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武汉理工材料学-晶体结构缺陷PPT课件
点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学 过程等有关。
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Now What Do You See?
Interstitial Vacancy
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Point Defects
• Vacancies:
-vacant atomic sites in a structure.
distortion of planes
第二章 晶体结构缺陷
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缺陷的含义:通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为 晶体的结构缺陷。 理想晶体:质点严格按照空间点阵排列。 实际晶体:存在着各种各样的结构的不完整性。
研究缺陷的意义:由于缺陷的存在,才使晶体表现出各种 各样的性质,使材料加工、使用过程中的各种性能得以有 效控制和改变,使材料性能的改善和复合材料的制备得以 实现。因此,了解缺陷的形成及其运动规律,对材料工艺 过 缺程陷的对控 材制料,性对能材的料影性响能举的例改: 善,对于新型材料的设计、 研 材究料与的开 强发化具,有如重钢要——意是义铁。中渗碳 陶瓷材料的增韧 半导体掺杂
线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密 切相关。
Байду номын сангаас
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刃型位错
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刃型位错示意图:(a)立体模型;(b)平面图
G
H
F
E
晶体局部滑移造成的刃型位错
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螺型位错
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C B
D A
C
D
B A
(a )
(b)
螺型位错示意图:(a)立体模型 ;(b)平面图
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螺型位错示意图
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3.面缺陷
面缺陷又称为二维缺陷,是指在二维方向上偏离理想 晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷,即缺陷尺寸 在二维方向上延伸,在第三维方向上很小。如晶界、表面、 堆积层错、镶嵌结构等。
Vacancy
Common
• Self-Interstitials:
-"extra" atoms positioned between atomic sites.
distortion of planes
selfinterstitial
Rare
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Impurities In Solids
Two outcomes if impurity (B) added to host (A):
O2-
cation vacancy
Ca 2+ resulting geometry
anion vacancy
C-l C-l initial geometry O2- impurity
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resulting geometry
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2. 线缺陷(一维缺陷)位错(dislocation)
指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、 规则性排列所产生的缺陷,即缺陷尺寸在一维方 向较长,另外二维方向上很短。如各种位错 (dislocation),如图所示。
面缺陷的取向及分布与材料的断裂韧性有关。
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面缺陷-晶界
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晶界示意图
亚晶界示意图
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晶界: 晶界是两相邻晶粒间的过渡界面。由于相邻晶粒 间彼此位向各不相同,故晶界处的原子排列与晶内不同, 它们因同时受到相邻两侧晶粒不同位向的综合影响,而做 无规则排列或近似于两者取向的折衷位置的排列,这就形 成了晶体中的重要的面缺陷。
E原子 > E平均 在原来位置上产生一个空位
热缺陷浓度与温度的关系:温度升高时,热缺陷浓度增加
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(a)单质中弗仑克尔缺陷的形 成(空位与间隙质点成对出现)
(b)单质中的肖特基缺陷的 形成
热缺陷产生示意图
• Impurities must also satisfy charge balance
• Ex: NaCl
• Substitutional cation impurity
Ca 2+ Na +
Na +
initial geometry Ca2+ impurity
• Substitutional anion impurity
位错
小角度晶界、大角度晶界 挛晶界面 堆垛层错 包藏杂质 沉淀 空洞
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1. 点缺陷(零维缺陷) Point Defect
缺陷尺寸处于原子大小的数量级上,即三维方向上缺 陷的尺寸都很小。
包括:空位(vacancy) 间隙质点(interstitial particle) 错位原子或离子 外来原子或离子(杂质质点)(foreign particle) 双空位等复合体
• Solid solution of B in A (i.e., random dist. of point defects)
OR
Substitutional alloy (e.g., Cu in Ni)
Interstitial alloy (e.g., C in Fe)
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Impurities in Ceramics
亚晶界: 实验表明,在实际金属的一个晶粒内部晶格位 向也并非一致,而是存在一些位向略有差异的小晶块(位 向差一般不超过2°)。这些小晶块称为亚结构。亚结构之 间的界面称为亚晶界。
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面缺陷-堆积层错 面心立方晶体中的抽出型层错(a)和插入型层错(b)
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面缺陷-共格晶面 面心立方晶体中{111}面反映孪晶
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本章主要内容:
§2.1 晶体结构缺陷的类型 §2. 2 点缺陷 §2.3 线缺陷 §2.4 面缺陷 §2.5 固溶体 §2.6 非化学计量化合物
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本章要求掌握的主要内容:
掌握缺陷的基本概念、分类方法; 掌握缺陷的类型、含义及其特点;
熟练书写点缺陷的缺陷反应方程式、化学平衡方 法计算热缺陷的浓度;
了解缺陷在材料性能的改善、新型材料的设计、 研究与开发中的意义。
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2.1 晶体结构缺陷的类型
分类方式:
几何形态:点缺陷、线缺陷、面缺陷等 形成原因:热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺陷等
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一、按缺陷的几何形态分类
点缺陷 零维缺陷
本征缺陷 杂质缺陷
线缺陷 一维缺陷
面缺陷 二维缺陷
体缺陷 三维缺陷
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二 按缺陷产生的原因分类
晶体缺陷
辐照缺陷 杂质缺陷
电荷缺陷 热缺陷 非化学计量缺陷
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1. 热缺陷
定义:热缺陷亦称为本征缺陷,是指由热起伏的原因所产生 的空位或间隙质点(原子或离子)。
类型:弗仑克尔缺陷(Frenkel defect)和肖特基缺陷 (Schottky defect)
T E 热起伏(涨落) 原子脱离其平衡位置