集成电路设计方案习题答案章
CH1
1．按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请说出是什么定律？
晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。
MOORE 定律
2．什么是无生产线集成电路设计？列出无生产线集成电路设计的特点和环境。
拥有设计人才和技术，但不拥有生产线。
特点：电路设计，工艺制造，封装分立运行。
环境：IC产业生产能力剩余，人们需要更多的功能芯片设计
3．多工程晶圆<MPW）技术的特点是什么？对发展集成电路设计有什么意义？
MPW：把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上，然后以步行的方式排列到一到多个晶圆上。
意义：降低成本。
4．集成电路设计需要哪四个方面的知识？
系统，电路，工具，工艺方面的知识
CH2
1．为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用?
原材料来源丰富，技术成熟，硅基产品价格低廉2．GaAs和InP材料各有哪些特点? P10,11
3．怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触？怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触？
接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触，金属与掺杂半导体接触形成肖特基接触
4．说出多晶硅在CMOS工艺中
的作用。
P13
5．列出你知道的异质半导体材料系统。
GaAs/AlGaAs, InP/ InGaAs, Si/SiGe,
6．SOI材料是怎样形成的，有什么特点?
SOI绝缘体上硅，能够经过氧隔离或者晶片粘结技术完成。
特点：电极与衬底之间寄生电容大大减少，器件速度更快，功率更低
7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点？
肖特基接触：阻挡层具有类似PN结的伏安特性。
欧姆型接触：载流子能够容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。
8. 简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。
P19,21
CH31．写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。
意义：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。
外延方法:液态生长，气相外延生长，金属有机物气相外延生长
2．写出掩膜在IC制造过程中的作用，比较整版掩膜和单片掩膜的区别，列举三种掩膜的制造方法。
P28,29
3．写出光刻的作用，光刻有哪两种曝光方式？作用：把掩膜上的图形转换成晶圆上的器件结构。
曝光方式有接触与非接触两种。
4．X射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点？
X 射线<X-ray）具有比可见
光短得多的波长，可用来制作更高分辨率的掩膜版。
电子束扫描法，，由于高速电子的波长很短，分辨率很高
5．说出半导体工艺中掺杂的作用，举出两种掺杂方法，并比较其优缺点。
热扩散掺杂和离子注入法。
与热扩散相比，离子注入法的优点如下：1.掺杂的过程可经过调整杂质剂量与能量来精确控制杂质分布。
2.可进行小剂量的掺杂。
3.可进行极小深度的掺杂。
4.较低的工业温度，故光刻胶可用作掩膜。
5.可供掺杂的离子种类较多，离子注入法也可用于制作隔离岛。
缺点：价格昂贵，大剂量注入时，半导体晶格会遭到严重破坏且难以恢复
6．列出干法和湿法氧化法形成SiO2的化学反应式。
干氧湿氧
CH4
1．Si工艺和GaAs工艺都有哪些晶体管结构和电路形式？见表4.1
2．比较CMOS工艺和GaAs工艺的特点。
CMOS工艺技术成熟，功耗低。
GaAs工艺技术不成熟，工作频率高。
3.什么是MOS工艺的特征尺
寸？
工艺能够实现的平面结构的最小宽度，一般指最小栅长。
4.为什么硅栅工艺取代铝栅工
艺成为CMOS工艺的主流技术？
铝栅工艺缺点是，制造源漏极与制造栅极需要两次掩膜步骤<MASK STEP），不容易
对齐。
硅栅工艺的优点是：自对准的，它无需重叠设计，减小了电容，提高了速度，增加了电路的稳定性。
5.为什么在栅长相同的情况下
NMOS管速度要高于PMOS 管？
因为电子的迁移率大于空穴的迁移率
6．简述CMOS工艺的基本工艺流程。
P.52
7．常规N-Well CMOS工艺需要哪几层掩膜？每层掩膜分别有什么作用？P50表4.3
CH5
6.说出MOSFET的基本结构。
MOSFET由两个PN结和一个MOS电容组成。
7.写出MOSFET的基本电流方
程。
8.MOSFET的饱和电流取决于
哪些参数？
饱和电流取决于栅极宽度W，栅极长度L，栅-源之间压降，阈值电压，氧化层厚度，氧化层介电常数
9.为什么说MOSFET是平方率
器件？
因为MOSFET的饱和电流具有平方特性
10.什么是MOSFET的阈值电
压？它受哪些因素影响？
阈值电压就是将栅极下面的Si表面从P型Si变成N型Si 所必要的电压。
影响它的因素有4个：材料的功函数之差，SiO2层中能够移动的正离子的影响，氧化层中固定电荷的影响，界面势阱的影响
11.什么是MOS器件的体效
应？。