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• 按激发方式分，有热CVD、等离了体CVD、光激发 CVD、激光(诱导)CVD等；
• 按反应室压力分，有常压CVD、低压CVD等； • 按反应温度分，有高温CVD、中温CVD、低温CVD等； • 按源物质类型分，有金属有机化合物CVD、氯化物
CVD、氢化物CVD等； • 按主要特征分，有热激发CVD、低压CVD、等离子体
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化学气相沉积的特点
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化学气相沉积前驱体
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面扩散等过程。
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化学气相沉积的基本条件
• 反应物的蒸气压：在沉积温度下，反应物 必须有足够高的蒸汽压。
• 反应生成物的状态：除了需要得到的固态 沉积物外，化学反应的生成物都必须是气 态。
• 沉积物的蒸汽压：沉积物本身的饱和蒸气 压应足够低，以保证它在整个反应、沉积 过程中都一直保持在加热的基体上。
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化学反应的类型
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• 化学气相沉积的源物质可以足气态、液态 和固态。
• 制备装置一般由反应室、气体输送和控制 系统、蒸发器、排气处理系统等构成。
• 采用合适的方式加热基材，使其保持一定 的温度，并且要高于环境气体温度。
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软化学合成方法3
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化学气相沉积
• 化学气相沉积(CVD)是把含有构成薄膜元素 的化合物或单质气体通入反应室内，利用 气相物质在工件表面的化学反应形成固态 薄膜的工艺法。
• 它是一种适应性强、用途广泛的技术。可 以制备几乎所有固体材料的涂层、粉末、 纤维和成形元器件。
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CVD、激光(诱导)CVD、金属有机化合物CVD等。 • 也有将常压CVD称为“常规CVD”，而把低压CVD、
等离子体CVD、激光CVD等归入“非常规CVD”的分 类方法，
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化学气相沉积的过程
• 化学气相沉积包括： • 反应气体到达基材表面， • 反应气体分子被基材表面吸附， • 在基材表面发生化学反应、形核， • 生成物从基材表面脱离，生成物在基材表
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影响化学气相沉积制备材料质量的 因素
• 反应混合物的供应 • 淀积温度 • 衬底材料 • 系统内总压和气体总流速 • 反应系统装置因素 • 原材料的纯度
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