右图所示为 N型和P型锗、 砷化镓以及 磷化镓单晶 材料在室温 (300K)条件 下电阻率随 掺杂浓度的 变化关系曲 线。
如果我们考虑一块掺杂浓度为NA的P型半 导体材料（ ND＝0），且NA>>ni，假设电子和空 穴的迁移率基本上是在一个数量级上，则半导 体材料的电导率为：
再假设杂质完全离化，则有：
负微分迁移率效应的出现可以从砷化镓单晶材 料的E－k关系曲线来解释：低电场下，砷化镓 单晶材料导带中的电子能量比较低，主要集中 在E－k关系图中态密度有效质量比较小的下能 谷，mn*=0.067m0，因此具有比较大的迁移率。
当电场比较强时，导带 中的电子将被电场加速并获 得能量，使得部分下能谷中 的电子被散射到E~k关系图 中态密度有效质量比较大的 上能谷，mn*=0.55m0，因此 这部分电子的迁移率将会出 现下降的情形，这样就会导 致导带中电子的总迁移率随 着电场的增强而下降，从而 引起负微分迁移率和负微分 电阻特性。
§5.2 载流子的扩散运动 除了漂移运动之外，另外一种引起载流子定向 流动的机理就是所谓的载流子扩散运动，微观 粒子的扩散运动是由于其浓度梯度的存在而引 起的，带电粒子由于浓度梯度的存在而发生扩 散运动就会引起扩散电流。
1. 扩散电流密度 考虑一个简化的一维半导体情形，其中电 子的浓度梯度如图所示，半导体中各处温度均 匀，因此电子的平均热运动速度也与位置无关。
而当温度比较低时，则由于杂质原子的冻结 效应，载流子浓度趋近于零。但随着温度升高， 杂质开始电离，载流子浓度增加，电导率都随 着温度的升高而不断升高。 在中等温度区间内（即大约200K至450K之 间），此时杂质完全离化，即电子的浓度基本 保持不变，但是由于在此温度区间内载流子的 迁移率随着温度的升高而下降，因此电导率也 随着温度的升高而出现了一段下降的情形。
可见，非本征半导体材料的电导率（或电 阻率）主要由多数载流子的浓度及其迁移率 决定。 对于本征半导体材料，其电导率可以表示 为：
注意，由于电子和空穴的迁移率一般情况下 并不相等，因此本征电导率并非是在特定温度下 半导体材料电导率的最小值。
一块N型半 导体材料中， 当施主杂质的 掺杂浓度ND为 1E15cm-3时， 半导体材料中 的电子浓度及 其电导率随温 度的变化关系 曲线。
右图所示 为锗、硅 及砷化镓 单晶材料 中电子和 空穴的漂 移运动速 度随着外 加电场强 度的变化 关系。
从可以看出，在低电场条件下，漂移速度与 外加电场成线性变化关系，曲线的斜率就是载 流子的迁移率；而在高电场条件下，漂移速度 与电场之间的变化关系将逐渐偏离低电场条件 下的线性变化关系。 以硅单晶材料中的电子为例，当外加电场增 加到30kV/cm时，其漂移速度将达到饱和值，即 达到107cm/s；当载流子的漂移速度出现饱和时， 漂移电流密度也将出现饱和特性，即漂移电流 密度不再随着外加电场的进一步升高而增大。
假设τL是由于晶格振动散射所导致的载流子自 由运动时间，则载流子在dt时间内发生晶格振动 散射的次数为dt/τL； 同样，假设τI是由于离化杂质散射所导致的载 流子自由运动时间，则载流子在dt时间内发生离 化杂质散射的次数为dt/τI； 如果两种散射机制相互独立，则在dt时间内载 流子发生散射的总次数为：
上述随机热运动能量对应于硅材料中电子的平 均热运动速度为107cm/s；如果我们假设在低掺 杂浓度下硅材料中电子的迁移率为 μn=1350cm2/V·s，则当外加电场为75V/cm时， 对应的载流子定向漂移运动速度仅为105cm/s， 只有平均热运动速度的百分之一。
因此，在上述低电场的情况下，载流子的 平均自由运动时间基本上由载流子的热运动速 度决定，不随电场的改变而发生变化，因此低 电场下载流cm之后，对应的 载流子定向漂移运动速度将达到107cm/s，已经 与载流子的平均热运动速度持平。
其中NI＝ND＋＋NA－ ，为总的离化杂质浓度。
从上式中可见，离化杂质散射所决定的载流子 迁移率随温度的升高而增大，这是因为温度越 高，载流子热运动的程度就会越剧烈，载流子 通过离化杂质电荷中心附近所需的时间就会越 短，因此离化杂质散射所起的作用也就越小。
下图所示为室温（300K）条件下硅单晶材料中 电子和空穴的迁移率随总的掺杂浓度的变化关 系曲线。从图中可见，随着掺杂浓度的提高， 载流子的迁移率发生明显的下降。
对于平均的定向漂移运动速度来说，应该是最 大定向漂移运动速度的一半，即：
但是从描述载流子运动的精确统计模型的角度来 看，则上式中的二分之一通常并不出现，即：
对电子来说，设其自由运动时间为τcn，则有：
对于载流子在半导体晶体材料中的定向运动来 说，存在着两种主要的散射机制，一种是晶格 原子的振动散射（也称为声子散射），另一种 则是离化杂质的库仑散射。它们共同决定载流 子的自由运动时间。
以电子为例，在没有外加电场的情况下， 电子在半导体晶体材料中就存在着无规则的热 运动，由于电子与晶格原子之间的碰撞作用， 这种无规则的热运动将不断地改变电子的运动 方向。温度越高，电子在发生两次碰撞之间的 自由运动时间也就越短。
载流子在外加电场作用下的漂移运动过程： 在有外加电场存在的情况下，电子除了无规则 的热运动之外，还将在外加电场的作用下做定向 的加速运动，但是电子的速度不会无限制地增加 下去，而是会因为碰撞作用不断地失去定向运动 的速度，然后再重新开始加速，最后等效来看， 电子在外加电场的作用下将会获得一个平均的定 向运动速度。
此时，载流子的平均自由运动时间将由热 运动速度和定向漂移运动速度共同决定，因此 载流子的平均自由运动时间将随着外加电场的 增强而不断下降，由此导致载流子的迁移率随 着外加电场的不断增大而出现逐渐下降的趋势.
最终使得载流子的漂移运动速度出现饱和 现象，即载流子的漂移运动速度不再随着外加 电场的增加而继续增大。
其中μ称为载流子的迁移率。对于价带中的空穴， 其漂移电流密度可表示为：
同样，对于导带中的电子:
μn、μp分别是电子和空穴的迁移率。
下表所示为室温下几种常见半导体材料中的载 流子迁移率。
2. 迁移率效应 前面给出了载流子迁移率的定义，即载流 子平均的定向漂移速度与外加电场之间的比值。 对于空穴而言，则有：
单位时间通过x=0处截面沿着x轴方向的净电子 流密度可表示为：
1 ln 1 ln dn Fn n(ln ) n(ln ) vthln cn 2 cn dx 2
因此单位时间由于电子的扩散运动而通过x=0处 截面沿着x轴方向的电子电流密度为： vthln 其中Dn为电子的扩散系数， 即：其单位为cm2/s。
单纯由晶格振动散射所决定的载流子迁 移率随温度的变化关系为：
在比较低的掺 杂浓度下，电子 的迁移率随温度 的变化如右图， 这表明在低掺杂 浓度的条件下， 电子的迁移率主 要受晶格振动散 射的影响。
在低掺杂浓度 的条件下，空 穴的迁移率也 是主要受晶格 振动散射的影 响。
载流子在半导体晶体材料中运动时所受到的第 二类散射机制是所谓的离化杂质电荷中心的库 仑散射作用。单纯由离化杂质散射所决定的载 流子迁移率随温度和总的掺杂浓度的变化关系 为：
对于砷化镓晶体材料来说，其载流子的漂 移速度随外加电场的变化关系要比硅和锗单晶 材料中的情况复杂得多，这主要是由砷化镓材 料特殊的能带结构所决定的。
从上图看出，在低电场条件下，漂移速度与外 加电场成线性变化关系，曲线的斜率就是低电 场下电子的迁移率，为8500cm2/V·s，这个数值 要比硅单晶材料高出很多；随着外加电场的不 断增强，电子的漂移速度逐渐达到一个峰值点， 然后又开始下降，此时就会出现一段负微分迁 移率的区间，此效应又将导致负微分电阻特性 的出现。此特性可用于振荡器电路的设计。
下图所示为室温（300K）条件下锗单晶材料中 电子和空穴的迁移率随总的掺杂浓度的变化关 系曲线。从图中可见，随着掺杂浓度的提高， 锗材料中载流子的迁移率也发生明显的下降。
下图为室温（300K）条件下砷化镓单晶材料中电 子和空穴的迁移率随总的掺杂浓度的变化关系曲 线。从图中可见，随着掺杂浓度的提高，砷化镓 材料中载流子的迁移率同样也发生明显的下降。
半导体晶体材料中，有无外加电场情况下， 空穴的运动情况示意图
没有外加电场时，载流子总的平均定向运动 速度为零，而当有外加电场时，载流子将在原 来热运动的基础上，叠加一个定向的漂移运动。 载流子发生连续两次碰撞之间的自由运动时间 为τ，由热运动的剧烈程度和掺杂浓度决定。 对空穴来说，在一次自由运动时间内所获得 的最大定向漂移运动速度为
在没有外加电场和有外加电场存在的两种 情况下，导带电子在半导体晶体材料中的运 动情况分别如下图所示：
1. 漂移电流密度 如下图所示，对于一块半导体材料来说，当 在其两端外加电压V之后，所形成的电流密度 （面密度）可表示为：
其中N为导电载流子的密度， 定向漂移速度。
v 为载流子的平均
在弱场情况下，载流子的定向漂移速度与 外加电场成正比，即：
当温度进一步升高，则进入本征激发区， 此时本征载流子的浓度随着温度的上升而迅 速增加，因此电导率也随着温度的上升而迅 速增加。
4. 载流子的漂移速度饱和效应 到目前为止，在我们关于载流子漂移速度 的讨论中，我们一直假设载流子的迁移率与外 加电场无关，即载流子的漂移速度随外加电场 而线性增加。
载流子总的运动速度应为其随机热运动速度与 定向漂移运动速度之和。在T=300K的室温条件 下，载流子的随机热运动能量可表示为：
因此由于电子的扩散运动所引起的扩散电流 密度可表示为：
同样，由于空穴的扩散运动所引起的扩散电流 密度可表示为：
2. 总的电流密度
至此，在半导体材料中一共存在四种电流机制： 电子的漂移电流、电子的扩散电流、空穴的漂 移电流、空穴的扩散电流。因此在一维情况下， 半导体材料中总的电流密度可表示为：
对于更为一般的三维情形，半导体材料中总的 电流密度可表示为：
上式中σ是半导体晶体材料的电导率，其常用 的单位是(Ω·cm)-1，它是两种载流子浓度及其 迁移率的函数，我们已经看到，载流子迁移率 也是掺杂浓度的函数，因此可以预计，电导率 将是掺杂浓度的一个非常复杂的函数。