大学物理下复习题（附答案）第一章填空题自然界中只存在正负两种电荷，同种电荷相互排斥，异种电荷相互吸引。
（）对自然界中只存在正负两种电荷，同种电荷相互吸引，异种电荷相互排斥。
（）错电荷电量是量子化的。
（）对物体所带电量可以连续地取任意值。
（）错物体所带电量只能是电子电量的整数倍。
（）对库仑定律只适用于真空中的点电荷。
（）对电场线稀疏处的电场强度小。
（）对电场线稀疏处的电场强度大。
（）错静电场是有源场。
（）对静电场是无源场。
（）错静电场力是保守力。
（）对静电场力是非保守力。
（）错静电场是保守力场。
（）对静电场是非保守力场。
（）错电势是矢量。
（）错电势是标量。
（）对等势面上的电势一定相等。
（）对沿着电场线的方向电势降落。
（）对沿着电场线的方向电势升高。
（）错电场中某点场强方向就是将点电荷放在该点处所受电场力的方向。
（）错电场中某点场强方向就是将正点电荷放在该点处所受电场力的方向。
（）对电场中某点场强方向就是将负点电荷放在该点处所受电场力的方向。
（）错电荷在电场中某点受到电场力很大，该点场强E一定很大。
（）错电荷在电场中某点受到电场力很大，该点场强E不一定很大。
（）对在以点电荷为中心，r为半径的球面上，场强E处处相等。
（）错在以点电荷为中心，r为半径的球面上，场强E大小处处相等。
（）对如果在高斯面上的E处处为零，肯定此高斯面内一定没有净电荷。
（）对根据场强与电势梯度的关系可知，在电势不变的空间电场强度为零。
（）对如果高斯面内没有净电荷，肯定高斯面上的E处处为零。
（）错正电荷由A移到B时，外力克服电场力做正功，则B点电势高。
对导体达到静电平衡时，导体内部的场强处处为零。
（）对第一章填空题已一个电子所带的电量的绝对值e= C。
1.602*10-19或1.6*10-19真空中介电常数值为=0ε C 2.N -1.m -2。
8.85*10-12 真空中有一无限长带电直棒，电荷线密度为λ，其附近一点P 与棒的距离为a ，则P 点电场强度E 的大小为 。
E=a02πελ 真空中有一无限长带电直棒，电荷线密度为λ，其附近一点P 与棒的距离为b ，则P 点电场强度E 的大小为 。
b02πελ 某一介质（介电常数为ε）中有一无限长带电直棒，电荷线密度为λ，其附近一点P与棒的距离为b ，则P 点电场强度E 的大小为 。
b πελ2某一介质（介电常数为ε）中有一无限长带电直棒，电荷线密度为λ，其附近一点P与棒的距离为a ，则P 点电场强度E 的大小为 。
a πελ2均匀带电细圆环环心处的场强E= 。
E=0在真空中，无限大均匀带电平板（电荷面密度为σ）附近电场强度大小等于 。
02εσ=E 在真空中，两个无限大均匀带电平板（电荷面密度为σ）平行平面间的电场强度大小等于 。
0εσ=E 在某种介质（介电常数为ε）中，无限大均匀带电平板（电荷面密度为σ）附近电场强度大小等于 。
εσ2=E 在静电场中，电场强度沿任意闭合回路的积分恒等于 。
零在真空中，一均匀带电球面，电量为Q ，球半径为R ，则球面上的电势等于 。
R QU 04πε=在某种介质（介电常数为ε）中，一均匀带电球面，电量为q ，球半径为R ，则球面上的电势等于 。
R qU πε4=电场强度与电势梯度的关系式为E= 。
U gradU E -∇=-=第一章计算题习题9-1，习题9-3，9-5，9-6，习题9-13—9-16，习题9-18---9-21，；例题9-5，例题9-9--9-10，下面是书上以外的题1.设在均匀电场中，场强Er与半径为R的半球面的轴相平行，试计算通过此半球面的电场强度通量？解：在圆平面S1上：121sE dS E dS E Rφπ=⋅==⋅⎰⎰rr－－所以通过此半球面的电通量为：2πeE Rφ=题图2.在真空中，两个等值同号的点电荷相距0.01m时的作用力为510-N，它们相距0.1m时的作用力为多大？两点电荷所带的电荷量为多少？解：（1）设两点电荷相距r1时的库伦力的大小为F1,相距r2时的库伦力的大小为F2，有F1=22014qrπε，2220214F qrπε=R2=0.1m时的作用力大小为212122rF Fr==710-N(2) 由222024qFrπε=，得210022433.310q r F Cπε-==⨯3.设点电荷的分布是：在（0，0）处为5⨯810-C，在（3m，0）处为4⨯810-C，在（0，4m）处为-6810-⨯C。
计算通过以（0，0）为球心，半径等于5m的球面上的总E通量。
解：以(0,0)为球心，半径为R=5m作高斯闭合球面，则三个点电荷均在球面内，通过球面的总E通量为3888312111(510410610) 3.4108.8510E isiE dS q V m V m ψε----==•==⨯⨯+⨯-⨯•=⨯•⨯∑⎰Ñ4.地球的半径为6.37⨯106m，地球表面附近的电场强度近似为100V/m,方向指向地球中心，试计算地球带的总电荷量.解：（1）贴近地球表面作与地球同心的高斯球面，半径为R ≈R E ，使地球表面的电荷全部为高斯面所包围.有高斯定理 ⎰S E •d S= -E4πR E 2= 0εQ代入 R E = 6.37⨯106m ， E = 100V/m. 得Q = -40πεER E 2= -4.51⨯105CQ < 0 ，表明地球带负电.5.在半径分别为10cm 和20cm 的两层假想同心球面中间，均匀分布着电荷体密度为39/10m C -=ρ的正电荷. 求离球心5cm 处的电场强度.解：以1R 和2R 分别表示均匀带电球壳的内、外半径.设离球心m r 05.01=处的电场强度为E 1，在以1r 为半径的高斯球面1S 上，E 1的大小应该相同，并处处与1S 的法线方向平行. 对1S 运用高斯定理，有 ⎰1S E 1•d S = 010=∑q ε所以，离球心5cm 处的电场强度E 1 = 0 .第二章判断题导体处于静电平衡时，导体表面是一个等势面。
（ ）对导体处于静电平衡时，导体表面的场强处处垂直于导体表面。
（ ）对导体处于静电平衡时，导体的净电荷只能分布在其外表面。
（ ）对静电平衡时，导体内部处处无净电荷，净电荷只能分布在它的外表面上。
（ ）对若导体是孤立的，则导体表面曲率大的地方，电荷面密度也大。
（ ）对若导体是孤立的，则导体表面曲率小的地方，电荷面密度也小。
（ ）对若导体是孤立的，则导体表面曲率小的地方，电荷面密度也小，场强就小。
（ ）对若导体是孤立的，则导体表面曲率小的地方，电荷面密度也小，场强大。
（ ）错电容器在不带电荷的情况下，电容量为零。
（ ）错电容的国际单位是法拉“F ”。
（ ）对电容器是根据静电屏蔽的原理制作的。
（ ）对两个电容器串联总电容变小。
（ ）对两电容器并联，则总电容变大。
（ ）对两电容器并联，则总电容变小。
（ ）错凡绝缘的物质均称为电介质。
（ ）对CO 2分子为无极性分子。
（ ）对CH 4分子为无极性分子。
（ ）对CH 4分子为有极性分子。
（ ）错对于平行板电容器，电容的大小和两板之间的距离成反比。
（ ） 对对于平行板电容器，电容的大小和两板之间的距离成正比。
（ ）错对于平行板电容器，电容的大小和两板相对面积成反比。
（ ）错对于平行板电容器，电容的大小和两板相对面积成正比。
（ ）对质点系内力所做的总功不一定为零。
（ ） 对一导体球上不带电，其电容为零。
（ ）错电容器充电后切断电源，则极板上的电量Q 不变。
（ ）对平行板电容器两极接上电源，则其电压不变。
（ ）对平行板电容器电容值和板间填充物的介电常数大小成正比。
（ ）对平行板电容器电容值和板间填充物的介电常数大小成反比。
（ ）错一导体球带不带电，其电容值不变。
（ ）对第二章填空题真空中，平行板电容器的相对面积为S ，极板间距为d ，则平行板电容器的电容为 。
d SC 0ε=在某种介质（介电常数为ε）中，平行板电容器的相对面积为S ，极板间距为d ，则平行板电容器的电容为 。
d SC ε=200pF 和300pF 的电容串联后的总电容为__________________。
120pF200pF 和300pF 的电容并联后的总电容为__________________。
500pF200pF 和400pF 的电容并联后的总电容为__________________。
600pF400pF 和300pF 的电容并联后的总电容为__________________。
700pF两个100pF 的电容串连后的总电容为________________。
50pF两个200pF 的电容串连后的总电容为________________。
100pF两个300pF 的电容串连后的总电容为________________。
150pF两个300pF 的电容并连后的总电容为________________。
600pF三个300pF 的电容并连后的总电容为________________。
900pF三个300pF 的电容串连后的总电容为________________。
100pF三个600pF 的电容并连后的总电容为________________。
1800pF三个600pF 的电容串连后的总电容为________________。
200pF第二章计算题习题10-1—习题10-7，习题10-13第三章判断题电流是大量电荷有规则的定向运动。
（）对电流的国际单位是安培”A”。
（）对导体内有可移动的自由电荷变能形成持续的电流。
（）错导体内有可移动的自由电荷，还要维持一个电场，才能形成持续的电流。
（）对导体中通过任一截面的电流不随时间变化，则称其为恒定电流。
（）对电阻率的倒数成为电导率。
（）对电阻率的国际单位是欧姆.米。
（）对超导体的电阻为零。
（）对同性磁极相斥，异性磁极相吸。
（）对一切磁现象都起源于电荷的运动。
（）对毕奥-萨伐尔定律是用来计算真空中电流元产生磁场的磁感应强度的。
（）对真空中磁场的高斯定理说明磁场是一个无源场。
（）对真空中磁场的高斯定理说明磁场是一个有源场。
（）错磁通量的国际单位是韦伯“Wb”。
（）对磁通量是标量。
（）对磁通量是矢量。
（）错应用安培环路定理可以求出具有某种对称性的电流周围的磁场分布。
（）对非静电力是保守力。
（）错非静电力和静电力都是保守力。
（）错非静电力和静电力不同，非静电力不是保守力。
（）对霍尔效应不能发生在绝缘体内。
（）对霍尔效应可以发生在绝缘体内。
（）错通过实验测定霍尔系数正负可以判断半导体是n型还是p型。
（）对通过实验测定霍尔系数大小可以计算载流子的浓度。
（）对半导体内载流子浓度小，霍尔系数大。
（）对半导体内载流子浓度小，霍尔系数小。
（）错通过实验测定霍尔系数是负的，则可以判断半导体是n型。