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5、大气条件对气隙击穿特性的影响及校正
第四节 大气 Nhomakorabea件对气隙击穿
特性的影响
对空气密度的校正 对湿度的校正 对海拔的校正
前面介绍的不同气隙在各种电压下的击穿特性 均对应于标准大气条件和正常海拔高度。 由于大气的压力、温度、湿度等条件都会影响
空气的密度、电子自由行程长度、碰撞电离及附着
过程,所以也必然会影响气隙的击穿电压。 海拔高度的影响亦与此类似,因为随着海拔高 度的增加,空气的压力和密度均下降。
小
结
在不同大气条件和海拔高度下所得出的击穿电 压实测数据都必须换算到某种标准条件下才能互 相进行比较。
对 空气密度、湿度和海拔,分别有不同的
校正方法。
式中的因数k与绝对湿度和电压类型有关,而 指数 之值则取决于电极形状、气隙长度、电压 类型及其极性。
三、对海拔的校正 我国幅员辽阔,有不少电力设施(特别是输电 线路)位于高海拔地区。随着海拔高度的增大,空 气变得逐渐稀薄,大气压力和相对密度减小,因
而空气的电气强度也将降低。 海拔高度对气隙的击穿电压和外绝缘的闪络
气隙的电场强度都较大,电子的运动速度较快, 不易被水气分子所俘获,因而湿度的影响就不太 明显,可以忽略不计。 例如用球隙测量高电压时,只需要按空气相 对密度校正其击穿电压就可以了,而不必考虑湿 度的影响。
在极不均匀电场中,湿度的影响就很明显了,
这时可以用下面的湿度校正因数来加以修正:
Kh k
电压的影响可利用一些经验公式求得。
我国国家标准规定:对于安装在海拔高于 1000m、但不超过4000m处的电力设施外绝缘,其试
验电压 U 应为平原地区外绝缘的试验电压 Up 乘以海
拔校正因数足Ka即:
U KaU p
1 而: K a 4 1.1 H 10
式中H 为安装点的海拔高度,单位是m。
关系,并不是一种简单的线性关系,而是随电极形
状、电压类型和气隙长度而变化的复杂关系。
除了在气隙长度不大、电场也比较均匀或长度虽 大、但击穿电压仍随气隙长度呈线性增大(如雷电冲击
电压)的情况下,上式仍可适用外,其他情况下的空气
密度校正因数应按下式求取:
p 273 t0 Kd p 0 273 t
Kd U U0 Kh
K d :空气密度校正因数 K h :湿度校正因数
上式不仅适用于气隙的击穿电压,也适用于
外绝缘的沿面闪络电压。
一、对空气密度的校正 空气密度与压力和温度有关。空气的相对密
度:
p 2.9 T
式中: p :气压,kPa
T :温度,K.
在大气条件下,气隙的击穿电压随 而提高。
1 、极间距离相同的正、负极性“棒 — 板”气隙在自持放 电前、后气体放电的差异 自持放电前的阶段(电晕放电阶段) 正极性“棒 — 板”:因棒极带正电位,电子崩中的电
子迅速进入棒极,正离子暂留在棒极附近,这些空间电荷
消弱了棒极附近的电场而加强了外部空间的电场,阻止了 棒极附近流注的形成,使得电晕起始电压有所提高 负极性“棒 — 板”:因棒极带负电位,电子崩中电子 迅速向板极扩散,正离子暂留在棒极附近,这些空间电荷 加强了棒极附近的电场而消弱了外部空间的电场,使得棒
正由于此,在不同大气条件和海拔高度下所
得出的击穿电压实测数据都必须换算到某种标准
条件下才能互相进行比较。
国标规定的大气条件: 压力:p0=101.3kPa(760mmHg); 温度:t0=20摄氏度或T0=293K; 绝对湿度:hc=11g/m3。
实验条件下的气隙击穿电压 U 与标准大气条
件下的击穿电压 U 之间关系: 0
的增大
实验表明,当 处于0.95 ~1.05的范围内时,
气隙的击穿电压几乎与 成正比,即此时的空气
密度校正因数
K,因而: d
U U 0
气隙不很长(例如不超过1m)时:上式能足够准
确地适用于各种电场型式和各种电压类型下作近似 的工程估算。
更长的空气间隙:击穿电压与大气条件变化的
极附近流注容易形成,降低了电晕起始电压
电晕放电电压:正极性“棒 — 板” 〉负极性“棒 —
板” 自持放电后的阶段(击穿放电阶段) 正极性棒 — 板:当电压进一步提高,随着电晕放电
区的扩展,强场区逐步向板极推进,流注发展是顺利持续 的,直至气隙被击穿,其击穿电压较低 负极性棒 — 板:当电压进一步提高时,电晕区不易
m
n
式中指数 m,n与电极形状、气隙长度、电压类型 及其极性有关,其值在0.4~1.0的范围内变化,具体取 值国家标准中有规定。
二、对湿度的校正
大气中所含的水气分子能俘获自由电子而形 成负离子,这对气体中的放电过程显然起着抑制 作用,可见大气的湿度越大,气隙的击穿电压也 会增高。
在均匀和稍不均匀电场中,放电开始时,整个
向外扩展,流注发展是逐步顿挫的,整个气隙的击穿是不
顺利的,其击穿电压比正极性时高得多,击穿完成时间也 要长得多
击穿放电电压:正极性“棒 —板”〈 负极性“棒 —
2、极不均匀电场中的短间隙、长间隙的放电发展过程 短间隙: 电子崩 — 流注 — 主放电(击穿) 长间隙: 电子崩 — 流注 — 先导 — 主放电(击穿)