第一章半导体中电子的状态
名词解释：
直接带隙半导体
间接带隙半导体
格波
有效质量
空穴
布里渊区
重空穴、轻空穴
k空间等能面
解答题：
用能带理论定性地说明导体、半导体和绝缘体的导电性。

分别画出硅、锗和砷化镓的能带结构、并指出各自的特点。

第二章半导体中杂质和缺陷能级
名词解释：
施主杂质
受主杂质
深能级杂质
杂质电离能
解答题：
简述杂质在半导体中的作用。

分别论述深能级和浅能级杂质对半导体的影响。

第三章半导体中载流子的统计分布
名词解释：
非简并半导体
简并半导体
本征半导体
状态密度
解答题：
有一n型半导体施主和受主杂质掺杂浓度分别为n6和w4，在温度高于数十k时，已知本征费米能级为Ei，玻尔兹曼常数为h，本征载流子浓度为n，试确定：1. 半导体的费米能级EF；2. 热平衡载流子浓度n0和p0. 第四章半导体的导电性
名词解释：
载流子散射
解答题：
简述半导体中载流子的主要散射机构。

画出本征半导体和杂质半导体电阻率随温度变化的曲线，并解释其变化规律。

耿氏振荡的机理。

第五章非平衡载流子
名词解释：
准费米能级
少子寿命
小注入条件
高度补偿半导体
直接复合与间接复合
复合中心
陷阱中心
解答题：
在一维情况下，以p型非均匀掺杂半导体为例，推出（空穴的）爱因斯坦关系式。

连续性方程。

第六章p-n结
名词解释：
p-n结
解答题：
画出p-n结能带图（零偏、正偏和反偏情况），并简述p-n结势垒区形成的物理过程。

画出理想p-n结合硅p-n结的电流电压曲线，并根据曲线的差异简述p-n结电流电压曲线偏离理想p-n结主要因素。

第七章金属和半导体的接触
名词解释：
半导体功函数
欧姆接触
表面势
解答题：
什么是良好的欧姆接触，实现欧姆接触的基
本方法。

简述金半接触的形成过程。

并说明两侧费米
能级与载流子的分布。

第八章半导体表面与MIS结构
名词解释：
表面态
平带电压
表面反型层
表面强反型层
表面复合速度
解答题：
以n（p）型硅MOS结构为例，画出可能测得的高频和低频C-V特性曲线，说明如何确iO2层中存在错误!未找到引用源。

离子，曲线将如何变化？如何通过实验确定其面密度？
试画出理想硅错误!未找到引用源。

-n栅控二极管反响电流错误!未找到引用源。

随栅压错误!未找到引用源。

的变化曲线，说明不同栅压范围内反向电流错误!未找到引用源。

的构成。

若SiO2层中存在，曲线如何变化？若Si- SiO2存在界面态，曲线将如何变化？
已知在MOS电容的SiO2层中存在着和介面固定电荷，请设计一种实验方法，测定两种电荷的面密度（库伦/厘米）。

说明如何测衬底密度。

画出n型半导体MIS结构理想C-V特性曲线，如果绝缘层存在正电荷或者绝缘层-半导体存在界面态将分别对曲线有何影响。

第九章异质结
名词解释：
异质结
第十章半导体的光学性质和光电与发光现象
名词解释：
光电导增益：
表示光电导效应的增强。

光电导：
光吸收使半导体中形成非平衡载流子，而载流子浓度的增大必须使电导率增大。

这种由光照引起半导体电导率增加的现象称为光电导。

光电导灵敏度：
光电导灵敏度为单位光照度所引起的光电导。

光生伏特效应：
当用适合波长的光照射非均匀半导体（PN 结）时，由于内建场的作用（不加外电场），半导体内部产生电动势（光生电压），如将PN结短路，则会出现电流（光生电流）。

这种由内建场引起的光电效应，称为光生伏特效应。

消光系数：
k是表征光能衰减的参量，称为消光系数。

解答题：
简述半导体的光生伏特效应，利用理想光电池电流—电压方程确定开路电压V0C和短路电流ISC。

一九九八（第三题）
简述半导体中可能的光吸收过程。

二零零二（第三题）。