电磁场与电磁波期末考试复习资料11.圆柱坐标系中单位矢量 ， 。

2.对于矢量A ，若 ，则=+•y x a y x a x )(2 ，=⨯x z a y a x 2 。

3.给定两个矢量z y x a a a A 32-+=，z y a a B +-=4，则矢量A 的单位矢量为 ，矢量B A ⋅= 。

4.已知直角坐标系中点P 1(5,-2,1),P 2(3,1,2),则P1的位置矢量为 ,P1到P2的距离矢量为 。

5.已知球坐标系中单位矢量 。

6.在两半无限大导电平面组成的直角劈形中间放置一点电荷，此时点电荷的镜像电荷个数为 。

7.点电荷q 在自由空间任一点r 处电场强度为 。

8.静电场中导体内的电场为 ，电场强度与电位函数的关系为 。

9.高斯散度定理的积分式为 ，它广泛的用于将一个封闭面积分变成等价的体积分，或者将一个体积分变成等价的封闭面积分。

10.已知任意一个矢量场A ，则其旋度的散度为 。

11.真空中静电场的基本方程的微分形式为 、 、 。

12.分析恒定磁场时，在无界真空中，两个基本场变量为 ，它们之间的关系为 。

13.斯托克斯定理为 ，它表明矢量场A 的旋度沿曲面S 的方向分量的面积分等于该矢量沿围绕此面积曲线边界的线积分。

14.任意一个标量场u ，则其梯度的旋度为 。

15.对于某一矢量 ,它的散度定义式为 ，用哈密顿算子表示为 。

16.介质中静电场的基本方程的积分式为 ， ， 。

17.介质中恒定磁场的基本方程的微分形式为 、 、 。

18.介质中恒定磁场的基本方程的积分式为 ， ， 。

19.静电场中两种介质分界面的边界条件是 ， 。

20.在无限大的导体平面上方d 处放一点电荷q ，则其镜像电荷电量为 ，位置位于 ；如果一个点电荷置于两平行导体中间，则此点电荷有 镜像电荷。

21.矢量场223z a yz a y x a A z y x ++=在点P(1,1,0)的散度为 。

22.一个半径为a 的接地导体球，一点电荷q 位于距球心d 处，则其镜像电荷带电量为 ，位置位于 ；当点电荷q 向无限远处运动时，其镜像电荷向 运动。

23.恒定电场导电媒质中电流体密度与电场强度之间的关系式为 ，理想的导电媒质内部电场为 。

24.电介质分子在外加电场的作用下由原来的无序排列变成有序排列，这种现象称为电介质分子的 ，线性、各向同性的电介质中电场强度与电通密度的关系式为 。

25.一根无限长的直导线，带有电流I ，其在空间产生的磁通密度为 。

=⋅ϕρρa z a =⨯ϕρa a z z y y x x A a A a A a A ++==⨯θa a r z z y y x x A a A a A a A ++=26.半径为r 的导体球带电量为Q ，其内部电场为 。

27.介质在外电场作用下发生极化，若其极化强度为P ,介质表面单位法向矢量为n a ，则极化面电荷密度为 。

28.传导电流和位移电流的形成分别是 ， 。

29.高频电磁波只集中在良导体的表面薄层，而在良导体内部几乎无高频电磁波存在，这种现象称为 ，趋肤深度的表达式 。

30.如果两种介质分界面上电通密度D 的法向分量连续，则分界面上自由电荷面密度s ρ为 。

31.空间任意直线l 的方向余弦为αcos 、βcos 、γcos ，则标量场),,(z y x u 沿l 的方向导数为： 。

32.电场强度E 和电位函数ϕ之间的关系式为： 。

33.静电场为无旋场，故电场强度沿任意闭合路径的线积分为 。

34.“变化的电场可以产生磁场”这句话用麦克斯韦方程表示为 ，其中磁场的漩涡源为 。

35.在恒定电流的磁场中，两种介质分界面两侧场量变化关系（即边界条件）是 ， 。

36.法拉第电磁感应定律的微分式是 ，其物理含义是： 。

37.自由空间传播的电磁波，其电场强度m V z t a E x /)2sin(10βπ-=，则此电磁波的传播方向是 ，其位移电流密度d J 为 。

38.当电磁波垂直入射到理想导体表面时，电磁波被全部反射，此时反射系数为 ，透射系数为 。

39.标量场2),,(x xyz z y x +=ψ通过点P(1，1，2)的梯度为 。

40.引入位移电流的概念后，麦克斯韦对安培环路定律做了修正，其修正后的微分式是 ，其物理含义是： 。

电磁场与电磁波期末考试复习资料21．点电荷产生的电场强度随距离变化的规律为 。

A ．r 1 B. 21r C. r 1ln 2.为了描述电荷分布在空间流动的状态，定义体积电流密度J ，其国际单位为 。

A ．3m A B. 2m A C. mA 3.应用高斯定理求解静电场问题要求电场具有 分布。

A.线性B. 任意C. 对称性4.用镜像法求解电场边值问题时，判断镜像电荷设置是否正确的依据是 。

A.镜像电荷的位置是否与原电荷对称B.镜像电荷是否与原电荷等值异号C.待求区域内的电位函数所满足的方程与边界条件是否保持不变5.以下关于时变电磁场的叙述中，不正确的是 。

A.电场是有旋场B.电场和磁场相互激发C.磁场是有源场6.如果某一点的电场强度为零，则该点的电位为 。

A.一定为零B.不一定为零C.为无穷大7.真空中一个电流元在某点产生的磁感应强度dB 随该点到电流元距离变化的规律为 。

A ．R 1 B. 21RC. R 1ln 8.两个相互平行的导体平板构成一个电容器，其电容与__ _无关。

A.平行板上的电荷B.平板间的介质C.导体板的几何形状D.导体板间距离9.时变电磁场的激发源是 。

A.电荷B.电流C.变化的电场和磁场D.同时选择A 和B10.在电导率分别是1σ和2σ的两种介质界面上,下列_ __关系式不成立,(设n 为界面法向矢量).A. 0)(12=-⋅D D nB. 0)(12=-⋅J J nC. E 1t =E 2tD.1= 211.导电媒质中恒定电场满足的边界条件_ __。

A.D 1n =D 2nB.J 1n =J 2nC.E 1t =E 2tD.同时选择B 和C12. 成立的条件是在 。

A. 非导电媒质介面上B.任何介质界面上C. 导电媒质界面上13.如图1-6所示的无限大平行板电容器一半为空气，另一半为介电常数ε的介质。

设电容器外加电压为U 0，则电场在分界面上满足的边界条件为（ ）。

A. B. C. D. 14.设x<0的半空间充满磁导率为μ的均匀媒质，x>0的半空间磁导率为μ0,现有一无限长直电流I 沿z 轴正向流动，且处在两种媒质的分界面上，如图1-7所示，则在两种媒质的交界面上磁场满足边界条件为（ ）。

A. B. C. D.15.自由空间中的平行双线传输线，导线半径为a ，线间距为D ，则传输线单位长度的电容为 。

A ．)ln(01a a D C -=πε B. )ln(201aa D C -=πε C. )ln(2101a a D C -=πε 16.若某区域内的电场强度为z j y x e a j a E 5.0)43(-+=，则这种波为 。

A.左旋圆极化波B.右旋椭圆极化波C. 左旋椭圆极化波17.当电磁波垂直入射到理想导体表面时，电磁波全部被反射，则下列哪种说法正确 。

A.发生全反射 1-=RB. 发生全反射 1=RC. 发生全透射 1=R18.位移电流是 产生的。

A.电场变化B. 磁场变化C.电荷运动21B B =21E E =图1-6 n n D D 21=n n E E 21=21D D =图1-7t t B B 21=21H H =t t H H 21=0)(12=-•D D n19.极化介质中电场强度由 产生。

A.自由电荷B. 极化电荷C.自由电荷和极化电荷共同20.导电媒质中电磁波具有以下性质 。

A.衰减B.TEM 波C.电场与磁场不同相D.同时选择A ，B ，C 21.介电常数为的介质区域V 中,静电荷得体密度为,已知这些电荷产生的电场为E=E(x,y,z),设 ，下面表达式中成立的是_ ___ 。

A. B. C. D.22.安培环路定理的微分形式是 。

A ．JB =⨯∇ B. J H =⨯∇ C. B H =⨯∇23.高斯定理q S d D S =⋅⎰中，q 为总电荷，应该是包括 。

A.整个场域中的自由电荷B. 仅由闭合曲面所包围的自由电荷C.由闭合曲面所包围的自由电荷和极化电荷24. 是空间任意磁场的源。

A ．t D J ∂∂、 B.t HJ ∂∂、 C. t Dq ∂∂、25.以下关于在导电媒质中传播的电磁波的叙述中，正确的是 。

A.不再是平面波B.电场和磁场不同相位C.振幅不变26.频率f=50MHz 的均匀平面波在某个理想介质（介电常数 ，磁导率，电导率 ）中传播时，波速 。

A.等于光速CB.等于C/2C.等于C/427.有一圆形气球,电荷均匀分布在其表面上,在此气球被吹大的过程中,球外的电场强度 。

A.增大B.不变C.减小28.空间电磁波的电场强度为)cos()sin(z t a z t a E y x βωβω-+-=，则此波为 。

A.左旋椭圆极化波B.右旋圆极化波C. 左旋圆极化波29.在两种导电媒质的分界面上，电场强度的 保持连续。

A.切向分量B. 幅值C.法向分量30.磁媒质中的磁场强度由 产生。

04εε=0μμ=0=σE Dε=0=⋅∇D 0ερ=⋅∇E ρ=⋅∇D 0=⨯∇DA.自由电流B. 磁化电流C.自由电流和束缚电流共同31.磁通连续性原理的积分形式可以表示为 。

A ．0=⨯⎰S S dB B. 0=⋅⎰S S d B C. 0=⎰SS d B 32.电磁波在良导体中的衰减常数近视为 。

A ．2ωμσ B. ωμσ2 C. ωμσ2 33.在良导体中，均匀平面波的穿透深度为 。

A. B. C. D. 34.空间存在漩涡电场E ，则产生此电场的源为 。

A ．t D ∂∂ B. t D ∂∂- C. tB ∂∂- 35.如图4-6所示为两层介质的同轴电缆，介质分界面为同轴圆柱面，内导体半径为 a ，分界面半径为b ，外导体半径为c ，两层介质的介电常数分别为ε1 和ε2。

外加电压为U ，则两种煤质分界面的边界条件满足（ ）。

A. B. C. D. 36.无限长直线电流I 垂直于磁导率分别为μ1和μ2的两种磁介质的交界面，如图4-7示，则分界面上的边界条件为（ ）。

A. B. C. D.电磁场与电磁波期末考试复习资料3判断正误:1.标量场的梯度运算和矢量场的旋度运算都是矢量。

2.泊松方程适用于有源区域，拉普拉斯方程适用于无源区域。

3.一般说来，电场和磁场是共存于同一空间的，但在静止和恒定的情况下，电场和磁场可以21E E =t t D D 21=n n E E 21=21D D =n n B B 21=t t B B 21=21H H =n n H H 21=ωμσ22ωμσμσω2ωσμ2独立进行分析。