位错密度的测量
XRD和TEM均可以用来测定金属材料中的位错密度，两者有 所区别。 （1）首先，TEM方法给出的是微区的位错密度，而XRD给出 的是材料宏观区域的位错密度。用TEM方法测定材料位错 密度时必须考虑材料组织的不均匀性。 （2）一般情况下，TEM方法仅适用于低形变量、较低位错密 度的材料，而XRD则对形变量无要求。 Williamson 和 Hall(WH)在上世纪五十年代提出了由晶粒尺寸 和微应变引起的衍射峰宽化模型计算位错密度的方法
XRD测定位错密度
XRD测定位错密度
TEM观察位错
1、对位错组态的观察 2、探索liamson 和 Hall(WH)在上世纪五十年代提出了由晶粒 尺寸和微应变引起的衍射峰宽化模型计算位错密度的方法， 称为WH方法。
（1） 为由晶面间距的变化(位错、 固溶原子等引起晶格畸变)造成的衍 射半高宽； （2） 为由相干衍射域颗粒尺寸 细化(晶粒、层错以及孪晶尺寸) 造成的半高宽 （3） 分别为所测试样和标 准无变形试样的半高宽 （4） 为{hkl}衍射峰半高宽