第一章半导体器件基础测试题（高三）姓名班次分数一、选择题1、N 型半导体是在本征半导体中加入下列 ___________ 物质而形成的。

A 、电子；B 、空穴；C 、三价元素；D 、五价元素。

2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是A 、掺杂的工艺；B 、杂质的浓度:C 、温度；D 、晶体的缺陷。

3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是 _______________ 。

A 、发射结正偏、集电结反偏； B 、发射结正偏、集电结正偏; C 、发射结反偏、集电结正偏；D 、发射结反偏、集电结反偏;4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是 _____________________ 。

A 、发射结正偏、集电结反偏； B 、发射结正偏、集电结正偏; C 、发射结反偏、集电结正偏；D 、发射结反偏、集电结反偏;5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是 A 、发射结正偏、集电结反偏； C 、发射结反偏、集电结正偏；6、理想二极管组成的电路如下图所示，其 A 、一 12V ； B 、一 6V ； C 、+6V ；D 、+12V 。

7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是 __________________ 。

A 、运用它的反向特性；B 、锗管使用在反向击穿区；C 、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；D 、都使用正向区域。

8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是 _______________________ A 、 用万用表的R X 100或R X 1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转; B 、 用万用表的R X 10K 的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；C 、 用万用表的R X 100或R X 1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转;D 、用万用表的R X 10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转;9、电路如下图所示，则 A 、B 两点的电压正确的是 ________________B 、发射结正偏、集电结正偏; D 、发射结反偏、集电结反偏;AB 两端的电压是 _____________A、U A=3.5V , U B=3.5V , D 截止;n-JkB、U A=3.5V, U B=1.0V , D 截止；C、U A=1.0V, U B=3. 5V , D 导通;D、U A=1.0V , U B=1. 0V, D 截止。

10、稳压二极管在电路中的接法，正确的说法是_________________________ 。

A、稳压管是正向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的正极，负极接电源的负极；B、稳压管是反向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的负极，负极接电源的正极；C、稳压管是正向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的高电位，负极接电源的低电位。

D、稳压管是反向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的低电位，负极接电源的高电位。

11、电路如下图所示，当电路输入端的电压发生变化时，会引起输出电压的变化，则下列四种变化中正确的是________________________A、U— U4T |W— |R—U R—UH；B、U U O I W J T I R U R U O J;C、U ff U O J T I W J T I R ff U R ff U O J；D、U ff U O J T I W J T I R J T U R J T U O J。

12、对于三极管放大作用来说，下列说法中最确切的是________________________A、三极管具有电压放大作用；B、三极管具有功率放大作用；C、三极管具有电流放大作用；D、三极管具有能量放大作用。

13、对于二极管来说，下列说法中错误的是A、二极管具有单向导电性；C、二极管具有箝位功能；14、对于三极管的输入特性，下列说法正确的是A、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与B、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与C、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与D、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与15、下图中两只二极管的导通状态是__________A、D1、D2 导通；B、D1、D2截止; B、二极管同样具有放大作用;D、二极管具有开关等功能。

Ube之间的关系；Uce之间的关系；Ic之间的关系；Ie之间的关系；3VC 、D 1导通、D 2截止； D 、D 1截止、D 2导通。

16、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是 A 、U AO =15V ; B 、U AO =12V ; C 、U AO = -15V ;D 、U AO = -12 V 。

17、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是 A 、U AO =15V ； B 、U AO =12V ； C 、U AO = -12V ；D 、U AO = 0V 。

，23、对于3AG11C 三极管的型号，下列说法正确的是 A 、锗管PNP 型高频小功率晶体管； B 、锗管PNP 型低频大功率晶体管； C 、硅管NPN 型高频小功率晶体管；D 、硅管NPN 型低频大功率晶体管;EH18、 下图中二极管为理想二极管，则输出电压是A 、U AO =6V ;B 、U AO = £V ;C 、U AO = -12V ;D 、U AO =12V 。

19、 金属导体的电阻率随温度升高而 ______ ,半导体的导电能力随温度的升高而 ______C 、升高/降低；D 、降低/升高20、下列是 PN 结两端的电位值，使 PN 结导通的是 _______________________ A 、 P 端接+5V , N 端通过一电阻接+7V ; B 、 N 端接+2V , P 端通过一电阻接+7V ; C 、 P 端接一3V , N 端通过一电阻接+7V ; D 、P 端接+1V , N 端通过一电阻接+6V 。

21、电路如图所示，R=1K Q ,设二管导通时的管压降为 0.5V ，则电压表的读数是 ______A 、0.5V ; C 、3V ;22、如图所示, B 、15V ; D 、以上答案都不对。

£6V设输入信号U i 为正弦波，幅值为1V ,二极管导通时正向电压降— 0.6V , 关于输出信号U 0波形的说法，正确的是 _________________ A 、 输出电压值的范围介于 B 、 输出电压值的范围介于 C 、 输出电压值的范围介于 -0.6V — +0.6V 之间; -0V — +0.6V 之间； -0.6V — 0V 之间；D 、输出电压值的范围介于 0V — 1V 之间。

-----Ik -4——fl24、对于3DD80C 三极管的型号，下列说法正确的是 ________________ 。

A 、锗管PNP 型高频小功率晶体管；B 、锗管PNP 型低频大功率晶体管；C 、硅管NPN 型高频小功率晶体管；D 、硅管NPN 型低频大功率晶体管;25、对于3DG12C 三极管的型号，下列说法正确的是 ____________________ 。

A 、锗管PNP 型高频小功率晶体管；B 、锗管PNP 型低频大功率晶体管;C 、硅管NPN 型高频小功率晶体管；D 、硅管NPN 型低频大功率晶体管26、对于3AD30B 三极管的型号，下列说法正确的是 _____________________ 。

A 、锗管PNP 型高频小功率晶体管； B 、锗管PNP 型低频大功率晶体管; C 、硅管NPN 型高频小功率晶体管；D 、硅管NPN 型低频大功率晶体管27、场效应管属于 ____________ 控制型器件，晶体三极管则属于 A 、电压/电流；B 、电流/电压；C 、电压/电压;28、电路其如图所示， D 为理想二极管，则 u o 为。

A 、3V ；B 、6V ；C 、-3V ；D 、-6V 。

29、电路如下图所示，已知 Rb=10K Q, Rc=1K Q, Ec=10V ,晶体管的 3 =50 Ube=0.7V ，当 Ui=OV 时， 三极管处于 ______________________________ 。

A 、截止状态；B 、放大状态；C 、饱和状态；D 、击穿状态。

、判断下列说法是否正确，用“ V ”和“ X ”表示判断结果填入空内。

(1 )在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

()(3) PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

()(4 )处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

()(5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 R GS大的特点。

()(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。

()_________ 控制器件。

D 、电流/电流P 型半导体。

()三、写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压~~——?D 2 V*R\\ 认斗四、已知稳压管的稳压值 U z = 6V ，稳定电流的最小值 I zmin = 5mA 。

求下图所示电路中U °i和U O2各为多少伏。

2-<?+%(a)4-五、作图分析题1、电路如图所示，已知U i = 10sin® t（v），试画出U i与U O的波形。

设二极管正向导通电压可忽略不计。

o--------------- ---------d2、电路如图（a）所示，其输入电压U II和U i2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D =0.7V。

试画出输出电压U O的波形，并标出幅值。

6U何。