1.1 检验学习结果1、什么是本征激发？什么是复合？少数载流子和多数载流子是如何产生的？答：由于光照、辐射、温度的影响而产生电子—空穴对的现象称为本征激发；同时进行的价电子定向连续填补空穴的的现象称为复合。
掺入三价杂质元素后，由于空穴数量大大增加而称为多子，自由电子就是少子；掺入五价元素后，由于自由电子数量大大增加而称为多子，空穴就是少子。
即多数载流子和少数载流子的概念是因掺杂而形成的。
2、半导体的导电机理和金属导体的导电机理有何区别？答：金属导体中存在大量的自由电子载流子，因此金属导体导电时只有自由电子一种载流子；而半导体内部既有自由电子载流子又有空穴载流子，在外电场作用下，两种载流子总是同时参与导电，这一点是它与金属导体导电机理的区别。
3、什么是本征半导体？什么是N型半导体？什么是P型半导体？答：原子排列得非常整齐、结构完全对称的晶体称为本征半导体．．．．．。
本征半导体掺入五价元素后形成N型半导体；掺入三价元素后形成P形半导体。
4、由于Ｎ型半导体中多数载流子是电子，因此说这种半导体是带负电的。
这种说法正确吗？为什么？答：这种说法不正确。
因为，虽然N型半导体中有多子和少子之分，造成定城的离子带正电，但是整个晶体上的正、负电荷总数在掺杂过程中并没有失去或增加，所以晶体不带电。
5、试述雪崩击穿和齐纳击穿的特点。
这两种击穿能否造成PN结的永久损坏？答：电击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿，前者是一种碰撞的击穿，后者属于场效应的击穿，这两种电击穿一般可逆，不会造成PN结的永久损坏。
6、何谓扩散电流？何谓漂移电流？何谓PN结的正向偏置和反向偏置？说说PＮ结有什么特性？答：由多子形成的导通电流称扩散电流，由少子形成的电流称为漂移电流；当PN结的阳极P接电源正极，阴极N接电源负极时称为正向偏置，反之为反向偏置；PN结具有“正向导通、反向阻断”的单向导电性。
1.2 检验学习结果1、何谓死区电压？硅管和锗管死区电压的典型值各为多少？为何会出现死区电压？答：二极管虽然具有单向导电性，但是当正向电压较小时，由于外加正向电压的电场还不足以克服PN结的内电场对扩散运动的阻挡作用，二极管仍呈现高阻态，所以通过二极管的正向电流几乎为零，即基本上仍处于截止状态，这段区域通常称为死区．．。
二极管工作在死区时，硅管的死区电压典型值是0.5V，锗管的死区电压典型值是0.1V。
2、为什么二极管的反向电流很小且具有饱和性？当环境温度升高时又会明显增大？答：由于常温下少数载流子的数量不多，故反向电流很小，而且当外加电压在一定范围内变化时，反向电流几乎不随外加电压的变化而变化，因此反向电流又称为反向饱和电流。
当环境温度升高时，受温度影响本征激发和复合运动加剧，因此少子数量增大。
3、把一个1.5V 的干电池直接正向联接到二极管的两端，会出现什么问题？答：测量二极管类型及好坏时，通常采用1.5V 干电池串一个约1k 的电阻，并使二极管按正向接法与电阻相连接，使二极管正向导通。
如果测量时直接把1.5V 的干电池正向连接到二极管的两端，因为没有限流电阻，很有可能使二极管中因电流过大而损坏。
4、二极管的伏安特性曲线上可分为几个区？能否说明二极管工作在各个区时的电压、电流情况？答：二极管的伏安特性曲线上通常分为死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区。
二极管工作在死区时，由于正向电压小于和等于死区电压，因此无法抵消PN 结内电场对正向扩散电流的阻碍作用，电流趋近于零；二极管工作在正向导通区时，管子正向端电压的数值基本保持在小于1V 的情况下不变，而在此电压下管子中通过的电流增长很快；二极管工作在反向截止区时，当温度不变时反向电流基本不变，且不随反向电压的增加而增大，故称为反射饱和电流，若温度变化时，对反向截止区的电流影响较大；二极管工作在击穿区时，特点是电压增加一点即造成电流迅速增大，若不加限制，则二极管有热击穿的危险。
5、半导体二极管工作在击穿区，是否一定被损坏？为什么？答：半导体二极管工作在击穿区时不一定会损坏。
因为，如果是电击穿，一般过程可逆，只要限流措施得当或及时撤掉击穿电压，就不会造成PN 结的永久损坏。
但是，电击穿若不加任何限制而持续增强时，由于PN 结上的热量积累就会造成热击穿，热击穿过程不可逆，就会造成二极管的永久损坏。
6、理想二极管电路如图1-16所示。
已知输入电压u i ＝10sinωt V ，试画出输出电压u 0的波形。
答： （a ）图：图中二极管若看作理想二极管，当输入正弦波电压低于－5V 时，二极管D 导通，输出电压u O =u i ；当输入正弦波电压高于－5V 时，二极管D 截止，输出电压u O =－5V（b ）图：图中二极管也看作理想二极管，当输入正弦波电压高于＋5V 时，二极管D 导通，输出电压u O =ui ；当输入正弦波电压低于＋5V 时，二极管D 截止，输出电压u O =＋5V ，波形如下图所示：图1-16 检验题6电路图1.3 检验学习结果1、利用稳压管或普通二极管的正向压降，是否也可以稳压？答：不可以。
因为，硅二极管或稳压管的正向压降正常工作时只有0.7V，正向电压在正向偏置时管压降只能是0～0.7V，超过此电压过大时，二极管的管压降也不会超过1V，因此它们的正向压降是不能稳压的。
2、现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。
试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？答：（1）将额定电压分别为6V和8V的两个稳压管串联相接：反向串联时稳压值为14V；正向串联时1.4V；一反一正串联时可获得6.7V、8.7V。
（2）将额定电压分别为6V和8V的两个稳压管并联相接：反向并联时稳压值为6V；正向并联时或一反一正并联时只能是0.7V。
3、在图1-20所示电路中，发光二极管导通电压U D＝1.5V，正向电流在5～15mA时才能正常工作。
试问图中开关S在什么位置时发光二极管才能发光？R的取值范围又是多少？答：图中开关S闭合时发光二极管可导通。
导通发光时正向5mA电流下1.5÷5=0.3kΩ；正向15mA电流下1.5÷15=0.1kΩ。
因此限流电阻R的取值范围：100Ω～300Ω。
1.4 检验学习结果1、三极管的发射极和集电极是否可以互换使用？为什么？答：由于三极管的发射区和集电区掺杂质浓度上存在较大差异，且面积也相差不少，因此不能互换使用。
如果互换使用，其放大能力将大大下降甚至失去放大能力。
2、三极管在输出特性曲线的饱和区工作时，其电流放大系数是否也等于β？答：三极管工作在饱和区时，电流放大能力下降，电流放大系数β值随之下降。
3、使用三极管时，只要①集电极电流超过I CM值；②耗散功率超过P CM值；③集—射极电压超过U（BR）CEO值，三极管就必然损坏。
上述说法哪个是对的？答：其中只有说法②正确，超过最大耗散功率P CM值时，三极管将由于过热而烧损。
4、用万用表测量某些三极管的管压降得到下列几组数据，说明每个管子是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？它们各工作在什么区域？①U BE＝0.7V，U CE＝0.3V；②U BE＝0.7V，U CE＝4V；③U BE＝0V，U CE＝4V；④U BE＝－0.2V，U CE＝－0.3V；⑤U BE＝0V，U CE＝－4V。
答：①NPN硅管，饱和区；②NPN硅管，放大区；③NPN硅管，截止区；④PNP锗管，放大区；⑤PNP锗管，截止区。
1.5 检验学习结果1、双极型三极管和单极型三极管的导电机理有什么不同？为什么称双极型三极管为电流控制型器件？MOS管为电压控制型器件？答：双极型三极管有多子和少子两种载流子同时参与导电；单极型三极管只有多子参与导电。
由于双极型三极管的输出电流I C受基极电流I B的控制，因此称其为电流控件；MOS 管的输出电流I D受栅源间电压U GS的控制，因之称为电压控制型器件。
2、当U GS为何值时，增强型N沟道MOS管导通？答：当U GS=U T时，增强型N沟道MOS管开始导通，随着U GS的增加，沟道加宽，I D增大。
当U GD＝U GS－U DS<U T时，漏极电流I D几乎不变，同样表现出恒流特性。
3、在使用MOS管时，为什么其栅极不能悬空？答：因为单极型三极管的输入电阻很高（二氧化硅层的原因），在外界电压的影响下，栅极容易产生相当高的感应电压，造成管子击穿，所以，MOS．．．．．．．．．．．．．．．管在不使用时应避免栅极悬空．，务必将各电极短接．．．．．．．．。
4、双极型三极管和MOS管的输入电阻有何不同？答：双极型三极管的输入电阻r be一般在几百欧～千欧左右，相对较小；而MOS管绝缘层的输入电阻极高，趋近于无穷大，因此通常认为栅极电流为零。
第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化不通。
6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
二、判断正误：1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。