硅片等级分类及标准（150×150）
一、优等品(Ⅰ类片)
1、物理、化学特性
①型号:P 晶向〈100〉±1°；
②氧含量: ≤1.0×1018at/cm3；
③碳含量: ≤5×1016at/cm3；
④少子寿命:τ=1.3-3.0μs(在测试电压≥20mv下裸片的数据)；
⑤电阻率: 0.9-1.2、1.2-3.0、3.0-6.0Ω·cm；
⑥位错密度：≤3000个/cm2；
2、几何尺寸
①边长：125×125±0.5mm；
②对角：150×150±0.5mm；
③同心度：任意两弧的弦长之差≤1mm;
④垂直度：任意两边的夹角90°±0.3°；
⑤厚度：200±20μm; (中心点厚度≥195μm,边缘四点厚度≥180 μm) 180±20μm; (中心点厚度≥175μm,边缘四点厚度≥160 μm)
⑥TTV：≤30μm;
⑦弯曲度：≤40μm；
3、表面指标
①线痕：无可视线痕；
②目视表面：无沾污、无水渍、染色、白斑、指印等；
③无崩边、无可视裂纹、边缘光滑、目视无翘曲；
二、合格品（Ⅱ类片）
1、物理化学特性
①型号:P 晶向〈100〉±1°；
②氧含量: ≤1.0×1018at/cm3；
③碳含量: ≤5×1016at/cm3；
④少子寿命:τ=1.0-1.2μs(在测试电压≥20mv下裸片的数据)；
⑤电阻率:0.5-0.8Ω·cm；
⑥位错密度：≤3000个/cm2；
2、几何尺寸
①边长：125×125±0.5mm；
②对角：150×150±0.5mm；
③同心度：任意两弧的弦长之差≤1.5mm;
④垂直度：任意两边的夹角90°±0.3°；
⑤厚度：200±20μm;(中心点厚度≥195μm,边缘四点厚度≥180 μm)
180±20μm;(中心点厚度≥175μm,边缘四点厚度≥160 μm)
⑥TTV：≤30μm;
⑦弯曲度：≤40μm；
3、表面指标
①线痕：无明显线痕、触摸无凹凸感。

②崩边范围：崩边口不是“V”型、长×深≤1×0.5mm，个数≤1个/片；无
可视裂纹、边缘光滑、目视无翘曲；
三、等外品（Ⅲ类片）
1、物理、化学特性
①型号:PN 晶向〈100〉±3°；
②氧含量: ≤1.0×1018at/cm3；
③碳含量: ≤5×1016at/cm3；
④少子寿命:τ＜1.0μs(在测试电压≥20m下裸片的数据)；
⑤电阻率: ≤0.5Ω·cm；
⑥位错密度：＞3000个/cm2；
2、几何尺寸
①边长：125×125±1.0mm；
②对角：150×150±1.0mm；
③同心度：任意两弧的弦长之差≤1.5mm;
④垂直度：任意两边的夹角90°±0.5°；
⑤厚度：＜160μm
3、表面指标
①有明显线痕、触摸有凹凸感。

说明：只要满足第三条“等外品（Ⅲ类片）”的任意一项就判为不合格品。

品管部
2008年11月11日。