（2）上升时间tr——集电极电流从0.1ICS上升到 0.9ICS所需的时间。
（3）存储时间ts——从输入信号vi下跳变的瞬间 开始，到集电极电流iC下降到0.9ICS所需的时 间。
（4）下降时间tf——集电极电流从0.9ICS下降 到0.1ICS所需的时间。
数字电子技术基础第二章逻辑门电路 基础[1]
l （一）双极型三极管的静态开关特性
u 判断三极管工作状态的解题思路：
Ø （1）把三极管从电路中拿走，在此电路拓扑结构下求三极管 的发射结电压，若发射结反偏或零偏或小于死区电压值，则三 极管截止。若发射结正偏，则三极管可能处于放大状态或处于 饱和状态，需要进一步判断。进入步骤（2）。
Ø （2）把三极管放入电路中，电路的拓扑结构回到从前。假设 三极管处于临界饱和状态（三极管既可以认为是处于饱和状态 也可以认为是处于放大状态，在放大区和饱和区的交界区域， 此时时的三特极征管IC=既ßI有B）饱，和求状此态时时三的极特管征的VC集ES电=极0.临3V界，饱又和有电放流大I状CS 态， 进极而管求的出集基 电极极临可界能饱流和过电的流最大IBS电。流集。电极临界饱和电流ICS是三
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（二）二极管的动态开关特性
•给二极管电路加入一个方波信号，电流的波形怎样呢？
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•ts为存储时 间 •tt称为渡越时 间 •tre ＝ ts 十 tt 称 为 反 向 恢 复时间
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第一节 二极管、三极管的开关特性
l的动态开关特性
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l （一）二极管的静态开关特性
•二极管正偏时导通，管压降为0V，流过二极管的电流大小 决定于外电路，相当于开关闭合。二极管反偏时截止，流过 二极管的电流为0，相当于开关打开，二极管两端电压的大 小决定于外电路。这就是二极管的静态开关特性。
对输入脉冲的要求
ton = td + tr toff = ts + tf
l 输入信号vi的正半周的宽度> ton l 输入信号vi的负半周的宽度> toff
以保证三极管能可靠进入饱和状态和截止状态
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三、MOS管的开关特性
l （一）MOS管的静态开关特性
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• 解：（1）vi＝3V
•因为iB＞IBS 所以三极管处于饱和状态，如图2-15中 的E点所示。
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•（2）vi＝-2V
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•（二）双极型三极管的动态开关特 性
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（1）延迟时间td—— 从输入信号vi正跳变的 瞬 间开始，到集电极电流iC上升到0.1ICS所需的 时间
数字电子技术基础-第二 章--逻辑门电路基础
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2020/11/21
数字电子技术基础第二章逻辑门电路 基础[1]
本章主要内容
l 第一节 二极管、三极管的开关特性 l 第二节 二极管逻辑门电路 l 第三节 TTL逻辑门电路 l 第四节 射极耦合逻辑门电路 l 第五节 CMOS逻辑门电路 l 第六节 各种逻辑的门电路之间的接口问题
• 同理，二极管从截止转为正向导通也需要时间，这段 时间称为开通时间。开通时间比反向恢复时间要小得多， 一般可以忽略不计。
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l 2. 对输入信号 vi的要求
u 输入信号vi的负半周的宽度应大于tre ，这样二极 管才具有单向导电性。若小于，二极管还没有到 达截止状态，就又必须随输入脉冲而导通，从而 失去单向导电性。
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l （二）MOS管的动态开关特性
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第二节 二极管逻辑门电路
l 概念
u 高电平 u 低电平 u 正逻辑体制 u 负逻辑体制
•例2-1 判断图电路中三极管的状态，其中Rb=2k ，RC=2k， VCC=12V，ß=50。
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•例2-5 电路及参数如图所示，三极管的VBE=0.7V，β＝60，输入电压vi取 值3V和-2V。 •（1）当vi＝3V时判断三极管的状态，并求出iC和vo的值。 •（2）当vi＝-2V时判断三极管的状态，并求出iC和vo的值。
u 输入信号vi的正半周的宽度要求比较低。 u 输入信号vi的频率不可太高，由tre时间决定
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l 二、双极型三极管的开关特性
u （一）双极型三极管的静态开关特性 u （二）双极型三极管的动态开关特性
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l 1. 反向恢复过程
u 通常把二极管从正向导通转为反向截止所经历 的转换过程称为反向恢复过程。
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产生反向恢复过程的原因：电荷存储效应
反向恢复时间tre就是存储电荷消散所需要的时间。
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Ø （3）在原始电路拓扑结构基础上，求出三极管的基极支路中 实际流动的电流iB。
Ø （4）比较iB和IBS的大小： Ø 若iB > IBS（或者 ß iB > ICS），则三极管处于饱和状态。 Ø 若iB < IBS （或者 ß iB < ICS），则三极管处于放大状态。
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