当前位置:文档之家› 纯晶体凝固与晶体长大 知识点解释

纯晶体凝固与晶体长大 知识点解释


1. 2.
3. 4. 5. 6. 7. 8.
9.

10. 11. 12. 13. 14. 15. 16.
17. 18. 19. 20. 21. 22. 23. 24.
25.
凝固是指物质由液态至固态的转变过程。若凝固后的物质是晶体则称为结晶。 液体中原子间的平均距离比固体中略大; 液体中原子的配位数比密排结构晶体的配位数减小通常配位数在 8~11 之间。这导致溶化时体积略为增加。但是对于非密排结构的晶体如 Sb、Bi、Ga、Ge 等,液态时配位数增大, 故溶化时体积略为收缩。 液体结构最主要的特征,原子排列为长程无序,短程有序,并且短程有序原子集团不是固定不变的,它是一种 此消彼长、瞬息万变、尺寸不稳定的结构,这种现象称为结构起伏(这有别于晶体的长程有序的稳定结构) 。 过冷:液体实际温度低于理论凝固温度������������ 的现象。这种过冷称为热过冷。 过冷度:理论凝固温度(熔点)������������ 与实际凝固温度 T 之差(Δ T)Δ T=������������ -T 凝固的热力学条件:需要有过冷度。 界面能最低的液固相有两类:粗糙界面和光滑界面。 粗糙界面:固液两相之间的界面从微观上看是高低不平的,存在几个原子层厚度的过渡层,在过渡层中约有半 数的位置被固相原子所占据(另一半位置是空位) 。由于过渡层很薄,因此,宏观上来看,界面显得平直,不 会出现曲折的小平面,故又称非小平面界面。金属结晶时都为这类界面,又称金属型界面。 光滑界面: 界面以上是液相, 以下是固相, 固相表面为基本完整的原子密排面, 空位极少, 液固两相截然分开, 所以从微观上看是光滑的,宏观上由不同位向的小平面组成,故呈折线状,这类晶面称小平面界面。厚度为一 个原子厚。 晶体的凝固是通过形核和长大两个过程,即固相核心的形成和晶核生长至液相耗尽为止。 液相必须处于一定的过冷条件下才能结晶,液体中存在的结构起伏(相起伏)和能量起伏是促进均匀形核的必 要因素。 (凝固的条件) 当温度低于理论凝固温度������������ 时,单位体积液体内,在单位时间所形成的晶核数(形核率)受两个因素的控制, 即形核因子和原子扩散的几率因子。 体系自由能的降低是相变的驱动力,过冷度越大,体系自由能降低越多,越有利于凝固。 结构起伏 (相起伏) : 液体材料中出现的短程有序原子集团的时隐时现现象。 结构起伏的尺寸大小与温度有关, 温度越低,结构起伏的尺寸越大。 能量起伏:体系中每个微小体积所实际具有的能量,会偏离体系平均能量水平而瞬时涨落的现象。 均匀形核是在过冷液相中完全依靠相起伏和能量起伏而实现的形核,十分困难。体系自由能和表面自由能的相 对大小,决定着临界晶核半径的大小。 (新相晶核是在母相中均匀地生长的,即晶核由液相中的一些原子团直 接形成,不受杂质粒子或外表面的影响)需要过冷度很大。 形成临界晶核时自由能增高,其增值相当于其表面能的 1/3,即液固之间的体积自由能差值只能补偿形成临界晶 核表面所需能量的 2/3,而不足的 1/3 则需依靠液相中存在的能量起伏来补充。 非均匀形核是依附在液体中的外来固体表面形成晶核,故在相同条件下,比均匀形核更容易。 (新相优先在母 相中存在的异质处形核,即依附于液相中的杂质或外来表面形核) 只有达到临界半径的晶胚才能成为稳定的晶核。 晶体长大涉及长大的形态,长大方式和长大速率。长大的形态常反映出凝固后晶体的性质,长大方式决定了长 大速率,也就是决定晶体动力学的重要因素。晶体长大的形态与液固两相的界面结构有关。 晶体长大与界面结构有关,有连续长大、二维晶核、螺旋位错长大等方式。 连续长大适用于粗糙界面。粗糙界面上约有一半的原子位置空着,故液相中的原子可以进入这些位置与晶体结 合起来,晶体便连续的地向液相中生长,这种长大方式为垂直生长。 动态过冷度:液固界面向液相移动时所需的过冷度。 二维晶核适用于光滑界面。二维晶核是指一定大小的单分子或单原子的平面薄层。平滑界面主要依靠小台阶接 纳原子横向生长方式向前推移;界面光滑,二维晶核在相表面上形成后,液相原子沿着二维晶核侧边所形成的 台阶不断的附着上去,使此薄层很快的扩展到整个表面,这是生长中断,需要在此界面上再形成二维晶核,又 很快的长满一层,如此反复进行。二维晶核长大方式随时间是不连续的。 借螺型位错长大适用于光滑界面,若光滑界面上存在螺型位错时,垂直于位错线的表面呈现螺旋型的台阶,且 不会消失。因为原子很容易填充台阶,而当一个面的台阶被原子进入后,又出现螺旋型的台阶。在最接近位错 处,只需要加入少量原子就完成一周,而离位错较远处需较多的原子加入。这样就使晶体表面呈现由螺旋形台 阶形成的蜷线。由于界面上所提供的缺陷有限,也即是添加原子的位置有限,故长大速率小。
相关主题