RP↑→τC↑→出现第一个脉冲的时间后移→α↑→Ud↓
（2）脉冲移相与形成
2）波形分析 ①、电容电压的波形 将探头的测试端接于“C”点
半个周期
（a）实测波形
（b）理论波形
（2）脉冲移相与形成
调节电位器RP的旋钮，观察C点的波形的变化范围。
②、输出脉冲的波形 将探头的测试端接于“D”点
（a）实测波形
3 单结晶体管触发电路
1）单结晶体管触发电路，是由同步电路和脉冲移相与形成两 部分组成的。 2）同步电路 触发信号和电源电压在频率和相位上相互协调的关系叫同步。 同步电路由同步变压器、桥式整流电路VD1～VD4、电阻R1 及稳压管组成。
触发电路
单结晶体管触发电路
单结晶体管
同步电路
脉冲移相电路
脉冲形成环节
——加于图中B-E两端的触发电路电源电压
——单结晶体管的谷点电压 ——单结晶体管的谷点电流 ——单结晶体管的峰点电压 ——单结晶体管的峰点电流
（2）、电阻的选择 电阻是用来补偿温度对峰点电压的影响，通常取值范围 为：200～600。 （3）、输出电阻的选择 输出电阻的大小将影响将影响输出脉冲的宽度与幅值， 通常取值范围为：50～100。
（4）、电容C的选择
电容C的大小与脉冲宽窄和的大小有关，通常取值范围为.3）
工业生产中常有如此情况，即一道工序接一道工序轮 流操作，当最后一道工序完成后，又开始重复以上工 序，每道工序又需要控制一定时间，即可以用时间继 电器自动操作。
单结晶体管的主要参数有： 基极间电阻rbb 分压比η 峰点电流IP 谷点电压UV 谷点电流IV 耗散功率等。
单结管的管脚判断方法
从定位栓顺时针：e、b1、b2
用万用表来判断：阅读p24页材料，总结出测
试方法。
2．单结晶体管张驰振荡电路
（a）单结晶体管张驰振荡电路的电路图 （b）单结晶体管张驰振荡电路波形图
触发脉冲的要求
A、要有足够大的功率，保证能够可靠触发
B、要有一定的脉冲宽度 C、前沿要陡峭，保证准确度
D、必须同步
E、必须在主电路要求的移相范围内移相
3．单结晶体管触发电路
3）波形分析 单结晶体管触发电路的调试以及在今后的使用过程中的检修 主要是通过几个点的典型波形来判断个元器件是否正常。 ①桥式整流后脉动电压的波形 将探头的测试端接于“A”点，接地端接于“E”点，测得 波形。
单结晶体管
单结晶体管及触发电路
1．单结晶体管
（1）单结晶体管的结构
（a）结构 （b）等效电路 （c）图形符号 （d）外形管脚排列
（1）单结晶体管的结构
触发电路常用的国产单结晶体管的型号主要有BT31， BT33，BT35，其外形与管脚排列。
第一基极b1
发射极e
第二基极b2
2）单结晶体管的伏安特性
和rb2分压，得A点电位UA，可表示为
rb1U bb UA U bb rb1 rb2
式中 η——分压比，是单结晶体管的主要参数，η一般为 0．3～0．9。 ②负阻区——PV段 ③饱和区——VN段
2）单结晶体管的伏安特性
单结管的导通条件：
单结管的关断条件：
Ue>Up
Ue<Uv
（3）单结晶体管的主要参数
3．单结晶体管触发电路
②、削波后梯形波电压波形 将探头的测试端接于“B”点，测得B点的波形
（a）实测波形
（b）理论波形
（2）脉冲移相与形成
1）电路组成
脉冲移相由电阻RE和电容C组成，脉冲形成由单结 晶体管、温补电阻R3、输出电阻R4组成。
改变张驰振荡电路中电容C的充电电阻的阻值，就 可以改变充电的时间常数，图中用电位器RP来实现这 一变化，例如：
单结晶体管的伏安特性：当两基极b1和b2间加某一固定直流电压时，发射 极电流与发射极正向电压Ue之间的关系曲线称为单结晶体管的伏安特性＝f （Ue）。
（a）单结晶体管实验电路 （b）单结晶体管伏安特性
（c）特性曲线族
2）单结晶体管的伏安特性
①截止区——aP段 当开关Q闭合，电压Ubb通过单结晶体管等效电路中的rbl
（b）理论波形
调节电位器RP的旋钮，观察D点的波形的变化范围。
3．触发电路各元件的选择
（1）、充电电阻的选择 改变充电电阻的大小，就可以改变张驰振荡电路的频率，但是频率的 调节有一定的范围，如果充电电阻选择不当，将使单结晶体管自激振 荡电路无法形成振荡。
充电电阻的取值范围为：
其中：
U UV U U P RE IV IP