典型高压汞灯的发射光谱
I-line (365)
G-line (436) H-line (405)
Intensity (a.u)
Deep UV (<260)
300
400
500
600
Wavelength (nm)
光刻光源
名称
G-line 汞灯 H-line I-line XeF XeCl 准分子激光 KrF (DUV) ArF 氟激光 F2 248 193 157 0.25 to 0.15 0.18 to 0.13 0.13 to 0.1
显影液
漂洗液
四甲基氢氧化铵 二甲苯
TMAH 去离子水 DI water
七、坚膜烘培 工艺目的：
使存留的光刻胶溶剂彻底挥发，提高光刻胶的粘 附性和抗蚀性。这一步是稳固光刻胶，对下一步 的刻蚀或离子注入过程非常重要。
八、显影检查
工艺目的： 1.找出光刻胶有质量问题的硅片 2.描述光刻胶工艺性能以满足规范要求
正性光刻胶
传统胶片相机正片
负性光刻胶
传统胶片相机负片
光刻三个基本条件——光刻机
光刻机
传统相片放大机
三、光刻技术要求

光源



分辨率，是将硅片上两个相邻的特征尺寸图形 区分开的能力。 套准精度，掩膜版上的图形与硅片上的图形的 对准程度。按照光刻的要求版上的图形与片上 图形要精确对准。 工艺宽容度，工艺发生一定变化时，在规定范 围内仍能达到关键尺寸要求的能力。
Developer puddle
Wafer Form puddle Spin spray Spin rinse and dry
经曝光的正胶逐层溶解，中和反应只在光 刻胶表面进行。 非曝光区的负胶在显影液中首先形成凝胶 体，然后再分解，这就使整个负胶层被显影液 浸透而膨胀变形。
正性光刻胶 负性光刻胶 Xylene 醋酸正丁酯 n-Butylacetate
5.2 光刻工艺步骤及原理
光刻工艺的八个基本步骤 一、气相成底膜 二、旋转涂胶 三、软烘 四、对准和曝光 五、曝光后烘培（PEB） 六、显影 七、坚膜烘培 八、显影检查
光刻工艺的八个基本步骤 涂胶 曝光
显影
检查
一、气相成底膜

工艺目的：增加光刻胶与硅片的粘附性。 工艺过程： 1. 在气相成底膜之前，硅片要进行化学清洗、甩 干以保证硅片表面洁净。 2. 用N2携带六甲基二硅胺烷（HMDS）进入具有 热板的真空腔中，硅片放在热板上，形成底膜。

工艺过程：
1.上掩膜版、硅片传送 2. 掩膜版对准（ RA ）（掩膜版标记与光刻机基准 进行激光自动对准）
3. 硅片粗对准（ GA ）（掩膜版与硅片两边的标记 进行激光自动对准） 4. 硅片精对准（ FA ）（掩膜版与硅片图形区域的 标记进行激光自动对准）
经过8次的对准和曝光，形成了CMOS器件结构
平均曝光 干涉增强 强度 过曝光 干涉相消 欠曝光
光刻胶表面
/nPR
衬底表面
/nPR
Photoresist Substrate Overexposure Underexposure
驻波效应降低了光刻 胶成像的分辨率，影 响线宽的控制。
Photoresist Substrate
六、显影 工艺目的：溶解硅片上光刻胶可溶解区域，形成 精密的光刻胶图形。
光刻是集成电路制造的关键工艺
一、光刻技术的特点

产生特征尺寸的关键工艺； 复印图像和化学作用相结合的综合性技术； 光刻与芯片的价格和性能密切相关，光刻成本占 整个芯片制造成本的1/3。
二、光刻三个基本条件

掩膜版 光刻胶 光刻机
掩膜版（Reticle或Mask）的材质有玻璃 版和石英版，亚微米技术都用石英版，是 因为石英版的透光性好、热膨胀系数低。 版上不透光的图形是金属铬膜。 Reticle
五、曝光后烘培（PEB）

工艺目的：使得曝光后的光敏感物质在光刻胶内 部进行一定的扩散，可以有效地防止产生驻波效 应。 对DUV深紫外光刻胶，曝光后烘焙提供了酸扩散 和放大的热量，烘焙后由于酸致催化显著的化学 变化使曝光区域图形呈现。

入射光和反射光发生干涉并引起光刻胶在厚度方 向上的不均匀曝光，这种现象称为驻波效应。驻 波效应降低了光刻胶成像的分辨率。深紫外光刻 胶由于反射严重驻波效应严重。
未正确套刻情形
放大
缩小

旋转 X轴方向偏移
Y轴方向偏移

曝光场

驻波与抗反射涂层 当光刻胶下面的底层是反光的衬底（如金属和多 晶），光线将从衬底反射并可能损害临近未曝光 的光刻胶，这种反射现象会造成反射切入。在反 光衬底上增加一层抗反射涂层（如TiN）可消除反 射切入和驻波现象。
底部抗反射涂层(BARC)

光的衍射

数值孔径（NA） 透镜能够把一些衍射光会聚到一点成像，把 透镜收集衍射光的能力称为透镜的数值孔径。
透镜半径 NA (n) Sinq m (n) 透镜焦长
n为图像介质的折射率，θm为主光轴和透镜 边缘线夹角。透镜半径越大数值孔径越大成 像效果越好。
数值孔径在成像中的作用

分辨率（R） 将硅片上两个相邻的关键尺寸图形区分开的能力。
热 板
对流烘箱
微波烘箱
四、对准和曝光

工艺目的： 对准和曝光是将掩膜板上的图形通过镜头由紫外 光传递到涂有光刻胶的硅片上, 形成光敏感物质的 空间精确分布，从而实现精确的图形转移。
对准——同轴和离轴对准系统
曝光
对准标记

对准标记
1. 投影掩膜版的对位标记(RA) ：在版的左右两 侧， RA与步进光刻机上的基准标记对准 2. 整场对准标记(GA):第一次曝光时被光刻在硅 片左右两边，用于每个硅片的粗对准 3. 精对准标记(FA)：每个场曝光时被光刻的，用 于每个硅片曝光场和投影掩膜版的对准
6.抗蚀性好（在后续刻蚀工艺中，光刻胶很好 地保护衬底表面，胶的这种性质称为抗蚀性）
7.颗粒少

旋转涂胶参数
光刻胶厚度∝1/(rpm)1/2

传统正性I线光刻胶
1. 树脂是悬浮于溶剂中的酚醛甲醛聚合物 2. 感光剂化合物作为强的溶解抑制剂（不溶解于显影液）被加到线性酚 醛树脂中 3. 在曝光过程中，感光剂（通常为DNQ）发生光化学分解产生羟酸 4. 羟酸提高光刻胶曝光区域的线性酚醛树脂的溶解度
Example Viper defect clips
p
Hot Plate
Spin Station
光刻机
Track Robot
Developer dispenser
Hot Plate
Track

思考题： 如果使用了不正确型号的光刻胶进行光刻 会出现什么情况？
5.3 光学光刻
光学光刻是不断缩小芯片特征尺寸的主要限制因 素。 光源 光的能量能满足激活光刻胶，成功实现图形转移 的要求。光刻典型的曝光光源是紫外（UV ultraviolet）光源以及深紫外（DUV）光源、极 紫外（EUV）光源。 1.高压汞灯 2.准分子激光
PR Film
PR Film
Substrate
Substrate
（a）对比度差
（b）对比度好
3.敏感度好（是指硅片表面光刻胶中产生良好 图形所需要的一定波长光的最小能量值，以 mJ/cm2为单位） 4.粘滞性好（表征液体光刻胶流动性的一个指 标，即粘度，单位用cps表示）
5.粘附性好（指光刻胶与衬底表面的粘附性好）
DOF

2( NA) 2
分辨率和焦深的关系

套准精度 掩膜版上的图形与硅片上的图形的对准程度。 按照光刻的要求版上的图形与片上图形要精确 对准。套准精度也是光刻中一个重要的性能指 标。套准精度一般是关键尺寸的1/4 ~ 1/3。 通过对不同层次之间的千分尺结构套刻记号的 位置误差或来测定套准精度。
脱水烘干
HMDS成膜
二、旋转涂胶


工艺目的：在硅片表面涂上液体光刻胶来得到一 层均匀覆盖层。 工艺过程： 1.分滴 2.旋转铺开 3.旋转甩掉 4.溶剂挥发 5.去除边圈
Wafer
PR
EBR
Chuck PR dispenser Exhaust nozzle nozzle
Wafer Wafer Chuck Chuck Spindle To vacuum vacuum To pump pump pump
Drain
分滴
Solvent Solvent
PR PR suck suck back back
Vacuum
旋转铺开
旋转甩掉
溶剂挥发
去除边圈
丙烯乙二醇一甲胺以太醋酸盐PGMEA 乙烯乙二醇一甲胺以太醋酸盐EGMEA

光刻胶作用： 1. 将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中； 2. 在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或 离子注入阻挡层） 光刻胶成分：
PR
Substrate 正确显影 PR Substrate 显影不足
PR
Substrate 不完全显影 PR Substrate 过显影
Litho process-Auto ADI
Array Misplacement on first layer Wrong Reticle (RV option)
k R NA
k为工艺因子，范围是0.6～0.8， λ为光源的波长， NA为曝光系统的数值孔径 要提高曝光系统的分辨率即减小关键尺寸，就要 降低光源的波长λ 。

焦深（DOF） 是焦点上下的一个范围，在这个范围内图像连 续保持清晰。焦深也就是景深，集成电路光刻 中的景深很小，一般在1.0μm左右或更小。
顶部抗反射涂层(TARC)