正片电镀制程
PTH&CUI： 1.工藝流程：去脂平整→微蚀→酸洗→预活化
→活化→速化→化学镀铜→整板镀铜 2.流程說明： (1).去脂平整：(去脂平整劑、水)



作用：A.去除板面的油污、指印等髒污； B.使孔壁及板面形成一层带正电的皮膜, 利于孔壁吸附活化槽带负电的Sn,Pd胶团； C.平整鑽孔後的孔壁狀況；
(4).鍍銅：

負片電鍍制程：
銅槽槽液組成及控制含量：

CuSO4.5H2O:60-100g/l H2SO4: 160-220g/l 氯离子 :30-80ppm 光澤劑：0.5%（百分比含量）
控制參數：


阳极铜块之含磷量: 0.04-0.065% 温 度: 20-37℃ 阴极电流密度: 20-25ASF
負片電鍍制程：
(3).酸洗：（3－5%硫酸） 作用：

A.去除微蝕過程產生在板面的銅鹽，徹底清潔銅面。 B.使线路板在进入铜缸之前,不生成氧化铜,以免影响 结合力 C.作為銅槽的緩沖槽，避免後工序銅槽的銅含量被帶 入的水所稀釋劑。
作用:在线路和孔内鍍一层均匀的铜,提高线路板的导电 性能, 为焊锡提供良好的基体；
正片电镀制程
3.孔破
a、活化槽液浓度失调 b、PTH段各槽之震动泵
4.孔塞
1、前站来料不良，孔内
坏掉 c、化学铜槽液各项药水 比例失调 d、孔内有汽泡未排出 e、速化时间过久


有树脂、残屑 2、前处理机切削力不够， 有毛刺未刷掉 3、化学铜铜离子浓度偏 高 4、挂具硝化不良，污染 槽液 5、铜槽受到金属污染
正片电镀制程
我司二部正片電鍍制程能力指標： Throughing power ≧80% 镀层厚度在800-1600u“.（依据客户要 求） 镀层均匀性：>85% 最大纵横比：6：1
正片电镀制程
後處理：
1.流程：酸洗→高壓水洗→烘干→收板 2.目的：
A.去除下板後存放期間板面的氧化；
电镀制程讲义
研发部：柯尊平
课程目录
前言
正＼负片制程简介 Panel plating 制程讲解（二部电镀制程） 工艺流程简介 各工序说明及管制重点 常见问题处理
Pattern plating制程讲解（一部电镀制程） 讲解项目（同上）
前言
１．电镀的目的： 使钻孔后非金属化的孔壁沉镀上客人要求规格 厚度的铜，以达到各层互连、内外导通的目的。 2.电镀工艺简述: PCB工艺流程分正片法制作和负片法制作两种;
结束！
谢谢大家！
負片電鍍制程：
管制重点： １．槽液中的基本成分控制在规格内： Cu２＋：１４０－１７０g/l

Cl : 170-180 g/l pH: 8.1-8.8 以控制好pH和Ｏ２
３．控制好槽液温度50±2聂氏度 ４．子液添加系统调试适宜，控制好子液添加
B.干燥板面，便於檢驗及轉運
正片电镀制程
砂帶研磨： 工藝流程：放板→第一面研磨→翻板→第二面 研磨→高壓水洗→烘干收板 作用：利用砂帶可作直線研磨特性，整平因镀 铜时产生高低电流区銅厚的差异以及鍍銅所產 生的銅顆粒，輔助提高外層良率。 制程管制參數：

砂帶目數：600＃ 更換頻率：每1000個WPNL更換砂帶
負片電鍍制程：
蝕刻：
1.工藝流程：去膜→蝕銅→剝錫 2.工藝流程簡介： (1)去膜：（ NaOH浓度0.7-0.9N）
作用：利用NaOH的强碱性对油墨(或干膜)的高分子碳链进
行攻击,使之断裂,从板面上剥离下来，为后工序的蚀铜作 准备。
控制重点:

A.NaOH浓度 B.温度 C.去墨时间 控制不当会出现铜面氧化或流锡现象,导致后制程之蚀刻不良
負片電鍍制程：
(2)蚀刻：(PC-500型碱性蚀刻液) 作用:

利用蚀铜液喷洒于板面,将去膜后裸露的铜面蚀刻掉, 而所需的线路均受纯锡层的保护而保留下来,形成所 需的线路图形;
反应机理: 主要使用Cu(NH3)4cl2中Cu２＋为氧化剂与金属铜面 反应，反应后生产Cu(NH3)２cl，该物质中Cu为一价， 无溶铜能力，需在有过量的氨水＼氯离子和氧化加 入的情形下，继续反应生成Cu(NH3)4cl2而重新具备 蚀铜能力。
負片電鍍制程：
(5).錫鉛預浸：

作用：


A.除去铜面的氧化物,使线路板在进入锡铅槽之前, 表面不生成氧化物,保证铜与锡铅的结合力； B.作為錫槽的緩沖槽，避免後工序錫槽的酸、錫 的含量被帶入的水所稀釋劑而呈現不穩定狀態；
(6).鍍錫：

作用：在线路板的铜面和孔内电镀一层錫（厚
度≧140U”），以保护线路和孔内铜层在蝕刻 時不被咬蝕。
正片流程的电镀制程
１．工艺流程简介：
前处理→（Desmear）→PTH@CUI→后处理→整平→下
工序 ２．工艺流程说明： 前处理：



流程：酸洗→水洗→刷磨→高压水洗→超音波清洗→烘 干 作用： Ａ．利用酸洗去除铜面氧化物； Ｂ．通过磨刷去除钻孔产生的巴厘、通过磨刷增大铜面 表面积，以利后工序沉铜增强结合力； C ．通过高压水洗及超音波水洗彻底清洁孔壁;
正／负片流程对比
正片工艺流程（我司二部制程）

裁板→内层→ OPE冲孔→棕化→压合→钻孔→电镀 (Ｄesmear → PTH → CUI →外层Ｄ/F → 显影→ 蚀刻 → 去膜→中检→防焊→文字→表面加工→成型→成检 →OQC
负片工艺流程：（我司一部制程）

裁板→内层→ OPE冲孔→棕化→压合→钻孔→电镀 （Ｄesmear → PTH → CUI)→外层Ｄ/F → 显影→ 电 镀（镀CUII/Sn →去膜→ 蚀铜→ 剥Sn)→中检→防焊 →文字→表面加工→成型→成检→OQC
正片电镀制程
(4).預活化： 作用：是活化槽的緩沖槽，与活化液配套使用,
减少前面之药水对活化造成毒化、污染，為保 护活化而设； (5).活化： 作用：活化的作用是在绝缘基体上吸附一层具 有催化能力的钯，使基体表面具有还原銅的能 力；
正片电镀制程
(5).速化： 作用：用酸将附着在钯团外的锡壳剥掉，露出钯原子， 促使铜原子吸附； (6).化學銅： 作用：利用氧化還原反应的機理使孔内沉积一层化 学 CU，厚度在10-40 u”左右，以達到金 屬化 孔壁的目的 (7).整板電鍍： 作用：加厚經過PTH工序後已金屬化的孔壁，使孔銅 厚度達到客人要求，銅層物性達到產品需求。 镀层要求：均匀、细致、无麻点针孔，有良好的深镀 能力，与基铜结合牢固,不会出现脱皮起泡、烧焦不良 现象。
負片電鍍制程：
剥锡：

作用：镀锡层作为蚀刻阻挡层,在蚀刻完成后,其使
命已完成,因此须将其剥除,使我们所需之铜层裸露 出来．
工艺说明：（剥Ａ＼剥Ｂ双液型） 1.从A液出来剥除板面灰色锡壳,露出银灰色的锡铜 合金界面为宜. 2.经B液剥除界面合金,露出光亮铜面,从B液出来看 小孔及板角高电流区孔内是否剥锡干净,剥锡不 净,则重浸B液直到剥干净为止.
正片电镀制程
電鍍機理：含有硫酸銅和硫酸的镀液,在直流电
作用下,发生电极反应:

阳极：CU-2e→CU2+ 阴极：CU2+ +2e→CU
镀液的成份与浓度控制: A.硫酸铜：80±10g/l
B.硫酸：200±10g/l
C. CL-：45-60ppm D. 光泽剂控制在0.5%(V%)左右
正片电镀制程
5.镀层不平 a、氯离子不足。 b、光泽剂调整不当。
c、板面受到污染
THE END!
負片電鍍制程：
１．工艺流程简介： （前处理→Desmear＆PTH→CUI→后处理）→
外層D/F→CUII（鍍錫）→蝕刻（去膜、蝕銅、 剝錫）
２．工艺流程说明： 注：以上括號中紅色字體標識之工序與之前講
正片电镀制程
(2).微蝕：(硫酸、雙氧水) 作用：A.粗糙銅面，增大銅面的表面積，利於
後工序沉銅與基材的良好結合； B.將板面銅咬蝕掉的同時，去除去脂平 整時附於板面的正電皮膜，減少活化鈀在銅面 的浪費； (3).酸洗：(3%-5%的硫酸) 作用：去除微蚀时产生在板面的铜盐，避免污 染
正片电镀制程
常見問題及處理方式：
1.、镀层针孔

2、镀层粗糙、烧焦
a、光泽剂不够 b、电流过大 c、打气量过小或搅拌循环
a、添加剂不足 b、镀液有机物污染嚴重 c、空气搅拌及循环量不 够。 d、电流密度过大 e、过滤机漏气
不足 d、阳极袋有破洞 e、铜含量太低 f、靠近阳极太近
正片电镀制程
Desmear:（除胶渣） 流程：膨松槽→除胶渣→中和→水洗→烘干 作用：钻孔时因钻头高速旋转,在孔壁形成环氧树脂钻污， 除膠渣的作用是使内层的铜环显露出与后续之镀铜紧密 结合，并能粗糙环氧树脂表面,提高镀铜与基体结合力， 并使内外层导通。 各工序作用及槽液組份： 膨松槽：使孔壁熔融狀態的环氧树脂溶胀,利于下步高 锰酸钾对其攻击、去除。药水含膨松剂与NaOH KMnO4:在高温高碱环境下利用KMnO4Q强氧化除去孔壁环 氧树脂；(KMnO4、NaOH) 中和:除去孔内残留的锰酸根，清潔孔壁；(硫酸、雙氧 水)
正片电镀制程
各成份的作用及影響度：
主要成份为CuSO4.5H2O、H2S04。随着溶液中H2S04浓度提
高，CuSO4的溶解度降低,但导电性会提高；溶液中 CuS04浓度太低,高电流区镀层易烧焦,浓度高,分散能 力下降。 CL-:氯离子是阳极活化剂,协同添加剂使镀层光亮,CL浓度太低,镀层中出现粗糙镀层花斑,氯离子浓度过高使 镀层,失去光泽性 光泽剂:溶液中光泽剂浓度太低导致：镀层粗糙、光亮 度、平整度差，当添加剂过多时阳极易产生纯化。