外延术语1、外延生长（Epitaxy）2、量子阱（Quantum Well）3、能带工程（Energyband engineering）4、半导体发光二极管（Light Emitting Diode）5、PN结的击穿（PN junction Striking）6 Deposition）7、异质结构（Heterogeneous Structure）8、量子阱半导体激光器（Quantum Well Laser）9、超晶格（Super Lattice）EpitaxyGaP：磷化镓n-GaN：N型氮化镓p-GaN：P型氮化镓GaAs：砷化镓GaN：氮化镓AlInGaP：磷化铝镓铟（铝铟镓磷）AlGaAs：砷化铝镓（铝镓砷）InGaN 铟镓氮AlGaN 铝镓氮Wafer：晶片、外延片分析仪器1、XRD：X射线衍射仪，主peak GaN分析仪器2、PL：荧光光谱仪（或光致发光光谱仪），Peak强度越强，FWHM越窄，表示有较佳的QW。
3、Hall：霍尔测试仪，利用霍尔效应测量载流子（对n-GaN载流子为电子，对p-GaN,载流子为空穴）迁移率（mobility）以及Sheet Resistance，分析时同结构若有相同的掺杂（Doping），若是量测的迁移率mobility较小，可以推测此结构有较多的缺陷（Defects）。
4、SEM（Scanning Electron Microscopy）：扫描式电子显微镜，测量刻蚀深度、及刻蚀截面状况。
5、Microscope：显微镜6、Differential Microscopy（Nikon-OPTI PHOT）：晶相（金相）显微镜，用morphology）。
7、EDS EDS之仪器构造主要是由一个硅(锂)固态侦测器为核心，它是由硅单晶参杂锂原子而成的。
8、：金属有机化学汽相9、TEM10、SIMS：二次离子质谱仪，测量每层的掺杂状况，可测量P-GaN以及N-GaN的掺杂状况，以及掺杂载子的浓度以及扩散距离等测量。
芯片（Chip）1、LED（Light Emitting Diode）：发光二极管2、reverse mounting type 薄芯片LED：反向粘着型薄芯片LED（倒装芯片）3、GaN LED：氮化镓发光二极管4、UV LED：紫外线二极管（紫外发光二极管）5、Chip Processing：芯片制程6、7、Photoresist很硬而不溶解于腐蚀剂。
其作用是将Pattern上传递到Wafer上的一种介质。
其分为正光阻和负光阻。
（第13条与此条合并）8、Etching：蚀刻9、程前所沈沉积的薄膜，把没有被光阻覆盖及保护的部分，利用化学溶液与芯片表面产生氧化还原作用的化学反应的方式加以去除，以完成转移光罩图案（掩膜版图形）到薄膜上面的目的。
10、Dry Etching11、Evaporation：蒸镀，利用电子枪所射出的电子束轰击待镀材料，将高能电子射束的动能转化为熔化待镀材料的热能，使其局部熔化。
12、blue tape（蓝膜）把金属弄走。
14、Mask是一石英玻璃，上面會鍍上一層影像。
(e.g. TCL,p-pad, n-pad)15、Photoresist Coating16、Soft Bake：软烤，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。
17、Hard Bake：硬烤，是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发，并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。
18、Exposure：曝光，是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩（掩膜版）上的图形传递到Wafer上的过程。
19、PEB（Post Exposure Bake）：是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。
其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。
20、Development：显影，类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer进行成象的过程，通过这个过程，成象在光阻上的图形被显现出来。
21、Nozzle：喷嘴22、BARC（Bottom Anti Reflective Coating）：是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质。
23、TARC（Top Anti Reflective Coating）：是被涂布在光阻上表面的一层减少光的反射的物质。
24、Iline：曝光过程中用到的光，由Mercury Lamp(汞灯)产生，其波长为365nm，其波长较长，因此曝光完成后图形的分辨率较差，可应用在次重要的层次。
25、DUV：曝光过程中用到的深紫外光，其波长为248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。
26、Exposure Field：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域。
27、Stepper：一种曝光机，其曝光动作为Step by step形式,一次曝整個exposurefield,一個一個曝過去。
28、Scanner：一种曝光机，其曝光动作为Scanning and step形式, 在一個exposure field曝光時, 先Scan完整個field, Scan完後再移到下一個field。
29、Energy：曝光量30、Focus：焦距31、Reticle Mask，曝光过程中的原始图形的载体，通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。
32、上为了防止灰塵(dust)或者微塵粒子(Particle)落33、0.18微米以下的Poly,Metal layer就是OPC34、PSM (Phase Shift Mask)：不同于Cr mask, 利用相位干涉原理成象，目前大都应用在contact layer以及较小CD的Critical layer（如AA，POLY，METAL135、CR Mask只是利用光訊0與1干涉成像,主要應用在較不Critical 的layer36、Track：Photo制程中一系列步骤的组合，其包括：Wafer的前、后处理，Coating(上光阻)，和Develop(显影)等过程。
37、Wafer Edge Exposure（WEE）：由于Wafer边缘的光阻通常会涂布的不均匀，因此一般不能得到较好的图形，而且有时还会因此造成光阻peeling而影响其它部分的图形，因此将Wafer Edge的光阻曝光，进而在显影的时候将其去除，这样便可以消除影响。
38、Post Exposure Bake（PEB）：其功能在于可以得到质量较好的图形。
（消除standing waves）39、Overlay：迭对测量仪40、ADI CD（After Develop Inspection Critical Dimension）：曝光和显影完成之后，通过ADI机台对所产生的图形的定性检查，看其是否正常；光罩图案（掩膜版图形）中最小的线宽。
曝光过后，它的图形也被复制在Wafer 上，通常如果这些最小的线宽能够成功的成象，同时曝光的其它的图形也能够成功的成象。
因此通常测量CD的值来确定process的条件是否合适。
41、CD-SEM：扫描电子显微镜，是一种测量用的仪器，通常可以用于测量CD以及观察图案。
42、RTMS (Reticle Management System) 用于trace光罩（掩膜版）的History,Status,Location,and Information以便于光罩（掩膜版）管理。
43、TRACK：涂胶显影机44、Sanner：扫描曝光机45、NA：曝光机的透镜的数值孔径;值. 最大是1; 先进的曝光机的NA 在0.5 ---0.85之间。
46、k1*Lamda/NA：分辨率47、Lamda：用于曝光的光波长48、SEM(Scan Electronic Microscope)：扫描电子显微镜，光刻部常用的也称道CD SEM，用它来测量CD。
49、Die：一个功能完整的芯片，一个Die也叫一个Chip，一个Field可包含多个Die50、Foundation：底座51、pellicle：透明膜52、cleanroom：超净室53、Pattern：图形，通常是指掩膜版上的图形54、DOF（Depth Of Focus）：也叫与照相中所说的景深相似.55、Image Plan：像平面56、In Focus：重合57、Resin；树脂58、Photosensitizer：光敏剂59、Solvent：溶剂60、Additives：添加61、PAC(Photo Active Compound)62、PECVD：等离子体增强化学气相淀积仪（台）63、RIE：等离子刻蚀反应离子蚀刻机64、RTP：快速退火炉65、Sapphire：蓝宝石66、Bonding :邦定，蜡打在陶瓷板中心,将写有芯片编号的纸放在蜡上 ,再打蜡在纸上,将芯片背面朝上放在蜡上, 芯片平边与编号纸平边相吻合，将下面的空气压出。
陶瓷板放在电热板上,加热到105-110℃。
67、Grinding：研磨，把sapphire用蜡焊方法固定在陶瓷板上，再将陶瓷板装在硏磨机的驱动器，启动真空掣吸住陶瓷板。
68、69、Scribe70、Break：崩裂71、Pick die：选取晶粒72、Sort:分选73、Bin:类别74、ICP-RIE：感应耦合等离子体-反应离子刻蚀76、E-beam evaporator：电子束蒸发台77、Sputter：溅射78、Probing：探测79、Dominant Wavelength：主波长Peak Wavelength：峰值波长80、Forward Voltage：正向电压81、Leakage current：漏电电流/反向电流82、Intensity(mcd)；光强。