已知线性－抛物线性模型为：t2ox＋Atox＝B(t + τ)。其中，tox 为硅片上生长的SiO2总的厚度(μm)；B为抛物线速率系数 (μm2/h)；B/A为线性速率系数(μm/h)；τ为生成初始氧化层 所用的时间(h)。假如硅片在初始状态时已有100nm的氧化层。 计算 (1) 在120分钟内，920℃水汽氧化过程中生长的SiO2的 厚度。(2) 在120分钟内水汽氧化中所消耗的硅的厚度是多少？ 已知：在920℃下，A=0.50μm，B=0.20μm2/h。 解：(1)初始状态时已有0.1μm的氧化层 初始时间τ ＝ ( t2ox + Atox ) / B = 0.3 h 120分钟氧化后，氧化硅总厚度：t2ox＋Atox＝B(t + τ)，t=2h， τ=0.3h代入，得tox=0.473um 120分钟氧化的SiO2厚度为：0.473-0.1=0.373um (2) 120分钟内水汽氧化中所消耗的硅的厚度 0.373 ×0.45＝0.168um

在P型〈100〉衬底硅片上，进行As离子注入，形成 P-N结二极管。已知衬底掺杂浓度为1×1016cm-3， 注入能量：100KEV，注入剂量：5.0E15cm-2，试 计算砷离子注入分布的最大掺杂浓度Nmax和注入 结深。 解：注入能量为100KEV时，△Rp值为207埃，Rp值 为582埃。 Nmax≈0.4φ／ △Rp=0.4×5.0×1015/（207×10-8） ≈9.66×1020 cm-3 Xj= Rp± △Rp［2ln（ Nmax/ NB）］1/2 20 / （1×1016）］｝ =582 ± 207 ×｛ 2ln ［ 9.66 × 10 1/2
练习题解答

课堂练习： 在RIE干法刻蚀系统中，用CF4刻蚀SiO2，已知 SiO2的总厚度为200nm，刻蚀条件不变，图1是刻 蚀4min后的剖面图、刻蚀掉SiO2的厚度为100nm， 图2是刻蚀10min后的剖面图，已产生了过刻蚀，刻 蚀掉硅的厚度为10nm，试计算SiO2的刻蚀速率、 Si的刻蚀速率以及刻蚀Si582+992=1574埃=157.4 nm