德国生产，品质保证
多晶硅铸锭炉
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多晶硅生产过程简介
1、装炉 将多晶硅料和掺杂剂放入炉内，给炉室抽真空并通氩气，保持气压为：400～
600mbar 2、加热熔化硅料
给炉室内的石墨加热器通电加热。先预热，使石英坩埚的温度达到1200～ 1300℃左右，保持4~5小时。然后逐渐增加加热功率，使石英坩埚内的温度达到 1500℃（大于硅熔点）左右，硅原料开始熔化。该时间约为9~11小时。 3、铸锭硅生长
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直拉式单晶硅炉热场示意图
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直拉式单晶炉测温应用
1、硅液液面温度的测量 单晶硅是在热场中进行拉制的，热场的优劣对单晶硅
质量有很大影响。单晶硅生长过程中，好的热场，能生产 出高质量的单晶。不好的热场容易使单晶变成多晶，甚至 根本引不出单晶。有的热场虽然能生长单晶，但质量较差 ，有位错和其他结构缺陷。因此，配置最佳热场，对热场 的实时监测非常重要,特别是结晶处的硅液液面的温度监测 ，尤为重要。
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单晶炉多晶炉材料发射率
晶体：0.55 熔体：0.3 石英坩埚：0.5 石墨：0.8
培训专用
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把加热功率降低并关闭，并充入氩气，提升气压至大气压。让铸锭硅在炉内自然 冷却8～13个小时。方可打开炉室，取出铸锭硅块。
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多晶硅液面 测温方案 PYROSPOT DSR10N
坩埚加热器温度 测量方案 PYROSPOT DG40N
温度范围：700~1800℃ 光学镜头：可变焦距，带石英玻璃保护窗，最小测量 目标1.2mm 测量距离：距离250~4000mm, 光谱范围：0.7~1.1μm 测量精度：0.5%测量值 重复精度：0.2%测量值 响应时间：5ms，可调直10s 比色系数（双色）：0.800~1.200 可通过软件或测温仪 上的按钮调节 输出信号：0/4~20毫安,温度线性
使石英坩埚的温度降至1420～1440℃（硅熔点）左右，通过缓慢提升隔热系统 或缓慢降低坩埚的方法，使下部的液态硅温度降低首先凝固成晶体，并从下往上非 常缓慢地长晶。 4、退火处理
坩埚内的液态硅全部结晶成固态后，把炉温控制在稍比熔点低一些，并让硅锭整 体温度保持一致，退火处理3～4个小时，以消除硅锭内部的应力和裂纹，用一款短波双色测温仪（DSR10N ），短波选择非常适合液态硅料温 度测量，而双色设计可以克服炉内 热场变化的影响。光学测温探头封 装在紧凑型的机械外壳中，非常适 合应用于直拉式单晶炉副室安装。
PYROSPOT DSR10N
温度范围：700~1800℃ 光学镜头：可变焦距，带石英玻璃保护窗 ，最小测量目标1.2mm 测量距离：距离250~4000mm, 光谱范围：0.7~1.1μm 测量精度：0.5%测量值 重复精度：0.2%测量值 响应时间：5ms，可调直10s 比色系数（双色）：0.800~1.200 可通过软 件或测温仪上的按钮调节 输出信号：0/4~20毫安,温度线性
融化控制 系统
炉塔 拉杆
籽晶 硅棒结晶体
炉缸控制 系统
硅融体 炉缸
温度监测 系统
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多晶硅铸锭炉
多晶硅由多晶硅铸锭炉生产出来。多晶硅的生产是把 高纯多晶硅装入到铸锭炉中，先熔化成液态，通过铸锭炉 的自动化的操作，使液态硅自下向上缓慢地重新结晶，生 成一块大晶粒的多单晶体的铸锭硅来。
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上海皇龙自动化工程有限公司
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太阳能光伏产业红外测温仪应用
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直拉式单晶炉
硅单晶是一种半导体材料。直拉式单晶炉是使用直拉方 法获得硅单晶的一种设备。
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直拉式单晶炉
• 直拉单晶炉型式尽管 不同，总的说来，主 要由炉体、电器部分 、热系统、水冷系统 、真空系统和氩气装 置五大部分组成。
温度范围：350~1800℃ 光学镜头：固定或可变焦距，最小测量目标1.2mm 光谱范围：1.5~1.8μm 测量精度：0.5%测量值 重复精度：0.1%测量值 响应时间：10ms，可调直10s 发射率：0.05~1. 00 输出信号：0/4~20毫安,温度线性
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多晶硅炉基本构造（红外测温仪安装处）