掌握熟悉了解第一章半导体物理基础一、能带理论1、能带的形成、结构：导带、价带、禁带•当原子结合成晶体时，原子最外层的价电子实际上是被晶体中所有原子所共有，称为共有化。

•共有化导致电子的能量状态发生变化，产生了密集能级组成的准连续能带---能级分裂•价带：绝对0度条件下被电子填充的能量最高的能带；结合成共价键的电子填充的能带。

•导带：绝对0度条件下未被电子填充的能量最低的能带2、导体、半导体、绝缘体的能带结构特点•禁带的宽度区别了绝缘体和半导体；而禁带的有无是导体和半导体、绝缘体之间的区别；绝缘体是相对的，不存在绝对的绝缘体。

3、导电的前提：不满带的存在二、掺杂半导体1、两种掺杂半导体的能级结构。

2、杂质补偿的概念三、载流子统计分布1、费米函数、费米能级：公式1-7-9和1-7-10，及其简化公式1-7-11和1-7-122、质量作用定律，只用于本征半导体：公式1-7-273、用费米能级表示的载流子浓度：公式1-7-28和1-7-294、杂质饱和电离的概念（本征激发）5、杂质半导体费米能级的位置：公式1-7-33和1-7-37。

意义（图1-13，费米能级随着掺杂浓度和温度的变化）。

6、杂质补充半导体的费米能级四、载流子的运输1、（1.8节）载流子的运动模式：散射－漂移－散射。

平均弛豫时间的概念2、迁移率，物理意义：公式1-9-4和1-9-5（迁移率与电子自由运动时间和有效质量有关），迁移率与温度和杂质浓度的关系3、电导率，是迁移率的函数：公式1-9-10和1-9-114、在外电场和载流子浓度梯度同时存在的条件下，载流子运输公式：1-9-24～1-9-275、费米势：公式1-10-5：电势与费米能级的转换6、以静电势表示的载流子浓度1-10-6和1-10-7或1-10-9和1-10-107、爱因斯坦关系：反映了扩散系数和迁移率的关系。

在非热平衡状态下也成立。

公式1-10-11和1-10-12 五、非平衡载流子1、概念：平衡与非平衡（能带间的载流子跃迁）；过剩载流子2、大注入和小注入3、产生率、复合率、净复合率4、非平衡载流子的寿命：从撤销外力，到非平衡载流子消失。

单位时间内每个非平衡载流子被复合掉的概率 ，净负荷率5、载流子的寿命 ：反映衰减快慢的时间常数，标志着非平衡载流子在复合前平均存在的时间6、准费米能级1-12-1、1-12-27、直接复合、间接复合8、非平衡少子寿命与本征半导体的关系：在掺杂半导体中，非平衡少子的寿命比在本征半导体中的短， 和多子浓度成反比，即与杂质浓度成反比。

9、基本控制方程：1-15-3、1-15-4、1-15-2参考题● 请画出导体、半导体、绝缘体的能带结构示意图，并解释它们之间的区别。

● 请画出N 型半导体和P 型半导体的能带结构，指出施主杂质和受ττ/1τ/p ∆τ主杂质的位置，并解释原因。

●请写出费米函数，并解释费米函数的意义。

什么是费米能级？●什么是质量作用定律？它的适用范围？●请写出N型和P型半导体的费米能级公式，并解释其费米能级与掺杂浓度和温度之间的关系。

●填空：能带理论提出：一个晶体是否具有导电性，关键在于它是否有不满的能带存在。

●填空：杂质以替位的方式掺入硅晶体中。

●请写出电子和空穴迁移率和电导率的公式，并解释迁移率的物理意义。

●什么是爱因斯坦关系式？在非热平衡状态下也成立。

●●名词解释：有效质量，杂质补偿，本征半导体，本征激发，杂质饱和电离，平均自由时间，费米势，过剩载流子，大注入，小注入，产生率，复合率，净复合率，非平衡载流子的寿命，第二章PN结一、热平衡PN结1、PN 结的形成，能带图形成原理以及结构（会画）2、突变和缓变PN 结3、PN 结的内建电势2-1-7和2-1-194、电势和电场的面积关系：5、泊松方程：电荷密度、电场、电势的关系二、加偏压的PN 结1、能带的变化特点：偏离平衡态，出现准费米能级（图2-5）；2、扩散近似；正向注入和反向抽取：边界处少子浓度与外加偏压的关系3、边界条件2-2-1和2-2-12三、理想PN 结的直流电流－电压特性 1、理想情况的几个假设：（1）～（4）2、能够画出正、反偏压下PN 结少子分布、电流分布和总电流示意图。

（图2-7、2－8）3、公式2-3-16及其近似2-3-224、空穴和电子的扩散长度表达式及意义。

空穴和电子的扩散长度表E CEE C E V EF EC E F E i E V EWE M 0021=∆ψ()a d N n N p k qdx d --+-=022εψdxd E ψ-=()a d N n N p k qdx dE --+=ε达式及意义（两个意义：扩散区域；少子扩散电流衰减为1/e ）。

空穴扩散区、电子扩散区四、空间电荷区的复合电流和产生电流 1、图2－11，分三个阶段低偏压：空间电荷区的复合电流占优势 偏压升高： 扩散电流占优势 更高偏压： 串联电阻的影响出现了 五、隧道电流1、了解隧道电流的概念及产生条件。

2、江崎二极管的电流-电压特性（图2-13） 六、I-V 特性的温度依赖关系1、图2－14和2－15：在相同电压下，电流随温度升高。

七、耗尽层电容（势垒电容、结电容）和扩散电容 1、概念、形成原因2、扩散电容在低频正向偏压下特别重要。

八、PN 结二极管的频率特性 1、二极管等效电路图2-19 2、二极管直流电导或扩散电导 扩散电容2/1)(P P P D L τ=2/1)(n n n D L τ=TD V Ig =Tp D V IC 2τ=九、电荷存储和反向瞬变1、PN结的开关作用。

2、反向瞬变和电荷存储的概念3、根据2－21的载流子分布，解释2－20所示的电流、电压特性（分三个阶段）。

十、PN结击穿1、雪崩击穿的产生原理：碰撞电离、倍增效应。

2、齐纳击穿：由隧道效应产生参考题●请画出PN结形成前后的能带图，并用能带理论解释PN结形成过程。

●画出正向偏压和反向偏压的PN结能带图，并解释不同之处。

●写出PN结边界条件公式，并解释什么是正向注入和反向抽取？●画出正向偏置和反向偏置下的PN结两边少数载流子分布。

●图2-10，考虑空间电荷区正偏复合电流和串联电阻的影响的实际I－V曲线●耗尽层电容和扩散电容是如何形成的？●分三个阶段解释反向瞬变。

●名词解释：势垒区，扩散近似，耗尽近似，扩散长度，反向瞬变，雪崩击穿（碰撞电离，倍增效应）第三章 双极结型晶体管一、双极结型晶体管的结构1、NPN 和PNP 型晶体管的结构及电路符号。

“双极型”的解释。

2、图3－2：硅平面外延NPN 晶体管的版图和截面图。

3、图3-3：硅平面外延NPN 晶体管的净掺杂浓度分布 二、基本工作原理1、四种工作模式对应的偏压情况2、图3-5 NPN 晶体管共基极放大电路图及对应能带图3、图3-6：放大工作条件下的工作电流分量：会画，解释各个电流的形成原理。

4、几个电流增益概念：发射极注射效率、基区运输因子、共基极电流增益、共发射极电流增益。

三、正向有源工作模式下的电流传输1、放大条件下，基极电流和集电极电流的表示方法。

（计算题） 图3-11四、埃伯斯－莫尔方程1、图3-15：四种工作模式下的少数载流子分布，会画。

2、图3-14：E-M 等效电路 五、缓变基区晶体管kTqV B B nB E C BE eX n qD A I /0)/(=kTqV pE E pE E E pE E pE BBE eL p qD A dx dp qD A I I /0)/(|)/(|=-=≈1、基区杂质分布不均；产生内建电场；加强电子漂移。

Webster效应：相当于扩散系数增加一倍。

六、基区扩展电阻和电流聚集1、发射极电流集聚效应：基区扩展电阻的存在，使发射结电压降低，发射极电流集中在发射结边缘附近解决方法：采用周长/面积比很高的梳状结构。

七、基区宽度调变效应1、基区宽度调变效应：基区宽度与VCE的关系2、Early效应：IC与VCE的关系八、晶体管的频率响应1、截至频率的概念2、各种频率的定义：共基极截至频率、共发射极截至频率、增益－带宽乘积3、影响载流子运输的4个延迟：基区渡越时间（公式3-8-12）、发射结过渡电容充电时间、集电结耗尽层渡越时间、集电结电容充电时间。

公式3-8-15、3-8-164、Kirk效应：也称为基区展宽效应十、晶体管的开关特性1、开：饱和状态关：截至状态2、理解：开－关过程与载流子的存储和运输有关，需要有一个过程3、各开关时间的定义：导通时间、上升和下降时间、贮存时间4、最重要的贮存时间：定义，与该时间相对应的载流子的存储和运输过程。

十一、击穿电压1、根据击穿条件，分析“共发射极击穿电压 比共基极击穿电压 低很多”。

参考题● 三极管有哪几种工作模式？以及各种工作模式的偏置特点。

● 填空：晶体管实现放大的必要条件之一：基区宽度很窄。

● 当BJT 工作在放大条件下时，画出工作电流分量示意图，并解释各个电流的形成。

● 请画出正向有源模式下各个区的少数载流子分布，并解释原因。

● 推导正向有源模式下，集电极电流和基极电流公式。

● 请画出艾伯斯莫尔电路模型，并解释各个电路元素。

● 请画出三极管在四种工作模式下的少子分布。

● 什么是缓变基区晶体管？基区的掺杂有什么特点？并分析这种特点对基区载流子运输的影响。

● 请根据基区载流子的变化过程，解释晶体管的开关特性。

● 影响晶体管开关过程的时间是哪一个？为什么？0CB BV 0CE BV kTV pE E pE E B BE e L p qD A I /0)/(=BB nBC X n qAD I )0(=● 名词解释：双极型器件和单极型器件，基区输运因子，共基极直流电流增益，发射极注射效率，Webster 效应，发射极电流拥挤， Early 效应，截止频率，特征频率，● 什么是基区渡越时间，并写出其表达式。

● 什么是Kirk 效应？该效应是如何引起的？● 三极管跨导的定义。

● 三极管作为开关时分别工作在哪个状态下？为什么会有开关时间？● 请根据图示，分析三极管的打开和关闭过程所对应的基区载流子变化，并指出影响开关时间的最重要时间。

第六章金属－氧化物－半导体场效应管一、理想MOS 结构的表面空间电荷区1、理想MOS 结构的假设2、MOS 电容器的结构：半导体表面电荷层具有一定的厚度3、表面势：空间电荷区中电场的出现使半导体表面与体之间产生一个电位差4、载流子的积累、耗尽和反型：栅极电压、半导体表面载流子特点、能带图（图6-4）5、反型和强反型条件：6-1-19和6-1-20MOSFET 工作在强反型条件下。

SG V V ψ+=06、导电沟道的概念二、理想MOS电容器1、分四种情况讨论MOS电容器的电容－电压特性：积累区、平带情况、耗尽区、反型区（高频和低频），会画图6-7和图6-9。