第二章综合训练
一、填空题（在空白处填上合适的答案）
1.三极管内有三个区，即区、区、区；有两个PN结，即结和结。
2.三极管发射区掺杂浓度较，以利于发射区向基区发射载流子；基区很薄，掺杂，以利于载流子通过；集电区比发射区体积大且掺杂，以利于收集载流子。
3.晶体三极管有多种分类方法，以内部三个区的半导体类型分有型和型；以工作频率可分为管和管；以用途可分为管和管；以半导体材料可分为管和管。
4.三极管内电流分配关系是。
当I B有一微小变化时，就能引起I C有较大的变化，这种现象称为三极管的作用。
5.当三极管的发射结和集电结都正偏时，它就处于状态；当两者都反偏时，它处于状态。
6.三极管的三种联接方式是、和。
7.电流放大系数β是衡量三极管的能力的重要指标。
β值太大，则三极管的差；β值太小，则三极管的差。
、
8.场效应管又称为极型三极管，它是用控制，所以是控制型器件。
9.晶体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而，由于硅三极管的穿透电流比锗三极管的要，所以材料三极管的热稳定性要好。
10.一般情况下，晶体三极管的电流放大系数会随温度的升高而。
11.对于NPN型三极管，放大时其三个极的电位关系是，饱和时三个极的电位关系是；对于PNP型三极管，放大时其三个极管的电位关系是，饱和时三个极的电位关系是。
12.某NPN型三极管，若：①V BE>0，V BE< V CE，则管子是状态；②V BE<0，V BE< V CE，则管子是状态；③V BE>0，V BE >V CE，则管子是状态。
13.某PNP型三极管，若：①V BE<0，V BE> V CE，则管子是状态；②V BE>0，V BE> V CE，则管子是状态；③V BE<0，V BE< V CE，则管子是状态。
14. 结型场效应管的转移特性曲线显示在一定的下，和间的关系；结型场效应管的输出特性曲线是指在一定的下，和间的关系。
输出特性曲线可分为三人眍，即区、区和区。
15.绝缘栅场效应简称管，可分为型和两种。
二、判断题（对的打“√”，错的打“×”）
1.三极管是由两个PN结组成的，所以可用两个二有管构成一只三极管。
（）
2.晶体三极管是电压控制器件，场效应管是电流控制器件。
（）
3.晶体三极管的穿透电流I CEO越小，其温度稳定性越好。
（）
4.当三极管的发射结反偏或两端电压为零时，三极管处于截止状态。
（）
5.一只晶体三极管的I B=0.04mA，I C=0.36mA，则其I E=0.32mA。
（）
6.只要电路中三极管的I C<I CM，该三极管就可安全工作。
（）
三、选择题
1.以下三极管的联接方式中错误的是（）。
A B C D
2.三极管的共发射极接法中，各极电流的分配关系是（）。
A. I C=I E+I B
B. I E=I C+I B
C.I B=I C+ I E
D.I B≈I C
3.晶体三极管发射结、集电结均正偏，则三极管所处的状态是（）。
A.放大状态
B.截止状态
C.饱和状态
D.不定
4.对三极管放大作用的实质，下列说法正确的是（）。
A.三极管可把小能量放大成大能量
B.三极管把小电流放大成大电压
C.三极管可把小电流放大成大电压
D.三极管用较小电流控制大电流
5.要使三极管工作在放大区，则须其（）。
A.发射结正偏，集电结反偏
B.发射结反偏，集电结正偏
C.发射结正偏，集电结正偏
D.发射结反偏，集电结反偏
6.下列参数中不是三极管的极限参数是（）。
A.I CEO
B. I CM
C.P CM
D.V（BR）CEO
7.在三极管的输出特性曲线中，当I B=0时的I C是（）。
A.0
B. I CM
C. I CEO
D. I CBO
8.用于放大时，场效应管工作在特性曲线的（）。
A.断区
B.可变电阻区
C.饱和（恒流）区
D.击穿区
9.某NPN型三极管的V B=4.7V，V C=4.3V，V E=4V，则该三极管的工作状态是（）状态。
A.放大
B.截止
C.饱和
D.不定
10.当晶体三极管的两个PN结均反偏时，其I C值（）。
A.很大
B.基本为零
C.随着I B变化
D.随着V CE变化
11.测量某放大状态管子b、e、c三极的对地电位分别为-1V，-0.7V，-12V，则该管为（）。
A.NPN型硅管
B.NPN型锗管
C.PNP型硅管
D.PNP型锗管
12.某三极管工作时的电流如下：I B1=10μA，I C1=0.56mA；I B2=20μA，I C2=1.14mA。
则该三极管的β值为（）。
A.50
B.54
C.58
D.60
13.某三极管的发射结两端电压为零，则该管处于（）状态。
A.放大
B.截止
C.饱和
D.不定
14.三极管的恒流特性是指（）
A. I B值不变，I C变化
B.I B一定时，I C恒定（不随V CE变化）
C.I B一定时，V CE恒定
D.三极管工作在饱和状态
15.用万用表的R×1KΩ档估测NPN型三极管的I CEO，若测得的集-射极间的电阻为80千欧，则说明该管（）。
A.内部断路，I CEO=0
B.内部短路，I CEO无穷大
C.I CEO较小，管子能用
D. I CEO较大，管子不能用
16.场效应管中导电的载流子主要是（）。
A.多子
B.少子
C.多子和少子
D.不确定
17.图2-4所示符号为（）的符号。
A.增强型NMOS管
B.增强型PMOS管
C.耗尽型NMOS管
D.耗尽型PMOS管图
18.下图所示电路中，工作在放大状态的是（）。
（图中各管均为硅管）
19.对某处于放大状态的三极管各电极测试的对地电位如图2-5所示，下列对管型、管脚、管子材料判断正确的是（）。
A.NPN型硅管：①e,②b,③c
B.NPN型锗管：③c,②b,①e
C.PNP型硅管：②b,③c,①e
D.PNP型锗管：①e,②b,③
20.结型场效应管的输入电阻为（）。
图2-5
A.几十欧姆
B.可达1015Ω
C.107～108Ω
D.几千欧姆
21.硅和锗晶体三极管的饱和压降分别为（）。
A.0.3V、01.V
B.0.3V、0.7V
C.0.5V、0.7V
D.0.2V、0.5V
22结型场效应管正常工作时，以下说法正确的是（）。
A.栅—源极电压V GS>0
B. 栅-源极电压V GS>0
C.PN结反偏
D.PN结正偏
23.当温度升高时，三极管的V BE将怎样（）。
A.变大
B.变小
C.基本不变
D.不定
24.当温度升高时，三极管的I CEO将怎样（）。
A.变大
B.变小
C.基本不变
D.不定
25.对于NPN型，当V BE>0, V BE>V CE,则管子的工作状态是（）。
A.放大
B.截止
C.饱和
D.不确定
四、分析与计算题
1.已知三极管的β=59，若I B=20μA，则该管的I C=？I E=？（忽略I CEO）
2.已知某三极管的I B1=10μA时，I C1=1.18mA；I B2=40μA时，I C2=2.98mA。
（1）求该三极管的β值为多少？（2）当I B3=50μA时，对应的I C3为多少？
3.已知某三极管的I E =5.1mA,
=50。
求I B 、I C 各是多少？
4.判断下图中各三极管处于何种工作状态。
（PNP 管为锗管，NPN 管为硅管）
发射结 偏， 发射结 偏，发射结 偏，发射结
偏，发射结 偏，
集电结 偏， 集电结 偏， 集电结 偏， 集电结 偏， 集电结 偏
工作处于 工作处于 工作处于 工作处于 工作处于
状态。
状态。
状态。
状态。
状态。
5.已知结型场效应管的△V GS =0.1V ，g m =100 A/V 。
求△I D =？
6.某三极管的电路如图2-6所示，已知V BE =0.7V ，β=40。
求I B 、I C 、及V CE 。
V CC
R b 400k Ω
图2-6
7.如图2-7所示是某三极管的输出特性曲线。
求：
（1）在V CE=8V及I B=200μA时的H FE（忽略I CEO）；
（2）当V CE=8V时，I B由100μA变化到200μA时的β值。
CE
图2-7。