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06 功函数

Vi
•吸附偶极势
V
•研究功函数的意义
低功函数材料或降低材料的功函数利于发射
•阴极发射
•研究空间电场 建立均匀、稳定空间电场减小对低能电子运 动轨迹影响。 Vi
•研究接触电势差 电势垒 f1 f2 Ef
功函数测量
•直接测量 •间接测量
hv Ev Ef EK
利用UPS测量(直接)
f
I
0
f
Ef
0
30 c 0 60 c 0 800c 90 0c 1000c 1100c 120 0c 140 0c 170 c
17.0 17.5 18.0 18.5
0
Binding Energy (ev)
K在Ni(111)的功函数变化
F(eV)
4,0
3.0
2.0
0.15 0.3 0.45
qk
+ -
+
+ -
+
-
-
F(eV)
4,0 3.0 2.0 0.15 0.3 0.45
qk
Ek
显示屏
接受器
利用LEED测量(直接)
电子枪
样品
I
阻挡栅
f
E
功函数的的间接测量
f1
f2
标准样品
被测样品
功函数的的开尔文测量
G
功函数的的开尔文测量
G
f1
f2
标准样品
被测样品
I
G
Vo = f2 - f1 V
Vo
有机发光器件 金属层 有机层 ITO 玻璃
有机发光器件 金属层 有机层 ITO 玻璃
18
Binding Energy (ev)
Perylene在Ag(110)表面上沉积
b c d
a
Intensity (arb. units)
30 c 60 c 80 c 90 c 100 c 110 c 120 c 140 c 170 c
-2 0 2 4 6 8 10
0 0 0 0 0 0 0 0
功函数测量
Work Function Measurement
EK hv
fLeabharlann EvEfEB
EK = hv - EB - f
•功函数的起源
•影响功函数的因素
•研究功函数的意义 •测量功函数的方法 •测量功函数的实例
固体的内势
Vi
•材料种类
Vi
•材料种类 •不同晶面
Vi
•材料种类 •不同晶面 •粗糙度
有机发光器件 金属层 有机层 ITO 玻璃
f1
f2
f3
f1
f2
f3
f1
f2
f3
Perylene在Ag(110)表面上沉积
d c
Intensity (arb. units)
q(A)
a
b
70 40 20 10 3 1 0
-2 0 2 4 6 8 10 12 16 17
q(A)
70 40 20 10 3 1 0
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