习 题 77.1 图7.1所示为场效应管的转移特性，请分别说明场效应管各属于何种类型。

说明它的开启电压th U （或夹断电压p U ）约是多少。

GSGS (a)(b)(c)图7.1 习题7.1图解：(a) N 沟道 耗尽型FET U P =－3V ； (b) P 沟道 增强型FET U T =－4V ； (c) P 沟道 耗尽型FET U P =2V 。

7.2 图7.2所示为场效应管的输出特性曲线，分别判断各场效应管属于何种类型（结型、绝缘栅型、增强型、耗尽型、N 沟道或P 沟道），说明它的夹断电压p U （或开启电压th U ）为多少。

DS (a)DS (b)图7.2 习题7.2图解：(a) JFET P 沟道 U P =3V ；(b) 耗尽型 N 沟道FET U P =－1.0V7.3 某MOSFET 的I DSS = 10mA 且U P = －8V 。

(1) 此元件是P 沟道还是N 沟道？(2) 计算U GS = －3V 是的I D ；(3) 计算U GS = 3V 时的I D 。

解：(1) N 沟道；(2) )mA (9.3)831(10)1(P GS DSS D =-⨯=-=U U I I (3) )mA (9.18)831(10)1(P GS DSS D =+⨯=-=U U I I7.4 画出下列FET 的转移特性曲线。

(1) U P = －6V ，I DSS = 1mA 的MOSFET ； (2) U T = 8V ，K = 0.2mA/V 2的MOSFET 。

解：(1)/V(2) i D /V7.5 试在具有四象限的直角坐标上分别画出各种类型场效应管的转移特性示意图，并标明各自的开启电压或夹断电压。

解：7.6判断图7.6所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。

解： (a) 能放大(b) 不能放大，增强型不能用自给偏压(c) 能放大（d ）不能放大，增强型不能用自给偏压，改为耗尽型管子，共漏1<uA ，可增加R d ，并改为共源放大，修改电源极性。

图7.3 习题7.6电路图7.7 电路如图7.4所示，MOSFET 的U th = 2V ，K n = 50mA/V 2，确定电路Q 点的I DQ 和U DSQ 值。

解：)V (13.3241510015DD g2g1g2GSQ =⨯+=⨯+=V R R R U22DQ n GSQ th ()50(3.132)63.9(mA)I K U U =-=⨯-=)V (2.112.09.6324d DQ DD DSQ =⨯-=-=R I V UR g1VT+V DD 24VR g2100k 15k ΩR d 200ΩVT+V DD 12VR g10M ΩR d1.0k ΩVT+V DD -9VR g10M ΩR d560Ω(a)(b)图7.4 习题7.7电路图 图7.5 习题7.8电路图7.8 试求图7.5所示每个电路的U DS ，已知|I DSS | = 8mA 。

解：(a) U GSQ =0(V) I DQ =I DSS =8(mA) U DSQ =V DD －I DQ R d = 12－8×1=4(V) (b) U GSQ =0(V) I DQ =I DSS =－8(mA)U DSQ =V DD －I DQ R d = －9+8×0.56=－4.52(V)7.9 电路如图7.6所示，已知VT 在U GS = 5V 时的I D = 2.25mA ，在U GS = 3V 时的I D = 0.25mA 。

现要求该电路中FET 的V DQ = 2.4V 、I DQ = 0.64mA ，试求：(1) 管子的K n 和U th 的值； (2) R d 和R S 的值应各取多大？ 解：（1）I D =K n (U GS -U th )22.25= K n (5-U Th )2 0.25= K n (3-U th )2 → U th1=3.5(V) (不合理，舍去)，U th2=2(V) 求得：K n =0.25mA/V 2，U th =2V（2）V DQ =V DD -I DQ ·R d 2.4=12－0.64R d →R d =15k Ω2GSQ )2(25.064.0-=U →U GSQ1=0.4(V)(不合理，舍去) U GSQ2=3.6(V)U GSQ =10－0.64·R s ∴R s =10k Ω7.10 电路如图7.7所示，已知FET 的U th = 3V 、K n = 0.1mA/V 2。

现要求该电路中FET 的I DQ = 1.6mA ，试求R d 的值应为多大？V DD SSV DD R g 1.2M图7.6 习题7.9图 图7.7 习题7.10图解：1.6=0.1(U GSQ －3)2 ∴U GSQ1=7(V) U GSQ2=－1(V)(不合理，舍去) U DSQ =U GSQ =7(V) U DSQ =15－1.6×R d ∴R d =5k Ω7.11 电路如图7.8所示，已知场效应管VT 的U th = 2V ，U (BR)DS = 16V 、U (BR)GS = 30V ，当U GS = 4V 、U DS = 5V 时的I D = 9mA 。

请分析这四个电路中的场效应管各工作在什么状态(截止、恒流、可变电阻、击穿)？VTR g R S 1.2M Ω2k ΩR d 5k Ω15VVTR g 1.2M ΩR d 5k Ω20V1VVTR g 1.2M ΩR d 5k Ω12V3V VTR g 1.2M ΩR d 3k Ω12V3V(a)(b)(c)(d)图7.8 习题7.11图解：(a) 截止(b) U DSQ =20V>U (BR)DS ，击穿(c) I D =K n (U GS -U th )2 9= K n (4－2)2 ∴K n =2.25mA/V 2 U GSQ =3V I DQ =2.25(3－2)2 ∴I DQ =2.25mA → U DSQ =12－2.25×5=0.75(V)<U GSQ －U th =1V ∴处于可变电阻区(d) U DSQ =12－2.25×3=5.25(V)>U GSQ －U th =1V ∴处于恒流区7.12 图7.9所示场效应管工作于放大状态，ds r 忽略不计，电容对交流视为短路。

跨导为m 1ms g =。

（1）画出电路的交流小信号等效电路；（2）求电压放大倍数u A •和源电压放大倍数us A •；（3）求输入电阻i R 和输出电阻o R 。

图7.9 习题7.12电路图解：ooU+－(2) R i =R g3+R g2//R g1=2+0.3//0.1=2.075(M Ω)R o =R d =10k Ω(3) 3.321110111m d -=⨯+⨯-=+-==R g R g U U A m i o u 3.33.3001.0075.2075.2-≈⨯+-=+=u s i i usA R R R A 7.13 电路如图7.10所示，已知FET 在Q 点处的跨导g m = 2mS ，λ=0，试求该电路的uA 、R i 、R o 的值。

u o图7.10 习题7.13电路图解：R i =R g2//R g1=2//0.5=0.4(M Ω) R o =R s //m g 1=3//21=429(Ω) 822.010//32110//32//1//L s L s =⨯+⨯=+=R R g R R g A m m uR g2R g1R sR iR oiU gsU gsm U g +－+－oU +－R L7.14 电路如图7.11所示，场效应管的m 11.3ms g =，ds r 忽略不计。

试求共漏放大电路的源电压增益us A •、输入电阻i R 和输出电阻o R 。

图7.11 习题7.14电路图解：R sR g2R g1R R iR osiU gsU gsm U g +－+－oU+－R i =R g2//R g1=240//240=120(k Ω) R o =R //m g 1=0.75//3.111=79.2Ω894.075.03.11175.03.111=⨯+⨯=+=R g R g A m m u866.0894.04120120=⨯+=+=us i iusA R R R A 7.15 放大电路如图7.12所示，已知场效应管的DSS 1.6mA I =，p U = -4V ，ds r 忽略不计，若要求场效应管静态时的GSQ 1V U =-，各电容均足够大。

试求：（1）g1R 的阻值；（2）u A •、i R 及o R 的值。

图7.12 习题7.15电路图解：mA 9.0)411(6.1)1(22PGSQ DSS DQ =-⨯=-=U U I I1DQ DD g2g1g2GSQ R I V R R R U -+=∴R g1=1.2(M Ω)ms 6.049.06.122PDQDSS m =-⨯-=-=U I I gR i =R g3+R g2//R g1=2+0.05//1.2=2.048(M Ω) R o =R d =10k Ω0.310//106.0//Ld m -=⨯-=-=R R g A uR L oU +－7.16 电路如图7.13所示，已知FET 的I DSS = 3mA 、U P =－3V 、U (BR)DS = 10V 。

试问在下列三种条件下，FET 各处于哪种状态？(1) R d = 3.9k Ω；(2) R d = 10k Ω；(3) R d = 1k Ω。

V DD R g图7.13 习题7.16图解：U GSQ =0(V) ∴I DQ =I DSS =3mA(1) U DSQ =15－3×3.9=3.3(V) ∴处于恒流区；(2) U DSQ =15－3×10=－15(V) ∴处于可变电阻区； (3) U DSQ =15－3×1=12(V) ∴处于击穿区。

图7.16 习题7.19图7.17 源极输出器电路如图7.14所示，已知场效应管在工作点上的互导m 0.9ms g =，dsr 忽略不计，其他参数如图中所示。

求电压增益u A •、输入电阻i R 和输出电阻o R 。

图7.14 习题7.17电路图解：R i =R g3+R g2//R g1=2+0.3//0.1=2.075(M Ω) R o =R //m g 1=12//9.01=1.02k Ω 915.0129.01129.01=⨯+⨯=+=R g R g A m m u7.18 在低频段的小信号等效电路中，要考虑哪些电容，不需要考虑哪些电容？在高频段呢？解：在低频段的小信号等效电路中要考虑耦合电容及旁路电容，不需要考虑晶体管的结电容；在高频段要考虑结电容，不需要考虑耦合电容和旁路电容。