VCSEL的结构示意图
（顶部布拉格反射器（P-DBR）、谐振腔和底部N-DBR）

VCSEL的制作总工艺过程
工艺过程总流程图
侧向选择氧化制备工艺流程图
VCSEL的制作总工艺过程
工艺制备图
侧向选择氧化制备工艺流程图
边发射激光器（a）
面发射激光器(b)Biblioteka VCSEL基本简介-基本构成
1977 年，日本东京工业大学的伊贺健一(KenichiIga)提出 VCSEL 的概念，其光学谐振腔与半导体芯片的衬底垂直，能够实现芯 片表面的激光发射。典型的 VCSEL 为顶发射结构。结构示意图 如下图 所示
GaAs substrate
侧向选择氧化制备工艺流程图
外延材料制备
去掩膜
P-ring contact P-DBR active n-DBR
GaAs substrate
侧向选择氧化制备工艺流程图
外延材料制备
局部氧化
P-ring contact P-DBR active n-DBR
GaAs substrate
侧向选择氧化制备工艺流程图
外延材料制备
沉积SiO2
P-ring contact P-DBR active n-DBR
GaAs substrate
侧向选择氧化制备工艺流程图
外延材料制备
光刻、刻蚀、开窗
P-ring contact P-DBR active n-DBR
n-DBR
GaAs substrate
侧向选择氧化制备工艺流程图
外延材料制备
光刻+腐蚀 做SiO2掩膜
P-ring contact P-DBR
n-DBR
GaAs substrate
侧向选择氧化制备工艺流程图
外延材料制备
台面腐蚀
P-ring contact P-DBR active n-DBR
GaAs substrate
侧向选择氧化制备工艺流程图
外延材料制备
光刻、电极、出光孔
P-ring contact P-DBR active n-DBR
GaAs substrate
侧向选择氧化制备工艺流程图
外延材料制备
MOCVD
P-ring contact
P-DBR active
n-DBR
GaAs substrate
侧向选择氧化制备工艺流程图
VCSEL的制作芯片工艺与关键设备
芯片流片
芯片流片过程
外延材料制备
沉积SiO2
沉积SiO2 P-ring contact
垂直腔面发射激光器（VCSEL ） 制作工艺简介
Beijing Asia Science&Technology
VCSEL基本简介
垂直腔表面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,即 VCSEL) 区别于边发射激光器沿平行于衬底表面、垂直于解理面 的方向出射，而是面发射激光器其出光方向垂直于衬底表面， 如下图：