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第1章 晶体结构基础04


Ti4+
O2-
TiO2 四方晶系 简单四方点阵
体心Ti4+离子的周围环境不同于角顶的Ti4+离子,因此不 属于此简单四方点阵!
Ti4+
O2-
TiO2 四方晶系 简单四方点阵
坐标系法 Z=2
Ti4+:000,½ ½ ½
O2-:uu0,(1-u)(1-u)0,
(½+u)(½-u) ½,(½-u) (½+u) ½
正离子相连.
分子式(结构式):
2R2O·SiO2 2RO·SiO2 RO2·SiO2
(R4+[SiO4]) (R22+[SiO4]) (R4+[SiO4])
R= Mg2+、Ca2+、Fe2+、Be2+、 Zn2+、Mn4+、Zr4+等.
代表物质:镁橄榄石、锆英石等.
镁橄榄石
分子式:2MgO·SiO2 晶体结构:正交晶系
O2-:6
部分钙钛矿型结构晶体
氧化物 (1+5)
NaNbO3 KNbO3 NaWO3
CaTiO3 SrTiO3 BaTiO3 PbTiO3 CaZrO3
氧化物 (2+4)
SrZrO3 BaZrO3 PbZrO3 CaSnO3
BaSnO3
CaCeO3 BaCeO3 PbCeO3 BaPrO3 BaHfO3
2.二元化合物典型晶体结构
(1)AB型化合物
典型物质:
NaCl
CsCl
闪锌矿
β-ZnS
纤锌矿
α-ZnS
① NaCl型结构(P46)
NaCl 立方晶系 面心立方点阵
晶体描述的三种方法:
坐标系法
Z=4
Z:单位晶胞内 “分子”数
Cl-:000,½ ½0,½0 ½,0 ½ ½
Na+:00 ½ ,½ 00,0 ½0,½ ½ ½
ClCs+
CsCl 立方晶系 简单立方点阵
坐标系法 Z=1
Cl-:000
Cs+:½ ½ ½
球体紧密堆积法 Cl-:立方堆积 Cs+:处于全部的立方体空隙中 配位数
Cs+:8
Cl-:8
CsCl型晶体有: CsBr、CsI、NH4Cl等.
③ β-ZnS(闪锌矿)型结构(P47-48)
S2Zn2+
坐标系法 Z=4 S2-:000,½ ½ 0,½ 0 ½,0 ½ ½ Zn2+:¼ ¼ ¾,¼ ¾ ¼,¾ ¼ ¼,
球体紧密堆4+:填充于1/2的八面体空隙中
配位数 Ti4+:6
O2-:3
金红石型晶体有GeO2、SnO2、PbO2、MnO2、NbO2、 WO2、CoO2、MnF2、MgF2等.
3.三元化合物典型晶体结构
① 钙钛矿(ABO3)型结构(P51)
A(二价金属离子):Ca2+,Ba2+,Pb2+
双四面体 (Si2O7)6-
三节环 (Si3O6)6-
四节环 (Si4O12)8-
六节环 (Si6O18)12-
若把这些群体看成一个单元,那么这些单元就象岛状结 构中的硅氧四面体一样,是以孤立的状态存在的.
代表物质:绿柱石等.
绿柱石
[AlO6]八面体
分子式:3BeO·Al2O3·6SiO2
晶体结构:六方晶系
球体紧密堆积法 Ca2+:立方密堆 F-:填充于全部四面体空隙中
CaF2 立方晶系 面心立方点阵
配位数 Ca2+:8
F-:4
萤石型晶体有BaF2、PbF2、SnF2、CeO2、ThO2、UO2等.
CaF2晶体结构中,八面体空隙全部空着,因此在八个F之间存在有较大的空洞,为F-的扩散提供条件.
反萤石结构(P49) 结构与萤石完全相同、只是正负离子的位置完全互换
FeCr2O4
NiCr2O4
ZnCr2O4 CdCr2O4 ZnMn2O4 MnMn2O4
MgAl2O4
MnAl2O4
FeAl2O4
MgGa2O4 CaGa2O4 MgIn2O4 FeIn2O4
CoCo2O4 CuCo2O4 FeNi2O4 GeNi2O4 TiZn2O4 SnZn2O4
硫化物
MnCr2S4 CoCr2S4 FeCr2S4 FeNi2S4
Me:Mg2+、Fe3+、Fe2+、Al3+等二价或三价金属离子
z 在镁橄榄石结构中,四面体空隙仅 有八分之一被充填,因此硅氧四面 体能以孤立状态存在.
A层O2-在25标高 B层O2-在75标高 位于50标高的Mg2+ 位于0标高的Mg2+ Si4+在四面体中心,未标出
组群状结构 以2、3、4或6个硅氧四面体通过共用氧相连,形成硅氧
四面体群,这些群体之间由其它阳离子按一定的配位形式 连接.
反型尖晶石结构
占据八面体间隙位置
占据8个八面体间隙 和8个四面体间隙
部分尖晶石型结构晶体
氟、氰化合物
BeLi2F4 MoNa2F4 ZnK2(CN)4 CdK2(CN)4 MgK2(CN)4
TiMg2O4
VMg2O4
MgV2O4
ZnV2O4 MgFe2O4 FeFe2O4 CoFe2O4
氧化物
MgCr2O4
[SiO4]四面体
[BeO4]四面体
a=0.921nm
c=0.917nm
基本结构单元: 六个硅氧四面体形成的六节环.
绿宝石
绿柱石结构在(0001) 面上的投影图,它是1/2晶 胞的投影,在C轴上还有 对称的一半未画出.
图中标出8个六节环(上下各4四个,错开30°排列). 六节环间靠Al3+和 Be2+相连. Al3+配位数为6,构成[AlO6]八面体;Be2+配位数为4,构成[BeO4] 四面体. 在绿柱石结构中,在上下叠置的六节环内,形成了一个巨大的通 道,一些大的阳离子,如K + 、Cs+和H2O分子可存在其中.
坐标系法 Z=2
S2-
S2-:000,⅔ ⅓ ½
Zn2+:00u,⅔ ⅓ (u-½) u=0.875
Zn2+
球体紧密堆积法
S2-:六方密堆
Zn2+:填充于1/2的四面体空隙中
α-ZnS 六方晶系
简单六方点阵
配位数 Zn2+:4
S2-:4
α-ZnS型晶体有:
BeO(氧化铍)、ZnO、AlN等.
BeO电子元件
Mg2+
坐标系法 Z=8
O2Al3+ MgAl2O3 立方晶系
球体紧密堆积法 O2-:立方密堆
Mg2+:填充于1/8的四面体空隙中 Al3+:填充于1/2的八面体空隙中
配位数
Mg2+:4
Al3+:6
O2-:4
尖晶石结构可分为:正型和反型
正型尖晶石结构
A2+ 占据氧的四面体间隙,共8个 B3+ 占据八面体间隙位置,共16个
a=0.599nm b=0.478nm c=1.026nm
基本结构单元: 孤立的硅氧四面体.
z 从(100)面投影看,氧离子近似 于六方紧密堆积,硅离子充填于四 面体空隙,镁离子充填于八面体空 隙.
z 硅氧四面体是孤立的,它们之间并 没有共用的氧离子.
z 硅氧四面体之间是由镁离子按镁氧 八 面 体 的 方 式 相 连 的 。 每 一 个 O2离子和三个Mg2+离子以及一个Si4+ 离子相连,电价是平衡的.
¾¾¾
球体紧密堆积法 S2-:立方密堆 Zn2+:填充于1/2的四面体空隙中
β-ZnS 立方晶系
面心立方点阵
配位数 Zn2+:4
S2-:4
β-ZnS型晶体有:
β-SiC、GaAs(砷化镓)、AlP(磷化铝)、InSb(锑化铟)等.
GaAs晶圆 AIM-9X的锑化铟制导引头
磷化铝杀虫剂
④ α-ZnS(纤锌矿)型结构(P48)
球体紧密堆积法
Cl-:立方密堆 Na+:处于全部的八面体空隙中
配位多面体及其连接方式法
Na+配位数为6, 构成Na-Cl八面 体,NaCl结构以 八面体共棱方式 连接而成.
部分NaCl型结构晶体
化合物
NaCl NaI MgO CaO SrO
晶胞参数 (nm) 0.5628 0.6462 0.4203 0.4797 0.5150
4.硅酸盐晶体结构
(1)硅酸盐结构的一般特点及分类
硅酸盐结构的基本特点如下:(P56-57)
z 构成硅酸盐的基本单元是[SiO4]四面体,硅氧之 间的平均距离为0.16nm左右(该值小于硅氧离 子半径之和,说明硅氧之间非纯离子键,一般 认为离子键和共价键各占一半).
z 每个氧最多只能被两个[SiO4]四面体所共用. z [SiO4]四面体只能是相互孤立地在结构中存在,或通过共顶点方式
透辉石
单斜晶系(Z=4) 沿c轴方向延伸的单链为基本单元. 在b轴方向,链的排列正好交叉. 链之间由Ca2+和Mg2+离子相连, Ca2+配位数为8, Mg2+配位数为6.
③ 层状结构(P60)
硅氧四面体通过三个共同氧连接,在二维平面内延伸成 一个硅氧四面体层.
在硅氧层中,处于同一平面的 三个氧离子都被硅离子共用而形
相互连接,而不可能以共棱和共面的方式相连. z Si-O-Si的结合键并不形成一直线,而是一折线(硅酸盐中,在氧上
的这个键角接近145°).
硅酸盐结构的分类: 根据硅氧四面体在空间的组合情况,可将硅酸盐结构分
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