19、扩散电容反映的是 PN 结的（非平衡载流子）电荷随外加电压的变化率。正向
电流越大，则扩散电容就越（大）
；少子寿命越长，则扩散电容就越（大）。
【P51】
20、在 PN 结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大
的反向电流。引起这个电流的原因是存储在（N）区中的（非平衡载流子）电荷。
（提高）基区掺
杂浓度。[P90]
47、比较各击穿电压的大小时可知，BVCBO（大于）BVCEO ，BVCBO（远大于）BVEBO。
48、要降低基极电阻 rbb ，应当（提高）基区掺杂浓度，
（提高）基区宽度。
49、无源基区重掺杂的目的是（为了降低体电阻）
。
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三部分所组成。
11、PN 结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（多子）
；PN 结的反向电流
很小，是因为反向电流的电荷来源是（少子）
。
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12、当对 PN 结外加正向电压时，由 N 区注入 P 区的非平衡电子一边向前扩散，一边（复
比例增大，使注入效率下降。
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34、发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（注入效率）
，反
而会使其（下降）
。造成发射区重掺杂效应的原因是（发射区禁带变窄）和（俄歇
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13 级
期末复习题库
典例解答
电子科技大学/命题
陈
王
卉 /转载
嘉
【习题压得准
达 /整理
五杀跑不了】
微电子器件（陈星弼·第三版）
电子工业出版社
◎前言◎
根据统计，课堂测验、课后作业中的题目提纲中无相似题型，请复习提纲的同
时在做一次作业以及课堂测验。作业答案、课堂作业答案平时随课堂进度上传群共
子）浓度，因此该区总的多子浓度中的（非平衡）多子浓度可以忽略。
17、大注入条件是指注入某区边界附近的（非平衡少子）浓度远大于该区的（平衡多
子）浓度，因此该区总的多子浓度中的（平衡）多子浓度可以忽略。
18、势垒电容反映的是 PN 结的（微分）电荷随外加电压的变化率。PN 结的掺杂浓度
越高，则势垒电容就越（ 大 ）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（ 小 ）。
享，请自行查阅。本答案为个人整理，如有不妥之处望批评指正。计算题部分，实
在无能为力，后期会继续上传计算题集锦，敬请期待。
另，由于本人微电子班，无光源班群，请有心人士转载至光源班群，共同通过
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29、晶体管的共发射极直流短路电流放大系数
是指（发射）结正偏、（集电）结零
偏时的（集电极）电流与（基极）电流之比。
30、在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（减小）基区宽度，
（降低）基区掺杂浓度。
31、某长方形薄层材料的方块电阻为 100Ω，长度和宽度分别为 300μm 和 60μm ，则
；结深越浅，雪崩击穿电压就越（小）
。
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24、雪崩击穿和齐纳击穿的条件分别是（ 0rd i dx 1 ）和（ d min
EG
。[P41]
足够小 ）
合）
。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（
13、PN 结扩散电流的表达式为（ Jd Jdp Jdn I 0 [exp(
压下可简化为（ Jd J 0 exp(


）
。
qv
。这个表达式在正向电
) 1] ）
KT
qv
，在反向电压下可简化为（ Jd J ）。
)）
KT
；最大功率增益 Kpmax 降
¼
到原来的（ ）
。
p
57、
当（电流放大系数 ）降到 1 时的频率称为特征频率 f T 。
当（晶体管最大功率 max ）
降到 1 时的频率称为最高振荡频率 f M 。
58、当 降到（1）时的频率称为特征频率 f T 。当 Kpmax 降到（1）时的频率称为最高
振荡频率 f M 。
59、晶体管的高频优值 M 是（功率增益）与（带宽）的乘积。
60、晶体管的高频小信号等效电路与直流小信号等效电路相比，增加了三个元件，它
们是（集电结势垒电容）
、（发射结势垒电容）和（发射结扩散电容）
。
61、对于频率不是特别高的一般高频管， ec 中以（ Ib ）为主，这时提高特征频率 f T 的
41、ICBO 是指（发射）极开路、
（集电）结反偏时的（集电）极电流。
41、ICEO 是指（基）极开路、
（集电）结反偏时的（集电）极电流。
42、IEBO 是指（集电极）极开路、
（发射）结反偏时的（发射）极电流。
43、BVCBO 是指（发射）极开路、
（集电）结反偏，当（ I CBO ） 时的 VCB。
复合增强）
。[P76]
35、在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（大）于基区的禁带宽度，从而使异
质结双极晶体管的（注入效率）大于同质结双极晶体管的。[P79]
36、当晶体管处于放大区时，理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而（不变）。
但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而（增加），这称为（基区宽度调变）
其长度方向和宽度方向上的电阻分别为（ 500 ）和（ 20 ）。若要获得 1KΩ的电阻，
则该材料的长度应改变为（ 600 m ）
。
32、在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（内建电场）
，它对少子在基区中的运动起
到（加速）的作用，使少子的基区渡越时间（减小）
。
33、小电流时 会（减小）
。这是由于小电流时，发射极电流中（势垒区复合电流）的
。
63、对高频晶体管结构上的基本要求是：
（尺寸小）
、
（结深浅）
、
（线条细）和（非工作
基区重掺杂）
。
64、N 沟道 MOSFET 的衬底是（P）型半导体，源区和漏区是（N）型半导体，沟道中的
载流子是（电子）。
65、P 沟道 MOSFET 的衬底是（N）型半导体，源区和漏区是（P）型半导体，沟道中的
降到（
0
）时的频率，称为 的截止频率，记为（
2
f
）。
55、晶体管的共发射极电流放大系数 随频率的（增加）而下降。当晶体管的 下
降到
1
0 时的频率，称为 的（截止频率），记为（ f ）。

2
56、当 f f 时，频率每加倍，晶体管的 降到原来的（½）
44、BVCEO 是指（基）极开路、
（集电）结反偏，当（ I CEO ） 时的 VCE。
45、BVEBO 是指（集电）极开路、
（发射）结反偏，当（ I EBO ） 时的 VEB。
46、基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（基区）全部占据时，集电极
电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是（增加）基区宽度、
这个电荷的消失途径有两条，即（反向电流的抽取）和（少子自身的复合）
。
21、从器件本身的角度，提高开关管的开关速度的主要措施是（降低少子寿命）和（加
快反向复合）。
（减薄轻掺杂区的厚度）
22、PN 结的击穿有三种机理，它们分别是（雪崩击穿）、
（齐纳击穿）和（热击穿）
。
23、PN 结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越（小）
，
内建电势 Vbi 就越（大）
，反向饱和电流 I0 就越（小）[P20]，势垒电容 CT 就越（ 大 ）
，
雪崩击穿电压就越（小）
。
5、硅突变结内建电势 Vbi 可表为（ vbi
KT N A N D
ln
）[P9]在室温下的典型值为（0.8V）
2
q
ni
6、当对 PN 结外加正向电压时，其势垒区宽度会（减小）
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50、
发射极增量电阻 re 的表达式（ Re
KT
）。
室温下当发射极电流为 1mA 时，re =（ 26 ）。
q E
51、随着信号频率的提高，晶体管的 、 的幅度会（下降）
，相角会（滞后）。
，从而使到达集电结的少
子比从发射结注入基区的少子（小）。
27、晶体管的注入效率是指（从发射区注入基区的少子）电流与（总的发射极）电流
之比。[P69]为了提高注入效率，应当使（发射）区掺杂浓度远大于（基）区掺杂
浓度。
28、晶体管的共基极直流短路电流放大系数 是指发射结（正）偏、集电结（零）偏
时的（集电极）电流与（发射极）电流之比。
主要措施是（减小基区宽度）
。
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