• 一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会 产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后， 其中非平衡载流子将衰减到原来的（C ）。
A.1/4 ； B.1/e ； C.1/e2 ； D.1/2
• 如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于 禁带中央，则它对电子的俘获率（ B）空穴的 俘获率，它是（ D ）。
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某P型半导体掺杂浓度NA=1016/cm3， 少子寿命 p 10s，在均匀光的照射 下产生非平衡载流子，其产生率 g=1018/cm2·s，试计算室温时光照情 况下的费米能级并和原来无光照时 的费米能级比较，设本征载流子浓 度ni=1010/cm3。
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• 掺施主浓度Nd= 1015/cm3的n型硅，室 温下光稳定照射产生非平衡载流子浓 度为△n=△p= 1014/cm3，光照突然撤 销后，经过20μs，假如非平衡空穴准 费米能级的位置偏离平衡态时的费米 能级为0.3eV，求n型材料寿命。
A.大于 ； B.等于； C.小于； D.有效的复 合中心； E. 有效陷阱
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• 小注入下的直接复合，N型半导体的非平衡 载流子的寿命与（ F ）；间接复合为主时， 强P型半导体的少子寿命与（ H ）
C. Δn成正比；
D.ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ0成正比；
E. Δp成反比；
F. n0成反比。
G. 复合中心浓度成正比； H. 复合中心浓度成反比；
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证明非简并的非均匀半导体中的电子
电流形式为
J
nn
dE
n F
dx
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• 设一均匀的n型Si样品，在左半部用一 稳定的光照射，均匀产生电子-空穴对， 产生率为g0，若样品足够长，试求稳 态时样品两边的空穴浓度分布。
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现有一块均匀的n型硅材料，在t=0 以前进行长时间均匀光照，到t=0时 光照突然去掉，假如光照后样品产 生均匀的电子-空穴对，其产生率为 G0。求在低注入条件下t=0以前和 t=0以后全部时间电子和空穴浓度。
• 最有效的陷阱能级在（ C ），最有效的复 合中心能级在（ A ）
A、Ei； B、Et； C、EF， D、 Ec； E、Ev
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• 某n型半导体硅，其掺杂浓度 Nd=1015/cm3, 少子寿命 p 5 s,若由于外 界作用，使其少数载流子全部被清除， 试求此时电子-空穴对的产生率是多大？ 设ni=1.5×1010/cm3.
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