第一章、半导体器件（附答案）一、选择题1．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 ________A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2．设二极管的端电压为 u ，则二极管的电流方程是 ________A. B. C.3．稳压管的稳压是其工作在 ________A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿区4．V U GS 0=时，能够工作在恒流区的场效应管有 ________A. 结型场效应管B. 增强型 MOS 管C. 耗尽型 MOS 管5．对PN 结增加反向电压时，参与导电的是 ________A. 多数载流子B. 少数载流子C. 既有多数载流子又有少数载流子6．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 _____A. 增加B. 减少C. 不变7．用万用表的 R × 100 Ω档和 R × 1K Ω档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量结果 ______A. 相同B. 第一次测量植比第二次大C. 第一次测量植比第二次小8．面接触型二极管适用于 ____A. 高频检波电路B. 工频整流电路9．下列型号的二极管中可用于检波电路的锗二极管是： ____A. 2CZ11B. 2CP10C. 2CW11D.2AP610．当温度为20℃时测得某二极管的在路电压为V U D 7.0=。

若其他参数不变，当温度上升到40℃，则D U 的大小将 ____A. 等于 0.7VB. 大于 0.7VC. 小于 0.7V11．当两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来，可组成的稳压值有 _____A. 两种B. 三种C. 四种12．在图中，稳压管1W V 和2W V 的稳压值分别为6V 和7V ，且工作在稳压状态，由此可知输出电压O U 为 _____A. 6VB. 7VC. 0VD. 1V13．将一只稳压管和一只普通二极管串联后，可得到的稳压值是（ ）A. 两种B. 三种C. 四种14．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 __（1）__，而少数载流子的浓度与 __（2）__有很大关系。

（1）A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷（2）A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷15．当 PN 结外加正向电压时，扩散电流__（1）__漂移电流，耗尽层__（2）__，当 PN 结外加反向电压时，扩散电流 __（3）__漂移电流，耗尽层 __（4）__。

（1）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 变宽 E. 变窄 F. 不变（2）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 变宽 E. 变窄 F. 不变（3）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 变宽 E. 变窄 F. 不变（4）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 变宽 E. 变窄 F. 不变16．甲、乙、丙三个二极管的正、反向特性如表 1.6 所示，你认为哪一个二极管的性能最好？A. 甲B. 乙C. 丙17. 一个硅二极管在正向电压V U D 6.0=时，正向电流mA I D 10=。

若D U 增大到0.66V（即增加10%），则电流D I ________A. 约为11mA （也增加10%）B. 约为20mA （增大1倍）C. 约为100mA （增大到原先的10倍）D. 仍为10 mA （基本不变）18. 在如下图所示的电路中，当电源V1=5V 时，测得I=1mA 。

若把电源电压调整V1=10V ，则电流的大小将V1=5V 是 ________。

A. I =2mAB. I 〈2mAC. I 〉2mA21. 在P 型半导体中，多数载流子是 _（1）_，在N 型半导体中，多数载流子是 _（2）（1）A. 正离子 B. 自由电子 C. 负离子 D. 空穴（1）A. 正离子 B. 自由电子 C. 负离子 D. 空穴23. 本征半导体温度升高以后，自由电子和空穴的变化情况是________。

A. 自由电子数目增加，空穴数目不变B. 空穴数目增加，自由电子数目不变C. 自由电子和空穴数目等量增加24. N 型半导体__（1）__， P 型半导体__（2）__。

（1）A. 带正电 B. 带负电 C. 呈电中性（2）A. 带正电 B. 带负电 C. 呈电中性26. PN 结外加反向电压时，其内电场________。

A. 减弱B. 不变C. 增强27. PN 结在外加正向电压的作用下，扩散电流_______漂移电流。

A. 大于B. 小于C. 等于28. 在本征半导体中加入__（1）__ 元素可形成N 型半导体，加入__（2）__ 元素可形成P 型半导体。

（1） A. 五价 B. 四价 C. 三价（2） A. 五价 B. 四价 C. 三价29. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 _________A. 增大B. 不变C. 减小30. 工作在放大区的某三极管，如果当B I 从12μA 增大22μ A 时，C I 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 __________A. 83B. 91C. 10031. 硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零，只有在外加电压达到约_____V 时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的死区电压。

与硅二极管一样，只有在锗三极管上外加正向电压达到约_____V 时，正向电流才明显增加。

这个电压称为锗二极管的死区电压。

（1） A. 0.7V B. 0.2V C. 0.5V D.0.3V（2） A. 0.7V B. 0.2V C. 0.5V D.0.3V二、判断题(正确的选“Y”，错误的选“N”)1. P 型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。

（Y ） （N ）2. 在N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质改型为P 型半导体。

（Y ） （N ）3. P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

（Y ） （N ）4. PN 结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。

（Y ） （N ）5. 漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。

（Y ） （N ）6. 由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电流流过。

（Y ） （N ）7. PN 结方程可以描述 PN 结的正向、特性和反向特性，也可以描述PN 结的反向击穿特性。

（Y ） （N ）8．N 型半导体的多数载流子是电子，因此N 型半导体带负电。

（Y ） （N ）11．在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。

（Y ） （N ）12．当外加反向电压增加时， PN 结的结电容将会增大。

（Y ） （N ）13．通常的 BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。

（Y ） （N ）14．通常的 JEFT 管在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。

（Y ） （N ）15．当环境温度升高时，本征半导体中自由电子的数量增加，而空穴的数量基本不变。

（Y ） （N ）16．当环境温度升高时，本征半导体中空穴和自由电子的数量都增加，且它们增加的数量相等。

（Y ） （N ）17． P 型半导体中的多数载流子都是空穴，因此， P 型半导体带正电。

（Y ） （N ）18． PN 结中的空间电荷区是由带电的正，负离子形成的，因而它的电阻率很高。

（Y ） （N ）19． 半导体二极管是根据 PN 结单向导电的特性制成。

因此，半导体二极管也具有单向导电性。

（Y ） （N ）21．当二极管两端加正向电压时，二极管中有很大的正向电流通过。

这个正向电流是由P 型和N 型半导体中多数载流子的扩散运动产生的。

（Y）（N）22．用万用表判断二极管的极性，若测得二极管的电阻很小，那么，与万用表的红表笔相接的电极是二极管的负极，与黑表笔相接的是二极管的正极。

（Y）（N）24．用万用表欧姆挡测量二极管的正相电阻，用R × 1 档测出的电阻值和用R × 100 挡测出的电阻值不相同，说明这个二极管的性能不稳定。

（Y）（N）25．漂移电流是少数载流子形成的。

（Y）（N）26．当晶体二极管加反向电压时，将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由P 型和N 型半导体中少数载流子的漂移运动产生的。

（Y）（N）27. 普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿都是不可逆的。

（Y）（N）28. 正偏时二极管的动态内阻随着流过二极管的正向电流的增加而减小。

（Y）（N）29. 发光二极管内部仍有一个PN结，因而他同普通二极管一样导通后的正向压降为0.3V或0.7V 。

（Y）（N）30. 发光二极管的发光颜色是由采用的半导体的材料决定的。

（Y）（N）31. 稳压二极管只要加上反向电压就能起到稳压作用。

（Y）（N）32. 整流二极管一般都采用面接触型或平面型硅二极管。

（Y）（N）33. 硅二极管存在一个结电容，这仅是由引脚和壳体形成的。

（Y）（N）34. P 型半导体可以通过在本征半导体中掺入五价磷元素而得到。

（Y）（N）35. N 型半导体可以通过在本征半导体正掺入三价铟元素而得到。

（Y）（N）36. N 型半导体中，掺入高浓度的三价元素，可以改变为P 型半导体。

（Y）（N）37．漂移电流是在内电场作用先形成的。

（Y）（N）38．导体的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。

（Y）（N）39．导体中的空穴的移动是借助于相邻价电子于空穴复合而移动的。

（Y）（N）40．施主杂质成为离子后是正离子。

（Y）（N）41．受主杂质成为离子后是负离子。

（Y）（N）43．极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的击穿特性。

（Y）（N）题目系太原电力高等专科学校精品课程—电子技术基础http://211.82.16.84/wljx/jpkc/dzjs/exam/md01.asp其中缺少题号的题目是与已有的题目重复，故没有写出。

答案是本人参考各资料整理，旨在学习交流，如有错误，敬请指正。

liuyj_chuxi@答案：选择题：1~5. ACCAB 6~10. ACBDC第9题中，2表示二极管，三极管则为3，A、B表示材料锗，C、D表示材料硅，A、C表示N型，P表示普通，W表示稳压，Z表示整流，后面阿拉伯数字表示序号。

11~15. CDA(1)C(2)A(1)A(2)E(3)B(4)D11题中两个稳压管D1和D2，稳定电压分别是V1和V2，正向导通电压都是0.7V，当D1和D2都反接即工作在稳压状态时，稳定电压为V1+V2，若都正接即导通状态时，稳定电压为07V+0.7V＝1.4V，若一个反接一个正接，则为V1+0.7V或V2+0.7V，所以共有4个稳压值。

13题中，稳压管D1和普通二极管D2，D1的稳定电压是V1，二者的正向导通电压都是0.7V，当二者都反接时，则输出电压为输入电压；若D1反接，D2正接，则稳压值为V1+0.7V ，当二者都正接，则稳压值为0.7+0.7＝1.4V ，若D1正接，D2反接，则输出仍为输入电压。