4.1.1电容器
PN结电容是利用PN结反向时的势垒电容构成一个
电容器。图4.2为一PN结电容的纵向和横向结构
图。单位面积的结电容如第2章所述可以表示为
V MJ
式中，V
D
为接触CT 电C势TO差1；VD
M
为梯度因子；C
J
T O 为零偏
压时的电容量。PN结电容与杂质浓度有关，如果
考虑杂质的横向扩散，则总的PN结面积为底面积
4.1.1电容器
1．MOS电容器
图4.1为MOS电容结构图。MOS电容器的电容量为：
COX
A 0 SiO2
TOX
式中， T O X 为薄氧化层厚度；A为薄氧化层上金属电
极的面积。在半导体一侧的P型衬底上扩散一层层，
其目的是减小MOS串联电阻以及防止表面出现耗尽
层。从(4.1)式可知，要提高电容量可以通过增大面
两种传输线类型的电感值计算 如下：
L 2 Z 0 t a n hl ' 2 Z 0 t a nl ' Z 0 2 l '/c 0 l ' /4
最小值 0.05 0.03 15 2 10 2 1k
典型值
最大值
0.07
0.1
0.04
0.05
20
30
3
6
25
100
4
10
2k
5k
单位:Ω/口
薄层电阻端头和拐角修正
0 .8
0 .5
5 µm
1 0 µm
0 .9
0 .6
0 .9
0 .6
0 .3
2 0 µm
0 .1
0 .4
1 5 µm
3 0 µm
~0
0 .4
4.1.2电阻器
4．扩散电阻的最小条宽
通过上述分析可以看到，扩散电阻的最小条宽W R m in 受三种因素限制：由版图设计规则所决定的最小
扩散宽度；由于工艺水平和扩散电阻精度要求所
决定的最小扩散条宽；由电阻最大允许功耗所决
定的最小扩散条宽 中最大的一种。
W
R
m
i
n
。显然，在设计时应取其
4.1.3 集成电路中的电阻模型
R
1
式中， 和 图4.3所示电阻层x的j 平均x电j 阻串和电导率；
x j 为薄层的结深。
若电阻的长度R为 RL，WL宽度为W，则(图4.43.)3中沿水平方向的电阻为
显然， 和 x j 是由工艺决定的。设计者可根据薄层电阻的大
小，确定所设计电阻的长宽比(简称方数)。薄层电阻的单位 为 。例如，对于一个典型的双极集成电路工艺，基区扩散
加上4个侧面积：AW 2+4W xj 2，式中，W为正
方形PN结扩散区的边长； x j为PN结结深。
平板电容
制作在砷化镓半绝缘衬底上的MIM电容结构：
C rolw
d
考虑温度系数时，电容的计算式为：
C C o x A 1 + T C 1 t e m p t n o m + T C 2 t e m p t n o m 2
的薄层电阻力200
4.1.2电阻器
合金薄膜电阻
采用一些合金材料沉积在二氧化硅或其它介电材 料表面，通过光刻形成电阻条。常用的合金材料有： （1）钽（Ta）； （2）镍铬（Ni-Cr）； （3）氧化锌SnO2；（4）铬硅氧CrSiO。 多晶硅薄膜电阻
掺杂多晶硅薄膜也是一个很好的电阻材料，广泛 应用于硅基集成电路的制造。
5 0 µm
~0
不同电阻条宽和端头形状的端头修正因子
薄层电阻温度系数
电阻温度系数TC是指温度每升高1℃时，阻值相对变化量：
TC 1 dR R dT
在SPICE程序中,考虑温度系数时，电阻的计算公式修正为：
R R t n o m 1 ＋ T C 1 t e m p － t n o m ＋ T C 2 （ t e m p － t n o m ） 2
大值时后，I，W m a就x小可；根R据小电时路，中I W电m ax
W max
阻的工作电流来确定电阻条的最小宽度W
I
R
m
i
n
WR min IW max
表4.2给出了不同 R 所对应的 IW m ax 值。应当指
出，在数字集成电路中，因为是脉冲工作，
因而表4.2中给出的单位电阻条宽的最大工
作电流尚有较大的余量。
4.1.2电阻器
3．扩散电阻的功耗限制
扩散电阻也和其他电阻一样，有一个功耗限制问题，
实验表明，对于TO或者扁平封装，在室温下，单
位电阻面积所承受的最大功耗 为 P A m ax
P A m ax510 6W /um 2
这样就对电阻的最小条宽W R m in和单位电阻条宽所允许
的最大工作电流I R m in有一个限制。因为单位电阻面
4.1.2电阻器
集成电路中的电阻分为 ：
无源电阻 通常是合金材料或采用掺杂半导体制作的电阻
有源电阻 将晶体管进行适当的连接和偏置，利用晶体管的
不同的工作区所表现出来的不同的电阻特性来做电阻。
4.1.2电阻器
1．薄层电阻
薄层电阻又俗称方块电阻，它是集成电路中广泛使用的述语。
薄层电阻 R 定义为
§ 6.5 电 感
集总电感可以有下列两种形式：
单匝线圈
多匝螺旋型线圈
多匝直角型线圈
硅衬底上电感的射频双端口等效电路：
Cp
Rs
Ls
Cox/2
Cox/2
R1
C1
R1
C1
Rs
w
l 1et/
2
0
Cp
N w2
ox
tox
R1 2 wl Gsub
C1 wl Csub 2
传输线电感
单端口电感的另一种方法是使用长度l<l/4波长的 短电传输线(微带或共面波导)或使用长度在l/4< l<l/2 范围内的开路传输线。
平板电容
电容模型等效电路：
固有的自频率：
f0
2
1 LC
金属叉指结构电容
4.1.2电阻器
集成电路中的电阻是依靠不同的掺杂层形成的， 主要分为扩散电阻(包括离子注入掺杂电阻)和沟 道电阻两大类。不同的掺杂层和沟道层其电阻值 的大小是不同的。如果有特殊需要时，也可以用 不同电阻串的金属或硅化物在半导体表面形成薄 膜电阻，或者用多晶硅掺杂形成多晶硅电阻。不 过，这样形成的电阻代价总比扩散电阻高。因此， 集成电路中最广泛使用的还是扩散电阻，多晶硅 电阻在MOS集成电路中也经常使用．在特殊的集 成电路中，也会采用薄膜电阻。
4.1.2电阻器
从阻(4.值2)提式高可，句这，就如是果用，沟x j 道越电小阻，(可夹以层使电方阻块)制电作阻大的
胆值的电阻器的基本思想。沟道电阻是利用两层 扩散层之间的沟道来形成电阻器。图4.5为基区沟 道电阻与外延层沟道电阻器的制作原理与平面版 图结构。
4.1.2电阻器
从图中可知，沟道电阻的大小不仅依赖于 本扩散层的电阻率，而且还依赖于两层扩 散层之间的深度。由于扩散结深难以精确 控制，故沟道电阻的阻值也不易精确控制。 因此在选用电阻类型时，一定要注意电阻 对电路特性的敏感程度。精度要求高的电 阻不能用沟道电阻来实现。表4.1为常用的 几种扩散方块电阻和沟道方块电阻的大小、 制作精度及温度系数。表中 106 / C 表示温度 每升高一度时引起电阻值有百万分之一的 变化。
4.1.2电阻器
掺杂半导体电阻 不同掺杂浓度的半导体具有不同的电阻率，利用掺杂半
导体的电阻特性，可以制造电路所需的电阻器。 根据掺杂方式，可分为：
扩散电阻 对半导体进行热扩散掺杂而构成的电阻
离子注入电阻
离子注入方式形成的电阻的阻值容易控制，精度较高。
薄层电阻的几何图形设计
金属 扩散区
(a)
积的功耗 P A
为
I2R
I2
PA LW R W2
用 P A m a x 代替P 流为
A
，则得单位电阻条宽度的最大工作电
I W m a x P A m a xR 1 2 5 1 0 6R 1 2 W /u m
4.1.2电阻器
可见，对于一定的封装形式，IW m ax只于薄层电
阻 R 有关， R 就大。知道了I
微电子第四章 集成电路设计
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第四章 集成电路设计
4.1 集成电路中的无源元件与互连线 4.2双极集成电路器件和电路设计 4.3MOS集成器件和电路设计 4.4 双极和MOS集成电路比较
4.1 集成电路中的无源元件与互连线
4.1.0引言 4.1.1电容器 4.1.2电阻器 4.1.3 集成电路中的电阻模型 4.1.4 集成电路互连线
由于集成电路中的电阻是由各扩散层形成的，所以除了电阻 本身的特性之外，还有一些反偏的PN结特性．这样会带 来附加的电阻和电容，这些参数称为寄生参数。例如一个 基本扩散电阻可以等效为图4.6的总体模型。图中的N端接 电路的最高电位，其目的是防止电阻器的PN结正偏因而 导致电阻器失效，s是衬底。由于基区PN结总是反偏 的．则可将图(a)等效为图 (b)这样的三个反偏二极管结构， 从而又得到图(c)的等效模型。图(c)是一个分布参数等效 为集中参数的等效模型。
积A和减小氧化层厚度 T O X 两个措施。
MOS结构电容
平板电容和PN结电容都不相同，MOS核心部分，即 金属-氧化物-半导体层结构的电容具有独特的性质。 它的电容-电压特性取决于半导体表面的状态。 随着栅极电压的变化，表面可处于：
积累区 耗尽区 反型区
MOS结构电容
a
Co 沟道 Cdep
Vss
a +++++++++