多数载流子
P型半导体主要靠空穴导电， 掺入杂质越多，空穴浓度越高， 导电性越强。
多子:空穴 少子:自主要靠空穴导电
讨论：在杂质半导体中，温度变 化时，载流子的数目变化吗？少 子与多子变化的数目相同吗？少 子与多子浓度的变化相同吗？
说明：
本征激发产生
受温度的影响很小
四、难点：1.器件非线性、交直流共存… 2.“近似”处理(突出主要矛盾,简化实际问题) 3.概念多、电路多、分析方法多
五、分析方法 1.电路课程：严密推导、精确计算 模电课程：近似处理，有时图解 (1)问题复杂，未知参数多 (2)器件分散性 (3)寄生电容、引线电感 (4)RC标称值与实际误差
掌握“近似”的方法 (不片面强调“精确”) (困难且不 2.实非用线) 性器件在一定条件下线性使用(注意其条件)。
一、课程的性质和任务 性质:入门性质的专业基础课(考研课、学位课) 任务： 学习电子元器件种类、结构、参数、原理 学习基本电路工作原理、分析方法、指标计算
熟悉常用电子仪器的原理、使用及电路的测试 方法 二、先修课：物理、高数、电路... 后续课：高频、数电…
三、课程特点：1、工程性：近似计算
2、实践性：电路测试、故障判断和排除、仿真
1.1.1 本征半导体
1. 什么是半导体？什么是本征半导体？
半导体－－导电性介于导体与绝缘体之间的物质。 导体－－最外层电子在外电场作用下容易产生定向移动，
多为低价金属元素，如铁、铝、铜等。 绝缘体－－原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，很
难导电。如惰性气体、橡胶、陶瓷等。 半导体－－最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体
（a. 正电、 b. 负电、 c.电中性）
1.2 PN结
解决问题的能力－－设计能力 4. 会调：仪器选用、测试方法、故障诊断、仿真
解决问题的能力－－实践能力
综合应用所学知识的能力
七、几点忠告 1.规范化的工程师的基本训练（文字标识、符号、实验）
2.不缺课，认真听，积极提问，会做笔记；
3.互相学习，多学多问，及时反馈意见；
4.认真作业(不应付,不乱抄)，按时作业(跟上进度)，自查 自纠；
3.掌握器件外特性和使用方法，不过分追究内部机理。
4.重视实践环节(实验)。
归纳12个字： 定性分析—电路识图、判断作用、波形失真、是否自激 定量估算—2~3位有效位 实验调整—通过调整达到指标要求
六、本课程的能力要求
1. 会看：定性分析 分析问题的能力
2. 会算：定量估算 3. 会选：电路形式、器件、参数
解题要求： （1）抄题、抄图（描图）； （2）各电压、电流要标明位置、方向、极性； （3）按公式——代数——结果(含单位)三步骤完成。
八、考核方法 九、本课程不作要求的内容
电子技术的发展 从电子管→半导体管→集成电路
1904年 电子管问世
1947年 晶体管诞生
1958年集成电 路研制成功
1958年只有4个晶体管 1997年一芯片中有40亿个晶体管
之间。是四价元素，如硅（Si）、锗（Ge）。 本征半导体－－纯净的晶体结构的半导体。
无杂质 稳定的结构
2. 本征半导体的结构
共价键
由于热运动，具有足够能量 的价电子挣脱共价键的束缚
而成为自由电子
自由电子的产生使共价键中 留有一个空位置，称为空穴
自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。 动态平衡
一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高， 热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对 的浓度加大。
1.1.2 杂质半导体
1. N型半导体
5
多子:自由电子 少子:空穴 导电特点： nn>>pn
多数载流子
空穴比未加杂质时的数目 多了？少了？为什么？
杂质半导体主要靠多数载 流子导电。掺入杂质越多， 多子浓度越高，导电性越强， 实现导电性可控。
磷（P）
N型半导体主要靠自由电子导电
2. P型半导体
3
硼（B）
1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子的浓度；温度 决定少数载流子的浓度。
2. 杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导 体，因而其导电能力大大改善。
3. 杂质半导体总体上保持电中性。 4. 杂质半导体的表示方法如下图所示。
N 型半导体
P 型半导体
1. 在杂质半导体中多子的数量与 a （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
巴因所做的超导研究于1972年 第二次获得诺贝尔物理学奖。
第一个集成电路及其发明者 （ Jack Kilby from TI ）
1958年9月12日，在德州仪器公司 的实验室，实现了把电子器件集成在 一块半导体材料上的构想。42年后， 于2000年获诺贝尔物理学奖。
第一章 半导体器件
1.1 半导体基础知识
3. 本征半导体中的两种载流子
运载电荷的粒子称为载流子。 外加电场时，带负电的自由电 子和带正电的空穴均参与导电， 且运动方向相反。由于载流子数 目很少，故导电性很差。 温度升高，热运动加剧，载 流子浓度增大，导电性增强。 热力学温度0K时不导电。
两种载流子
为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体？
电子管、晶体管、集成电路比较
值得纪念的几位科学家！
第一只晶体管的发明者
（by John Bardeen , William Schockley and Walter Brattain in Bell Lab） 贝尔实验室三名科学家在1947 年11月底发明了晶体管，1956年因 此获得诺贝尔物理学奖。
模拟电子技术基础
教材：《模拟电子技术》（第三版） 作者：江晓安 西电出版社
专业基础课课程体系
专业基础课
专业课
模电（低频电子线路） 高频电子线路等
电路 数电 （计算机硬件）
微机原理、单片机等 数字信号处理
信号与系统
学位课
语音信号处理 图像信号处理等
考研课—电子技术（模电、数电）、信号与系统
概述： 模拟电子技术基础
2. 在杂质半导体中少子的数量与 b （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
3. 当温度升高时，少子的数量 c （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。
4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流
主要是 b ，N 型半导体中的电流主要是 a 。
（a. 电子电流、b.空穴电流）
5. N型半导体对外显 c 。