半导体厂务系统Standardization of sany group #QS8QHH-HHGX8Q8-GNHHJ8-HHMHGN#半导体厂务工作吴世全国家奈米元件实验室一、前言近年来，半导体晶圆厂已进展到8"晶圆的量产规模，同时，也着手规划12"晶圆的建厂与生产，准备迎接另一世代的产业规模。

於是各厂不断地扩增其产能与扩充其厂区规模，似乎稍一停顿即会从此竞争中败下阵来。

所以，推促着制程技术不断地往前迈进，从μm设计规格的64Mb（百万位元）DRAM （动态随机记忆元件）记忆体密度的此际技术起，又加速地往μm规格的256M发展；甚至μm的1Gb（十亿位元）集积度的DRAM元件设计也屡见不鲜。

亦即整个半导体产业正陷入尖端技术更迭的追逐战，在竞争中，除了更新制程设备外，最重要的是维持厂区正常运作的厂务工作之配合，而这两方面的支出乃占资本财的最大宗。

特别是多次的工安事故及环保意识抬头之後，厂务工作更是倍显其重要及殷切。

事实上，半导体厂的厂务工作为多援属性的任务，也是後勤配合与收摊（废弃物）处理的工作；平时很难察觉其重要性，但状况一出，即会令整厂鸡飞狗跳，人仰马翻，以致关厂停机的地步。

所以，藉此针对厂务工作的内容做一概略性的描述，说明其重要性并供作参考与了解。

文章分为三部份：首先为厂务工作的种类，其次是厂务工作的未来方向，最後是本文的结语。

二、厂务工作的种类目前在本实验室所代表的半导体制程的厂务工作，约可分为下列数项：1.一般气体及特殊气体的供应及监控。

2.超纯水之供应。

3.中央化学品的供应。

4.洁净室之温度，湿度的维持。

5.废水及废气的处理系统。

6.电力，照明及冷却水的配合。

7.洁净隔间，及相关系统的营缮支援工作。

8.监控，辅佐事故应变的机动工作等数项。

下述将就各项工作内容予以概略性说明：1.一般气体及特殊气体的供应及监控[1]一座半导体厂所可能使用的气体约为30种上下，其气体的规格会随制程要求而有不同；但通常可分为用量较大的一般气体(Bulk Gas)，及用量较小的特殊气体(Special Gsa)二大类。

在一般气体方面，包括有N2, O2, Ar, H2等。

另在特殊气体上，可略分为下述三大类：(1) 惰性气体(Inert Gas)的He, SF6,CO2, CF4, C2F6, C4H8及CH3F等。

(2) 燃烧性气体(Flammable Gas)的SiH4,Si2H6, B2H6, PH3, SiH2Cl2, CH3, C2H2及CO等。

(3) 腐蚀性气体(Corrosive Gas)的Cl2,HCl, F2, HBr, WF6, NH3, BF2, BCl3, SiF4, AsH3, ClF3, N2O, SiCl4, AsCl3及SbCl5等。

实际上，有些气体是兼具燃烧及腐蚀性的。

其中除惰性气体外，剩下的均归类为毒性气体。

SiH4,B2H6,PH3等均属自燃性气体(Pyrophoricity)，即在很低的浓度下，一接触大气後，立刻会产生燃烧的现象。

而这些仅是一般晶圆厂的气源而已，若是实验型的气源种类，则将更为多样性。

其在供气的流程上，N2可采行的方式，有1. 由远方的N2产生器配管输送，2使用液气槽填充供应，3利用N2的近厂产生器等三种。

目前园区都采1式为主，但新建厂房的N2用量增钜，有倾向以近厂N2产生器来更替；而本实验室则以液槽供应。

O2气体亦多采用液槽方式，不过H2气体在国内则以气态高压钢瓶为主。

图一乃气体供应之图示。

纯化器方面，N2及O2一般均采用触煤吸附双塔式，Ar则以Getter（吸附抓取）式为主，H2则可有Getter，Pd薄膜扩散式和触媒加超低温吸附式等三项选择。

至於危险特殊气体的供应气源，大都置於具抽风装置的气瓶柜内，且用2瓶或3瓶装方式以利用罄时切换；切换时，须以N2气体来冲净数十次以确定安全，柜上亦有ESO (Emergence Shut Off Valve)阀，即紧急遮断阀，做为泄漏时的遮断之用。

如表一所示。

为达此洁净度，除目前对气体的不纯物要求已达1ppb（即109分之1）的程度，要求气源的纯度外，尚需考量配管的设计和施工。

而施工的原则有下述八点：Free（无尘粒）Leak Free（无外漏）Space Free（无死角）Gas Free（无逸气）Area Minimum（最小有效面积）OperationFree（无操作误失）Free（无腐蚀）Behavior Free（无触化现象）因此，管件的规格就必须愈来愈严谨，如表二所列。

其BA为Bright Anneal Treatment，即辉光烧钝退火处理，EP 则为Electro-Polish，属电极抛光之等级。

另项的重要工作是在气体监控系统，主要的目的是做为操作时的管理，及安全上的管理。

可由表三说明之。

而气体的毒性规范乃以启始下限值(TLV/Threshold Limit Value)为界定，表四乃部份毒性气体的TLV值。

关於毒气侦测的感测器原理，一般有下列六种：1. 电化学式(Electro-chemical)2. 半导体式(Semiconductor)3.化学试纸式(Chemical Paper Tape)4. 火焰放射光谱式(Flame-emission Spectrometry)5. 傅力叶红外线光谱式(Fourier-TransformInferred Spectrometry-FTIR) 6.质谱仪式(Mass Spectrometry)而常使用的感测为前三种。

完整的毒气监控系统尚须具备：小时连续侦测2.警报系统3. 自动广播系统4. 分区的闪光灯警报系统5. 图控系统显示现场位置6.各点读值历史记录趋势图而当侦测到毒气泄漏时，立即警报於电脑萤幕，同时启动自动广播系统及分区的闪光灯警报系统，此时相关区域全体人员应立即撤出，现场人员立即通知紧急应变小组做适当的处理。

2.超纯水之供应[2]纯水水质之要求随积体电路之集积度增加而提高，其标准如表五所示。

超纯水之制程随原水水质而有不同的方式，国内几以重力过滤方式；主要是去除水中的不纯物，如微粒子，有机物，无机盐类，重金属及生菌等等。

去除的技术上，有分离、吸附及紫外灯照射等。

表五详列的是新旧超纯水制程的比较情形。

其中新制程的步骤有：(1)多功能离子交换树脂和装置所使用之强硷性离子交换树脂除了可以去除离子以外，还具有吸着、去除微粒子的功能；而微粒子吸着的机制乃树脂表面的正电吸引微粒子的负电，吸着力的大小，决定於树脂表面线状高分子之尾端状态。

(2)臭氧－紫外线(UV)照射型分解有机物设备以往的技术中，采用的是过氧化氢－UV照射型之有机分解方式，以氧化和分解有机物。

原理乃利用UV照射过氧化氢此氧化剂，使其产生氢氧基(．OH)来氧化有机物。

被氧化的有机物在形成有机酸後，变成了二氧化碳和水。

新技术中乃以臭氧代替过氧化氢，如此可提高有机物的氧化分解效率，连以往甚难去除的超微小粒子「胶体物质」都可以去除。

(3)一塔二段式真空脱气塔此乃去除水中溶存之氧气，以降低氧分子在晶片表面自然氧化膜的形成。

目前去除水中溶氧的方法及所面临的问题：1.真空脱气法←无法使溶氧降至50μg/l以下。

2.膜脱气法←和1.一样，且须使用大型机器，故不具经济性。

3.氮气脱气法←使用大量氮气，所以运转费用较高。

4.触媒法←必须添加氢和联氨，运转费亦高。

而此改良式设备乃就一塔一段式真空脱气法改变为多段式的抽气，并加装冷凝器，俾以缩小塔径和真空帮浦的尺寸。

如此，建设费减少1/3，运转费减少2/3，并使溶氧降至10mg/l以下，若再配备加热循环，则更能降低至10μg/l以下。

(4)高速通水式非再生纯水器就总有机体碳(TOC)含量在10μg/l以下的超纯水而言，有机物的溶出是一项不可忽略的问题；而一般的离子交换树脂会溶出微量的有机物，所以在副系统的非再生型树脂塔中用超低溶出型的离子交换树脂後，再大幅提增其通水流速，如此便能大幅降低TOC值，且降低成本。

若以微粒子的动向来描绘各相关组件的去除效率，可如图二看出。

其组件有凝集水过滤塔，混床塔，RO（逆渗透膜），CP（套筒式纯水器，非再生型离子交换树脂塔）。

而从图二得知，混床塔之後的微粒子是由其後端的组件中溶出。

至於去除TOC的有效组件有：离子树脂塔，紫外线氧化槽，活性碳塔和TOC-UV灯等，其效率如图三所示。

3.中央化学品的供应[3]目前的化学品供应已由早期的人工倒入方式改为自动供酸系统，其系统可分为四大单元：化学品来源(Chemical Source)。

充填单元(Charge Unit)、稀释／混合单元(Dilution/Mixing Unit)，储存槽(Buffer Tank)及供应单元(Supply unit)。

(1)来源方式有桶装(Drum)，糟车(Lorry)，及混合方式(Mixing Source)。

(2)充填单元／供应单元二者为供应系统的动力部份，而将化学品经管路输送到指定点。

方法有帮浦(Pump)抽取，真空吸取(Vacuum Suction)及高压输送(Pressure Delivery)等三种。

且为降低化学品被污染的机率须配备佐助组件，如纯水，氮气喷枪－清洗接头；滤网风扇 (HEPA Fan)－保持正压避免外界灰尘粒子进入；排气(Exhaust)－排除溢漏化学品及本身的气味於室外。

(3)稀释／混合单方面，乃指一般化学品或研磨液加纯水的稀释，及研磨液与化学品，或此二者与纯水的混合而言。

(4)管路设计方面需注意事项有：1.非水平管路：即从源头到使用点由高而低，当管路漏酸时便会流到未端的阀箱(Valve Box)，可轻易清除。

2.不同高层的管路排列：上下排列之管材最好能同一属性，如同为不锈钢或铁弗龙，或透明塑胶管(CPVC)。

否则安排的顺序为铁弗龙在上，往下为CPVC，最後不锈钢管。

3.研磨液管路设计：因其与空气接触时易乾涸结晶而阻塞管路，故须注意管路尺寸及避免死角。

4.接点测漏装置，以便随时侦测管路泄漏与否。

5.避免过多的管路接点。

4.洁净室之湿度，温度的维持[4]事实上，一座半导体晶圆厂之洁净室的组成须含括多项子系统方能满足表六所列的标准：(1)与洁净室特别搭配的建筑结构－以利洁净空气的流畅，防震及足够的支撑结构，和宽敞的搬运动线。

(2)不断地新鲜，乾净空气之补充－弥补机台之排气及保持室内正压以杜绝外气的污染。

(3)保持洁净室的清洁度－配备空气循环的驱动风扇，透气的地板及天花板，且地板高架化以利回风及配管，天花板则安装过滤网与衔吊架。

(4) 恒温恒湿之控制－除配置外气空调箱外(Make-up Air unit)，室内仍需有不滴水的二次空调盘管来做温度微控，另加装精确的自动感温控制系统，即可达成此恒温，恒湿之控制。