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第三章 半导体中载流子的统计分布 思考题
16.杂质能级为什么位于禁带之中？能带图上 如何表示中性和电离杂质？杂质电离后在 半导体中产生些什么？ 17.把不同种类的施掺入到不同的半导体材 料中（例如Ge或Si）．杂质的电离能和轨 道半径又是否都相同？
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第三章 半导体中载流子的统计分布 思考题
5、举例说明杂质补偿的作用。 6、说明类氢模型的优点和不足 7、InSb的Eg＝0.18eV，εr=17，电子有效质 量0.015m0，求（1）施主杂质电离能；（2） 施主的弱束缚电子基态轨道半径；（3）施 主杂质相互作用时的浓度。
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第三章 半导体中载流子的统计分布 思考题
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第三章 半导体中载流子的统计分布 思考题
12.现有两块外观完全相同的硅单晶．其中 一块是高纯度的本征硅，另一块是含有 深、浅施主和受主能级完全补偿的半导 体．举出两种能识别它们的实验方法， 并说明实验原理． 13.说明掺杂对半导体导电性能的影响。 14.说明半导体中浅能级杂质和深能级杂质 的作用有何不同？ 15.什么叫杂质补偿？什么叫高度补偿的半 导体？杂质补偿有何实际应用？
第一章 半导体中的电子状态 思考题与练习题
1、实际半导体与理想半导体的区别是什么？ 2、以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质、 施主杂质电离过程和n型半导体。 3、以Ga掺入Ge中为例，说明什么是受主杂质、 受主杂质电离过程和p型半导体。 4、以Si在GaAs中的行为为例，说明Ⅳ族元素 在Ⅲ－Ⅴ族化合物中可能出现的双性行为。
8. GaP的Eg＝2.26eV，εr=11.1，空穴有效质量0.86m0， 求（1）受主杂质电离能；（2）受主的弱束缚电子基 态轨道半径；（3）受主杂质相互作用时的浓度。 9. 说明类氢杂质能级以及电离能的物理意义．为什么受 主、施主能级分别位于价带之上或导带之下，而且电 离能的数值较小？ 10.分析化合物半导休PbS中S的问隙原子和缺陷在理论 上各形成施主还是受主？根据你的回咎，说明半导体 材料自补偿效应的物理意义？ 11.纯Ge、Si中挂入3族或5族元素后，为什么使半导体导 电性能有很大的改变？杂质半导体p型或n型应用很 广，但为什么我们很强调对半导体材料的提纯？
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第三章 半导体中载流子的统计分布 思考题
18.何谓深能级杂质？它们电离以后有什么特 点？ 19.为什么金元素在Ge或Si中电离后可以引入 多个施主或受主能级？ 20.现有两块外观完全相同的硅单晶．其中一 块是高纯度的本征硅，另一块是含有深、 浅施主和受主能级完全补偿的半导体．举 出两种能识别它们的实验方法，井说明实 验原理． 6