>Ve Vc>Vb
IC IB
＝β
——直流电流放大系数
△IC △IB
20A IB=0
三极管的三种工作状态：
1.截止 2.放大 3.饱和
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3 饱和压降：
0.2~0.3V
6 9 12 UCE(V)
截止区
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三极管的三种工作状态：
(NPN 硅管)
作者：符庆
IB b
c IC
UCE
RC
RBVBE e
UCC
IE
UBB
1.截止状态 2.放大状态
VBE＜ 0.5V IB= 0 UCE= VCC
三极管
硅管 锗管
NPN管 PNP管
NPN管 PNP管
NPN
PNP
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三极管是组成各种电子电路的核心器件。 三极管的发明，使PN结的应用发生了质的飞跃。
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7.2.1 双极型晶体管
BJT---双极 结型晶体管 一、基本结构（集电结、发射结）
面积大， 掺杂浓度适度
区域薄， 掺杂浓度低