Introduction to Cadence Customer IC Design Environment熊三星徐太龙编写安徽大学电子信息工程学院微电子学系目录1. Linux 常用命令 (3)2. 软件的启动 (5)3. 建立工程 (7)4. 画原理图 (9)5. 原理图仿真 (17)6. 生成symbol (25)7. 版图 (30)8. DRC检查 (50)9. LVS检查 (54)10. PEX参数提取 (58)11. 后仿真 (61)1.Linux 常用命令目前，电子设计自动化（Electronic Design Automation, EDA）工具多数都基于Linux操作系统，因此在学习使用EDA之前，有必要掌握一些Linux操作系统的基本命令。

1.mkdirmkdir命令让用户在有写权限的文件夹（目录）下建立一个或多个文件夹（目录）。

其基本格式如下：mkdir dirname1 dirname2 ... （dirname 为文件夹或者目录的名字）2.cdcd命令让用户进入一个有权限的文件夹（目录）。

其基本格式如下：cd Filename （Filename为文件夹或者目录的名字）cd .. （.. 表示上一层文件夹或者目录）3.lsls命令用以显示一个文件夹（目录）中包含的文件夹（目录）或者文件。

其基本格式如下：ls Filename （Filename为文件夹或者目录的名字）如果ls命令后没有跟文件夹（目录）名字，显示当前文件夹（目录）的内容。

ls 命令可以带一些参数，给予用户更多相关的信息：-a : 在UNIX/Linux中若一个文件夹（目录）或文件名字的第一个字元为"." ，该文件为隐藏文件，使用ls 将不会显示出这个文件夹（目录）或文件的名字。

如cshell 的初始化文件.cshrc，如果我们要察看这类文件，则必须加上参数-a。

格式如下：ls –a Filename-l : 这个参数代表使用ls 的长(long)格式，可以显示更多的信息，如文件存取权，文件拥有者(owner)，文件大小，文件更新日期，或者文件链接到的文件、文件夹。

4.cpcp命令用于文件夹（目录）或文件的复制。

其基本格式如下：cp source target 将名为source的文件复制一份为名为target的文件。

如果target 文件不存在，则产生文件名为target 的文件，如果target 文件存在，缺省时自动覆盖该文件。

cp file1 file2…dir 将文件file1 file2 ... 都以相同的文件名复制一份放到目录dir 里面。

cp -r source target 拷贝整个目录，将source目录下的所有文件和文件夹复制到target目录下。

5.mvmv命令重命名或者移动一个文件或文件夹（目录），其基本格式如下：mv source target 将source 文件重命名为target。

mv dir1 dir2 将dir1目录重命名为dir2。

mv file1 file2... dir 将文件file1 file2...都移动到目录dir 中。

6.rmrm 命令用于删除文件或文件夹（目录）。

除非系统中有被删除的文件的备份，否则是无法恢复的，所以用户在使用rm命令时应该特别小心，防止误删重要文件。

rm命令的基本格式如下:rm file1 file2 file3 ... 删除file1,file2,file2…rm的常用选项有：-f : 强制删除。

使用rm -f命令删除文件时，不管文件有没有写保护，都不产生任何警告信息。

但是若该文件夹下面的文件夹是写保护的话，则无法删除文件夹和该文件夹下的文件。

-f选项必须慎用。

-r : 删除文件夹与文件夹下的文件。

7.vi的工作模式vi命令是Linux下的文本编辑命令，其基本格式如下：vi filename 打开一个名为filename的文本。

它有两种工作模式，命令模式和编辑模式。

vi在启动时先进入命令模式，当输入i，a，o等命令之后可进入编辑模式。

除Esc之外的任何字符均将被看成是插入到编辑缓冲区中的字符，按Esc 键之后，从编辑模式切换到命令模式。

在命令模式下使用“:wq”命令可存盘并退出。

如果只需要退出程序，而不打算保存编辑的内容，可用下面的命令：: q 在未作修改的情况下退出: q! 放弃所有修改，退出编辑程序2.软件的启动下面介绍cadence软件的入门学习，包括原理图的创建、仿真、画版图和后仿真等全套过程，本教程适合于初学者，讲得尽量的详细和简单，本教程以最简单的反相器为例。

上图是桌面，在桌面上按右键，出现如下：选择“打开终端”，得到如下：在此处输入：“cd my_project”，按回车键后再输入“ic”，得到如下：再回车，等一会后就出现了下图，也就是启动了软件：启动后出现下图：（初次启动这里需要等一会儿）点击Tools的Library Manager，出现如下：上面显示的是文件管理窗口，可以看到文件存放的结构，其中Library就是文件夹，Cell 就是一个单元，View就是Cell的不同表现形式。

比如一个mos管是一个Cell，但是mos管有原理图模型，有版图模型，有hspice参数模型，有spectre参数模型等，这就列举了Cell的4个View。

他们之间是树状的关系，即，Library里面有多个Cell，一个Cell里面有多个View。

应该保持一个好习惯就是每个工程都应该建立一个Library。

3.建立工程现在建立工程，新建一个Library，如下左图，出现的对话框如下右图：在上右图中选择合适的目录，这个目录很重要，统一选择/home/iror/my_project。

然后取新建的文件夹的名字，这里用的是inv，建议用自己名字的拼音。

以后的各种文件都在这个文件夹下。

（这一点很重要，一个工程里面有很多文件，要是文件不管理好就会很乱）。

OK后出现下面对话框：这个对话框是选择是否链接techfile，如果只是原理图仿真而不用画版图，就选择Dont need a techfile，这里我们要画版图，而且有工艺库，选择Attach to an existing techfile，OK 后出现下面对话框：在technology Library 选择tsmc18rf，我们使用的是这个工艺库。

inv的文件夹就建好了，在Library Manager就有它了，如下图：4.画原理图文件夹建好了后，我们要建立原理图，在inv的Library里面新建Cell如下：然后出现新建Cell的对话框如下：我这里取的名字是sche 注意View Name是填的schematic，Tool用的是这个。

点击OK 之后发现Library Manager里面有如下变化：Cell里面多了sche，View里面出来了schematic，同时schematic editing窗口会打开，如果没有打开，可以双击View中的schematic打开，打开如下：我们的原理图将在上面的面板中画，schematic editing面板中的左边图标的意思我这里就不说了，可以看看其他版本的介绍。

下面开始介绍画原理图的步骤。

下图是我们最终要画的原理图，一个简单的非门。

先对这个图进行说明。

绿色的vdd，它只是一个标号，说明每个vdd是连接在一起的，它并不提供电压和电流，真正的电源是V0。

同样，gnd也是一样，只是一个连接的标记。

图中的参数和网络标号是比较多的，不要看糊了。

不管什么电路，所有nmos的B极（衬底）是接地的，所有pmos管的B极是接电源的。

V1是信号源，这里是个方波。

先介绍一些快捷键，快捷键以后会经常使用。

i 是添加instance （instance）f 是合适的显示所有内容（fit）m 是移动（move）w 是连线（wire）q 看属性（property）p 添加引脚（pin）s 是保存（save）x 是检查并保存，这个经常使用，它会检查一些简单的连线错误。

鼠标上的前后滚轮是放大、缩小e 进入symbol的内部电路Ctrl+e 从symbol内部电路中退回[ 是缩小] 是放大按住shift拖动是复制添加Delete 是删除r 是90度旋转r 后再按F3 可以选择左右翻转或者上下翻转方向键当然可以上下左右移动Esc 这个很重要，是退出当前快捷方式，要经常使用。

除非选择了另外的快捷键，否则当前的快捷键一直存在，所以经常用Esc。

现在放置vdd，如下图，点击Add 的Instance，或者直接按键i。

将出现下面的对话框：如果不知道库名和Cell名，就点击Browse，出现如下：vdd在analogLib库里面，找到vdd，选择View为symbol，然后将此窗口关掉，然后会发现，在Add instance窗口中已经将vdd的相关信息加入进来了，如下图，同时vdd已经悬浮在鼠标上，可以点击Hide将此窗口隐藏，然后可以随便放置vdd了。

同样的方式放置gnd。

记得使用i来添加instance的方法。

vdc是直流电压，也在analogLib 库里面，同样放置，vpulse是方波发生器，也在analogLib库里面，同样放置，放完后如下图：然后就是放置mos管了，使用的是tsmc18rf的库，元件名是nmos2v和pmos2v可以看得出来，库名是tsmc18rf，库里面有很多元件，即很多Cell，每一个Cell又有很多模型。

所有的放置完后如下图：按w键，开始连线，连线完后，如下图注意mos管的B极别忘了接。

从左上角的Cmd可以看到当前使用的是什么命令。

接下来就是要设置参数了。

单击V0将它选择，按q键，则弹出它的属性对话框如下：V0是直流电压，我们用的是0.18um的工艺库，电源电压是1.8V，这里只要设置DC voltage为1.8就可以了，这个软件所有参数的设置都不用单位，比如1.8V只要写1.8就可以了，加了V反而错了。

再如10ns只要些10n就可以了。

点击OK退出。

然后点击V1，按q键，打开V1的属性如下：这里需要设置的参数多些，方波有两个电压，这里设置的voltage1为0，voltage2为1.8，后面的单位都是软件自动加上的。

Delay time 是延时时间，rise time是上升时间，fall time 是下降时间，pulse width是脉冲宽度，也就是voltage2的持续时间，period是方波的周期，这样，一个方波就被完全确定了。

点击OK退出。

然后是MOS管的参数，如下：到这里参数是设置就结束了，原理图就画完了，记得按x键检查并保存。

5.原理图仿真打开仿真窗口，从原理图窗口中点击Tools的Analog Environment，如下图:出现如下窗口:这里面是主要的，所有仿真都在这里设置，各个功能的介绍这里就不介绍了，参加其他教程。