北京理工大学远程教育学院
《模拟电子技术》模拟题第四套
一、填空（2×10=20分）
1 . P沟道增强型MOS管工作在截止区的条件_________________，欲使其能放大信号，则应将其设置在区。

2．为稳定输出电流，应引入负反馈。

3．场效应管属于控制器件。

4．双极型（BJT）构成的互补推挽电路采用的组态电路，原因是。

5．假设某放大电路只有一个耦合电容，当该电容增大时，电路的下限频率会随
着。

6. 集成电路一般采用耦合电路。

7．运放共模抑制比的定义为，理想情况下该值为。

二、分析与计算（50分）
1. （20分）放大电路如图
2.1所示，R
G1=100K，R
G2
=50K，R
D
=10K，R
s1
=0.2K，R
s2
=1.8K
R
L
=10K；场效应管T的参数如下：K n=0.25mA/V2，V th=2V，r ds=∞。

（I D=D D(D DD−D DD)2）
1)计算晶体管T
1的静态工作点I
DQ
，V
GSQ
和V
DSQ
；
2)g
m
, 中频电压放大倍数A v，输入电阻R i和输出电阻R o；
2. （20分）（1）说出理想运放的5个特征；
（2）运放组成的电路如图2.2所示，分析该电路的功能。

（3）推导出v o1-v o2的表达式，以及v o 的表达式。

+V =+1R
R
R
R C C
v
v
图
R
R C
R
R
v
v
v
R R R R
R
v
v
图。