实验1. MOS管基本特性测试
实验目的：
a)熟悉电路的测试方法
b)观察MOS管的主要特性
实验步骤：
1.输入图1电路。

图1 原理图
2.测试MOS管的输出特性。

（水平轴为VDD，纵轴为漏级电流I D）
图2 输出特性
3.测试MOS管的转移特性。

（转移特性是输出电流对输入电压的关系。

注意设置纵轴为漏级电流I D，横轴为输入电压V GS）
4.改变VDD，做出一组转移特性。

解释特性中弯曲现象。

（将VDD改为8V）
（将VDD设置为由0到5V改变）
说明：MOS管具有一定的导通电压，只有当输入电压大于该阈值电压Vt时，MOS管才开始导通。

5修改MOS管的W/L，观察输出特性的变化。

总结输出特性和W/L之间的关系。

说明：实验中将W由原来的1.5um改为3um，得到如下输出特性。

图5
对比图2、图5，可发现，对于同样的输出电压（横坐标），无论是在放大区，还是在饱和区，集电极电流（纵坐标）都随着W/L的增大而增大。

6.修改MOS管的W/L，观察转移特性的变化。

观察在V GS相同的情况下，g m和W/L之间的关系。

由图可知：对于相同的V GS，g m随着W/L的增大而明显增大。

实验报告：
1.叙述观察结果。

答：实验中按照要求测得几组曲线，图形如上。

在不同情况下，得到了不同形状的曲线，反映出了MOS管特性与它的相关参量的具体关系。

2.分析测试曲线。

解释实验步骤中要求观察的现象。