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ETCHPCB蚀刻培训教材解析
目录
前言 基础部分:蚀刻目的
蚀刻反应基本原理 蚀刻工艺流程及原理 名词解释 设备 技术提升部分:生产线简介 生产线维护 生产注意事项 影响蚀刻速率因素分析 蚀刻能力提高 工序潜力与展望 生产安全与环境保护
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前言
随着PCB工业的发展,各种导线之阻抗要求也越来越高, 这必然要求导线的宽度控制更加严格。为了使荣信公司的工 程管理人员,尤其是负责蚀刻工序的工艺工程人员对蚀刻工 序有一定的了解,故撰写此份培训教材,以期有助于生产管 理与监控,从面提高我司的产品品质。(本教材以设备为基础 对蚀刻工艺进行讲解)
二.碱性蚀刻
1.工艺流程
褪膜
蚀刻
新液洗
褪锡
(整孔) 注:整孔工序仅适用于沉金制板
2.工艺原理
-褪膜
定义:用褪菲林液将线路板面上盖住的菲林褪去,露 出未经线路加工的铜面.
经电镀工序后的干膜在碱性褪膜液下溶解或部分成 片状脱落,我司使用的是3% 0.5%氢氧化钠溶液.
为维持药液的效果,需注意过滤的效果,及时过滤去片
一.酸性氯化铜蚀刻
1.工艺流程
显影
蚀刻
褪膜
放显
显
水水 水
板
影 缸
影 缸
洗洗 洗 12 3
1
2
蚀 刻
1
蚀 刻
2
水水 水 洗洗 洗
12 3
褪褪 膜膜
12
水水 水 烘 收 洗洗 洗 干 板
12 3
2.工艺原理
—显影 定义:利用碳酸钠的弱碱性将干膜上未经紫外线辐
射的部分用碳酸钠溶液溶解,已经紫外线辐射而发生 聚合反应的部分保留。
二价铜离子在碱性环境下极易生成氢氧化铜沉淀, 需加入过量的氨水,使之生成稳定的氨铜错离子团; 过量的氨使反应生成的不稳定Cu(NH3)2Cl 再生成稳 定的具有氧化性的Cu(NH3)4Cl2 ,使反应不断的进行。
生产过程中自动控制通过监测PH值,比重,进行 补加氨水和新液,而达到连续生产的目的。
蚀刻工艺流程及原理
为使之蚀铜反应进行更为迅速,蚀液中多加有助剂, 例如:
a. 加速剂( Accelerator) 可促使上述氧化反应更为快速, 并防止亚铜错离子的沉淀。
b. 护岸剂(Banking agent) 减少侧蚀。 c. 压抑剂(Suppressor )抑制氨在高温下的飞散,抑制铜
的沉淀加速蚀铜的氧化反应。
状的干膜碎,防止堵塞喷嘴.
注:内外层褪膜段使用药水及控制相同,但外层干 膜厚为1.5mil左右,经图形电镀后,铜厚和锡厚之和通常超过 1.5mil,需控制图形电镀电流参数防止夹膜,同时控制褪膜速 度以防褪膜不净而短路。
-蚀刻 定义: 用蚀板液将多余的底铜蚀去剩下已加厚的线路。
控制:随着反应不断进行,药液中氨水不断降低,铜离子不断 增加,为保持蚀铜速度,必需维持药水的稳定.我司通过PH 计,比重计控制氨水和新液的自动添加,当PH值低时添加氨 水;当比重高时添加新液.
水池效应
在蚀刻过程中,线路板水平通过蚀刻机时, 因重力作用在板上面新鲜药液被积水阻挠,无 法有效和铜面反应,称之水池效应。而下面 则无此现象。
蚀刻因子
蚀刻液在蚀刻过程中,不仅向下而且对左右各 方向都产生蚀刻作用,侧蚀是不可避免的。侧蚀宽 度与蚀刻深度之比称之为蚀刻因子。
-新液洗 使用不含有铜离子的NH3.H2O, NH4Cl溶液清除板面
残留的药液以及反应生成物Cu(NH3)2Cl ,其极不稳定, 易生成沉淀。
-整孔
除去非镀通孔中的在沉铜工序所吸附上去的钯离子, 以防在沉金工序沉上金.
-褪锡
使用含铜保护剂的主要成分为硝酸的药液,褪去线 路上的锡铅层,露出线路
名词解释
-蚀铜量大 -蚀刻液易再生和回收
2.主要反应原理
蚀刻过程中,CU2+有氧化性,将板面铜氧化成CU+:
Cu + CuCl2→ 2CuCl
生成的CuCl不溶于水,在过量的氯离子存在下,生 成可溶性的络离子:2CuCl+4Cl-→2[CuCl3]2-
随着反应的进行, CU+越来越多,蚀铜能力下降, 需对蚀刻液再生,使CU+变成CU2+ 。再生的方法有以 下几种: 通氧气或压缩空气再生(反应速率低),氯气 再生(反应快,但有毒),电解再生(可直接回收铜, 但需电解再生的设备和较高的电能消耗),次氯酸钠 再生(成本高,本身较危险),双氧水再生(反应速 率快,易控制).
速率易控制
2.主要反应原理
Cu+Cu(NH3)4Cl2 → 2Cu(NH3)2Cl
4Cu(NH3)2Cl + 4NH3H2O + 4NH4Cl + O2 →
4Cu(NH3)4Cl2+6H2O 以上两反应重复进行,因此需要有良好抽气,使喷淋 形成 负压,使空气中的氧气与药液充分混合,从而利于 蚀刻反应进行。注意抽气不可过大,否则造成氨水消耗 量的增大.
基础部分
蚀刻的目的
蚀刻的目的即是将前工序所做出有图形的线 路板上的未受保护的非导体部分铜蚀刻去,形成 线路。
蚀刻有内层蚀刻和外层蚀刻,内层采用酸性 蚀刻,湿膜或干膜为抗蚀剂;外层采用碱性蚀刻, 锡铅为抗蚀剂。
蚀刻反应基本原理
一.酸性氯化铜蚀刻液
1.特性
-蚀刻速度容易控制,蚀刻液在稳定状态下能达到 高的蚀刻质量
定义:将溶解了干膜(湿膜)而露出的铜面用酸 性氯化铜溶解腐蚀,此过程叫蚀刻。
影响因素:主要是溶液中Cl- 、Cu+的含量,溶液 的温度及Cu2+的浓度等。
-褪膜 药水:NaOH 3+/-0.5% 除泡剂 0.1~0.2% 定义:将线路上的保护膜去掉,露出已加工好的线路。 影响褪膜效果因素:褪膜温度及速度,药水浓度 注意:褪膜温度低,速度慢,药水浓度低,会导致褪 膜不净;药水浓度高,会导致板面氧化。 褪膜段喷嘴要及时清洗,防止碎片堵塞喷嘴, 影响褪膜质量
反应:2CuCl+2HCl+H2O2→2CuCl2+2H2O
自动控制添加系统:通过控制蚀刻速度,双氧水和盐 酸的添加比例,比重和液位,温度等项目,达到自动 连续生产。
我司采用此种再生方法。
二.碱性氨类蚀刻液
1.特性
-不与锡铅发生任何反应 -易再生,成本低,易回收 -蚀铜速度快,侧蚀小,溶铜能力高,蚀刻
原理:
CO3-2 + Resist COOH HCO3- + Resist COOCO3-2 主要为Na2CO3 或K2CO3 Resist TOOH为干膜及油墨中反应官能基团 利用CO3-2与阻剂中羧基(COOH)进行酸碱中和反应, 形成COO-和H CO3- ,使阻剂形成阴离子团而剥离。
-蚀刻